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半導体の製造や研究で基板に使うシリコンウェーハを選ぶ、開発・生産技術・購買の担当の方へ

シリコンウェーハのメーカー8社比較【2026年】

シリコンウェーハは、半導体デバイスを作る
シリコン単結晶の薄い円板です。

ABOUT

シリコンウェーハとは

比較表を見る ↓

シリコンウェーハとは、半導体デバイスの基板に使う、シリコン単結晶の薄い円板です。
インゴットを薄く切って磨いたポリッシュトのほか、
エピタキシャル・SOI・再生のウェーハがあります。
シリコンウエハー・Siウェハとも呼びます。

製品の特長

  • 直径で選べる研究用の12.5mmから300mmまで
  • 結晶の作り方で選べるCZ・MCZ・⁠⁠⁠⁠⁠⁠FZ
  • 表面の作りで選べる鏡面・エピ層・SOI構造

使うメリット

  • デバイスに合う基板を選べるエピ・SOI・アニール
  • 試作は小口から始められるハーフインチは40枚入りケース単位
  • テスト用のウェーハを再生して使える使用済みを磨き直す

選ぶときに注意すること

  1. 直径・製法・面方位・導電型・抵抗率・厚さをそろえて見積もる
  2. 公開価格はほとんど無い。枚数と仕様を伝えて見積もりを取る
  3. FZは酸素が少なく、抵抗率の高い結晶を作れる。CZとは使い分ける
  4. SOIは、活性層・酸化膜・基板の3つの厚さを決める
  5. 再生ウェーハは使用済みを磨き直したもの。使い道を決めて頼む

※仕様は各メーカーの公式の製品ページと会社案内による。作り方と種類の説明は、SUMCOとグローバルウェーハズ・ジャパンの製品情報による。

LIST

シリコンウェーハの比較表

コストは、値段を公開している製品どうしで比べています。値段を出していない製品は「要見積」。

CSV

シリコンウェーハ11製品の比較
製品・メーカーコスト製品の強み仕様公式ページ

鏡面のポリッシュトウェーハ

5製品
株式会社RS Technologiesプライムシリコンウェーハパワー半導体用の200mm基板口コミを書く要見積

中国の子会社(山東GRITEK)が⁠、インゴットの引き上げからウェーハ加工まで一貫して作ります。200mmを中心に125mmと150mmもそろえ、主にパワー半導体の製造に使われます。

種類
鏡面のポリッシュトウェーハ
直径
125mm、150mm、200mm
構造・仕上げ
インゴットの引き上げからウェーハ加工まで一貫製造
用途
パワー半導体
記載なし
結晶の製法・面方位・導電型・ドーパント・厚さ・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・販売単位
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
梅郷電子株式会社ベアウェーハ特殊な厚さの小口径を少量口コミを書く要見積

インゴットのスライスから鏡面研磨まで、自社で一貫して加工します。厚さ100μmの薄物から1000μmを超える厚物まで、2〜6インチを少量から作れます。

種類
鏡面のポリッシュトウェーハ
直径
2〜6インチ
厚さ
100μm〜1000μm超
構造・仕上げ
スライシングからポリッシングまで一貫加工
販売単位
少量から
記載なし
結晶の製法・面方位・導電型・ドーパント・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・⁠⁠⁠用途
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
グローバルウェーハズ⁠・ジャパン株式会社小口径両面研磨ウェーハMEMS・SAWフィルタの基板口コミを書く要見積

150mm以下の小口径で、裏面まで表面と同じように磨いた両面研磨のウェーハです。TTVは1.0μm以下で、MEMSやSAWフィルタの基板に使います。酸素が少なく抵抗率の高いFZの結晶も選べます。

種類
鏡面のポリッシュトウェーハ
直径
100mm、125mm、150mm
結晶の製法
CZ、MCZ、⁠⁠⁠FZ
面方位
(100)、(111)
導電型・ドーパント
N型(Phos.、Phos.(NTD)⁠、Sb)、P型(Boron)
厚さ
300〜1000μm
構造・仕上げ
両面研磨
平坦度
TTV1.0μm以下
用途
Detector、MEMS、SAW device
記載なし
抵抗率・活性層・酸化膜・販売単位
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
信越化学工業株式会社シリコンウエハーIC・センサー用の量産基板口コミを書く要見積

ラップドからポリッシュド・エピタキシャル・SOI・アニールまで、6つのシリーズを1社でそろえます。直径約30cmの単結晶からウエハーを作り、ICやイメージセンサー、ディスクリートの基板に使います。

