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ウエハ検査装置SiC・GaN用

蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズ

東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社

PL蛍光画像でSiC・GaNの結晶欠陥を自動検査する装置。

価格
公開価格なし（見積もり）
方式
SiC・GaN用
向いている所
SiC・GaNパワーデバイスの結晶欠陥
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比較表での位置

蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズは、ウエハ検査装置のメーカー8社比較⁠の方式「SiC・GaN用」の3製品の1つとして載っています。

  • 8社掲載社数
  • 14製品比較表の製品
  • 3製品同じ方式
  • 0製品公開価格あり
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蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの強みと方式

PLの蛍光画像を使い、可視光の外観検査では見えなかった結晶欠陥、クラック、発光不良を自動で見つけます。SiC用途では4inchウェーハを5xのPL検査で15分かけて検査します。SiCとGaNのパワーデバイス向けです。

向いている所SiC・GaNパワーデバイスの結晶欠陥

方式：SiC・GaN用

SiCやGaNなど透明な基板で起きる欠陥を見る型です。PLの蛍光画像で内部の結晶欠陥を見る装置と、レーザーと顕微鏡を組み合わせて表面を見る装置があります。

蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの仕様

方式
SiC・GaN用
検査方式
PL蛍光画像による自動検査
検査の対象
SiCウェーハ、チップ
ウェーハ径
2〜8inch
検出感度・分解能
画素分解能0.325um〜
検査速度
15分（4inchウェーハ、5x PL検査時）
見つける欠陥
基底面転位（BPD）、積層欠陥（SF）⁠な⁠ど⁠の結晶欠陥、パターン外観不良
価格
—公式資料で確認できず
光源・ビーム
—公式資料で確認できず
外形寸法
—公式資料で確認できず
質量
—公式資料で確認できず

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズ東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社SiCウェハ欠陥検査/レビュー装置 SICA108レーザーテック株式会社ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100株式会社クボタ
方式SiC・GaN用SiC・GaN用SiC・GaN用
検査方式PL蛍光画像による自動検査表面検査、PL検査の同時検査レーザー散乱方式、正反射方式、微分干渉顕微鏡
検査の対象SiCウェーハ、チップSiCウェハ、エピウェハSi、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなど
ウェーハ径2〜8inch—公式資料で確認できず4・6・8inch
検出感度・分解能画素分解能0.325um〜—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
検査速度15分（4inchウェーハ、5x PL検査時）—公式資料で確認できず約91秒（6inch、10umピッチ）
見つける欠陥基底面転位（BPD）、積層欠陥（SF）⁠な⁠ど⁠の結晶欠陥、パターン外観不良表面欠陥、基底面内転位（BPD）、積層欠陥（SF）パーティクル、スクラッチ、ピット、バンプなど
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
光源・ビーム—公式資料で確認できず—公式資料で確認できずレーザー波長405nm
外形寸法—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
質量—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず

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蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズのよくある質問

Q.蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズはどんな人に向いている？
蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズは、SiC・GaNパワーデバイスの結晶欠陥に使う人向けです。蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズは、PLの蛍光画像を使い、可視光の外観検査では見えなかった結晶欠陥、クラック、発光不良を自動で見つけます。
Q.蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの強みは？
SiC用途では4inchウェーハを5xのPL検査で15分かけて検査します。SiCとGaNのパワーデバイス向けです。
Q.蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズはどんな方式？
蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの方式はSiC・GaN用です。SiCやGaNなど透明な基板で起きる欠陥を見る型です。
Q.蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの主な仕様は？
蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの検査方式はPL蛍光画像による自動検査、検査の対象はSiCウェーハ、チップです。ウェーハ径は2〜8inch、検出感度・分解能は画素分解能0.325um〜⁠⁠⁠です。
Q.蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズとSiCウェハ欠陥検査/レビュー装置 SICA108はどっちがいい？
SiC・GaNパワーデバイスの結晶欠陥なら蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズ、SiCウェハの出荷・受入検査ならレーザーテックのSiCウェハ欠陥検査/レビュー装置 SICA108です。蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの検査方式はPL蛍光画像による自動検査、検査の対象はSiCウェーハ、チップです。レーザーテックのSiCウェハ欠陥検査/レビュー装置 SICA108の検査方式は表面検査、PL検査の同時検査、検査の対象はSiCウェハ、エピウェハです。
Q.蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの検査速度は？
蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの検査速度は15分（4inchウェーハ、5x PL検査時）です。クボタのハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100の検査速度は約91秒（6inch、10umピッチ）で⁠⁠⁠⁠す⁠。
Q.蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの見つける欠陥は？
蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの見つける欠陥は基底面転位（BPD）、積層欠陥（SF）⁠な⁠ど⁠の結晶欠陥、パターン外観不良です。レーザーテックのSiCウェハ欠陥検査/レビュー装置 SICA108の見つける欠陥は表面欠陥、基底面内転位（BPD）、積層欠陥（SF）⁠で⁠⁠⁠⁠す⁠。
Q.蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズとハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100はどっちがいい？
SiC・GaNパワーデバイスの結晶欠陥なら蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズ、SiCや透明基板の表面欠陥検査ならクボタのハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100です。蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズの検査方式はPL蛍光画像による自動検査、検査の対象はSiCウェーハ、チップです。クボタのハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100の検査方式はレーザー散乱方式、正反射方式、微分干渉顕微鏡、検査の対象はSi、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなどです。
Q.蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズのほかに東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジーのウエハ検査装置はある？
あります。東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジーのウエハ検査装置には、蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズのほかに電子線式ウェーハパターン検査装置 NGR5500（検査方式はDie to Database、広視野電子顕微鏡画像）があります。
Q.蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズはどこのメーカー？
蛍光検査装置 INSPECTRA PLシリーズは東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社の製品です。電子線式と光学式の半導体ウェーハ検査装置を扱う会社で、本社は神奈川県横浜市にあります。

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