ウエハ検査装置のメーカー8社比較【2026年】

レーザー式の検査部と画像式の検査部を1台に組み込み、欠陥の検出から観察までを同じ装置で進めます。12inchを約181秒で検査し、感度はPSL50nm相当です。透明体を含む基板を2〜12inchまで扱います。

比較検査方式なので事前の学習画像がいらず、新しいウェーハでもすぐ検査に入れます。ウェーハ前工程の工程内検査から最終外観検査まで使えます。Real-Time ADCで、検査終了と同時に必要な結果だけを確認できます。

ラインセンサで全面を見るので、チップサイズや数量に左右されず一定の速さで検査します。分解能の違う3種類の対物レンズを載せ、1μm以下の微細欠陥からマクロ欠陥まで1台で見られます。実用の処理能力は従来モデルの約2倍です。

配線パターン、クラック、異物をまとめて見る外観検査装置で、ダイシング後の内部クラックも検査できます。ウェーハとテープフレームの両方を扱えます。ウェーハは2〜8inchです。

パターンのないウェーハ表面のパーティクルを調べ、装置と工程の管理に使う型です。Bare-Siの最高検出感度は48nm、ウェーハは4〜12inchです。

シリコンウェーハやガラス基板の外部欠陥に加えて、基板内部の欠陥も透過や反射で見つけます。キズ、欠け、クラック、パーティクルなど、実際の欠陥に合わせて検出方法を決めます。製造はナノシステムソリューションズで、ブイ・テクノロジーの製品ページにも載っています。

フルカラー撮像とAI解析を組み合わせた2D外観検査装置です。モノクロ画像より情報量が多い画像で、人の目でも見つけにくい欠陥を拾い、過検出を抑えます。検出した欠陥の形や発生原因の分析も、前工程の見直しに使えます。

バンプの高さ（3D）⁠と⁠外⁠観（2D）を高速で同時に検査する型です。Cuピラーバンプ、金バンプ、低段差バンプ、マイクロバンプの量産全数検査に向けた機種です。

電子の加速電圧を50kVまで上げた電子線式で、高層化が進むデバイスでも高画質の画像を取れます。広い視野で多点を測るので、パターン検査と寸法計測を同じ装置で進められます。

ウェーハ端部の欠陥の検出と分類に、決めた部位の寸法計測まで加えたインライン検査装置です。Siウェーハの製造工程とデバイス製造工程の両方で使います。

ウェハの縁とベベル部に絞って欠陥を見つけ、種類まで分けるエッジ検査装置です。3D測定の結果をプロセス改善に使えます。高スループットモードがあり、用途に合わせて切り替えます。

レーザー式と微分干渉顕微鏡式の検査部を組み合わせたハイブリッド型で、SiC、GaN、サファイアなど透明な基板の検査に向けた機種です。レーザー式は6inchを約91秒で走査します。

PLの蛍光画像を使い、可視光の外観検査では見えなかった結晶欠陥、クラック、発光不良を自動で見つけます。SiC用途では4inchウェーハを5xのPL検査で15分かけて検査します。SiCとGaNのパワーデバイス向けです。

表面検査とPL検査を同時に行い、表面の欠陥とウェハ内部の結晶欠陥を1台で見つけます。SiCウェハとエピウェハの出荷・受入検査や、研磨・エピ成長の工程管理に使います。AGVやOHTでの自動搬送にも合わせられます。