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ウエハ検査装置SiC・GaN用

ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100

株式会社クボタ

レーザー式と顕微鏡式を組み合わせ、SiCや透明基板の表面欠陥を検査する装置。

価格
公開価格なし（見積もり）
方式
SiC・GaN用
向いている所
SiCや透明基板の表面欠陥検査
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比較表での位置

ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100は、ウエハ検査装置のメーカー8社比較⁠の方式「SiC・GaN用」の3製品の1つとして載っています。

  • 8社掲載社数
  • 14製品比較表の製品
  • 3製品同じ方式
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ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100​の強みと方式

レーザー式と微分干渉顕微鏡式の検査部を組み合わせたハイブリッド型で、SiC、GaN、サファイアなど透明な基板の検査に向けた機種です。レーザー式は6inchを約91秒で走査します。

向いている所SiCや透明基板の表面欠陥検査

方式：SiC・GaN用

SiCやGaNなど透明な基板で起きる欠陥を見る型です。PLの蛍光画像で内部の結晶欠陥を見る装置と、レーザーと顕微鏡を組み合わせて表面を見る装置があります。

ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100​の仕様

方式
SiC・GaN用
検査方式
レーザー散乱方式、正反射方式、微分干渉顕微鏡
検査の対象
Si、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなど
ウェーハ径
4・6・8inch
検出感度・分解能
—公式資料で確認できず
検査速度
約91秒（6inch、10umピッチ）
見つける欠陥
パーティクル、スクラッチ、ピット、バンプなど
価格
—公式資料で確認できず
光源・ビーム
レーザー波長405nm
外形寸法
—公式資料で確認できず
質量
—公式資料で確認できず

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100株式会社クボタ蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズ東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社SiCウェハ欠陥検査/レビュー装置 SICA108レーザーテック株式会社
方式SiC・GaN用SiC・GaN用SiC・GaN用
検査方式レーザー散乱方式、正反射方式、微分干渉顕微鏡PL蛍光画像による自動検査表面検査、PL検査の同時検査
検査の対象Si、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/SiなどSiCウェーハ、チップSiCウェハ、エピウェハ
ウェーハ径4・6・8inch2〜8inch—公式資料で確認できず
検出感度・分解能—公式資料で確認できず画素分解能0.325um〜—公式資料で確認できず
検査速度約91秒（6inch、10umピッチ）15分（4inchウェーハ、5x PL検査時）—公式資料で確認できず
見つける欠陥パーティクル、スクラッチ、ピット、バンプなど基底面転位（BPD）、積層欠陥（SF）⁠な⁠ど⁠の結晶欠陥、パターン外観不良表面欠陥、基底面内転位（BPD）、積層欠陥（SF）
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
光源・ビームレーザー波長405nm—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
外形寸法—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
質量—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず

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ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100​のよくある質問

Q.ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100はどんな人に向いている？
ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100は、SiCや透明基板の表面欠陥検査に使う人向けです。ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100は、レーザー式と微分干渉顕微鏡式の検査部を組み合わせたハイブリッド型で、SiC、GaN、サファイアなど透明な基板の検査に向けた機種です。レーザー式は6inchを約91秒で走査します。
Q.ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100はどんな方式？
ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100の方式はSiC・GaN用です。SiCやGaNなど透明な基板で起きる欠陥を見る型です。
Q.ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100の主な仕様は？
ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100の検査方式はレーザー散乱方式、正反射方式、微分干渉顕微鏡、検査の対象はSi、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなどです。ウェーハ径は4・6・8inch、検査速度は約91秒（6inch、10umピッチ）で⁠⁠⁠⁠す⁠。
Q.ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100と蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズはどっちがいい？
SiCや透明基板の表面欠陥検査ならハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100、SiC・GaNパワーデバイスの結晶欠陥なら東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジーの蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズです。ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100の検査方式はレーザー散乱方式、正反射方式、微分干渉顕微鏡、検査の対象はSi、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなどです。東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジーの蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの検査方式はPL蛍光画像による自動検査、検査の対象はSiCウェーハ、チップです。
Q.ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100の見つける欠陥は？
ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100の見つける欠陥はパーティクル、スクラッチ、ピット、バンプなどです。東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジーの蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの見つける欠陥は基底面転位（BPD）、積層欠陥（SF）⁠な⁠ど⁠の結晶欠陥、パターン外観不良です。
Q.ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100の光源・ビームは？
ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100の光源・ビームはレーザー波長405nmです。SCREENセミコンダクターソリューションズのウェーハ外観検査装置 ZI-2000の光源・ビームはRGB 3色LED照明です。
Q.ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100とSiCウェハ欠陥検査/レビュー装置 SICA108はどっちがいい？
SiCや透明基板の表面欠陥検査ならハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100、SiCウェハの出荷・受入検査ならレーザーテックのSiCウェハ欠陥検査/レビュー装置 SICA108です。ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100の検査方式はレーザー散乱方式、正反射方式、微分干渉顕微鏡、検査の対象はSi、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなどです。レーザーテックのSiCウェハ欠陥検査/レビュー装置 SICA108の検査方式は表面検査、PL検査の同時検査、検査の対象はSiCウェハ、エピウェハです。
Q.ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100のほかにクボタのウエハ検査装置はある？
あります。クボタのウエハ検査装置には、ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100のほかにウェハ表面欠陥検査装置 K-LE-G200（検査方式はレーザー散乱方式、正反射方式）があります。
Q.ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100はどこのメーカー？
ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100は株式会社クボタの製品です。クボタの主な製品分野はバタフライ弁・産業用エンジン・排水処理装置・芝刈機です。

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    出典
    1. 株式会社クボタ 公式
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