種類
鏡面のポリッシュトウェーハ
直径
約30cm(単結晶の直径)
構造・仕上げ
ラップド、ポリッシュド、拡散、エピタキシャル、SOI、アニール
用途
IC用基板、イメージセンサー用基板、ディスクリート用基板、センサー用基板
記載なし
結晶の製法・面方位・導電型・ドーパント・厚さ・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・販売単位
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
長野電子工業株式会社ポリッシュドウエハーSEH製インゴットの鏡面ウエハー口コミを書く要見積

SEH(信越半導体)の単結晶インゴットを、自社のラインでポリッシュドウエハーに磨き上げます。直径100〜300mmの製造ラインを持ち、レーザーマークなどの特殊加工もします。

種類
鏡面のポリッシュトウェーハ
直径
100〜300mm
結晶の製法
FZ、CZ
構造・仕上げ
鏡面研磨(SUPER FLAT)
記載なし
面方位・導電型・ドーパント・厚さ・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・販売単位・⁠⁠⁠用途
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様

エピタキシャルウェーハ

1製品
株式会社SUMCOエピタキシャル・ウェーハ⁠(EW)表面の品質を上げたい基板口コミを書く要見積

磨いたウェーハの表面に、単結晶シリコンの層を気相成長させたウェーハです。SUMCOは同じ一覧で、IC用の埋め込み層を作ってからエピ層を重ねる埋込層付エピタキシャル・ウェーハ(JIW)も出しています。

種類
エピタキシャルウェーハ
結晶の製法
CZ、MCZ、⁠⁠⁠FZ
構造・仕上げ
ポリッシュト・ウェーハの表面に単結晶シリコン層を気相成長
記載なし
直径・面方位・導電型・ドーパント・厚さ・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・販売単位・⁠⁠⁠用途
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様

SOIウェーハ

2製品
グローバルウェーハズ⁠・ジャパン株式会社厚膜SOIウェーハパワーデバイス・MEMSの基板口コミを書く要見積

テラス部を無くした貼り合わせのSOIで、ふつうのウェーハと同じように扱えます。活性層は3.0〜300.0μmで、パワーデバイスやMEMSの基板に使います。

種類
SOIウェーハ
直径
100mm、125mm、150mm
面方位
(100)、(111)、(110)
導電型・ドーパント
N型(Phos.、Sb)、P型(Boron)
厚さ
基板250〜625μm
構造・仕上げ
貼り合わせSOI、テラスフリー
活性層・酸化膜
活性層3.0〜300.0μm、中間酸化膜2.0μm以下
用途
パワーデバイス、MEMS
記載なし
結晶の製法・抵抗率・平坦度・販売単位
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
株式会社Hundred SemiconductorsハーフインチSOIウェハ Si(100)ミニマルファブでのSOI試作口コミを書く要見積

直径12.5mmのハーフインチで、SOI構造のウェハも作ります。n型とp型があり、層の厚さなどの細かい仕様は相談して決めます。

種類
SOIウェーハ
直径
12.5mm
面方位
(100)
導電型・ドーパント
n型、p型
厚さ
0.25mm(標準)
構造・仕上げ
SOI(詳細は要相談)
販売単位
40枚入りケース1個単位
記載なし
結晶の製法・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・⁠⁠⁠用途
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様

研究用・再生ウェーハ

3製品
株式会社RS Technologies再生ウェーハ(再生加工)テスト・ダミー用の再生口コミを書く要見積

研磨の量を最小限にして、同じウェーハを再生できる回数を増やします。独自の脱Cu技術で金属不純物を落とし、新品と同じ清浄度まで再生します。

種類
研究用・再生ウェーハ
構造・仕上げ
使用済みウェーハの脱膜・研磨・⁠⁠⁠洗浄
記載なし
直径・結晶の製法・面方位・導電型・ドーパント・厚さ・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・販売単位・⁠⁠⁠用途
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
株式会社Hundred Semiconductorsハーフインチウェハ Si(100)ミニマルファブでの研究・⁠⁠⁠試作口コミを書く要見積

直径12.5mmのハーフインチウェハを、自社で作って売ります。40枚入りのケース1個から買え、一部の在庫品はすぐに届きます。

種類
研究用・再生ウェーハ
直径
12.5mm
面方位
(100)
導電型・ドーパント
n型、p型
厚さ
0.25mm(標準)
抵抗率
要相談
販売単位
40枚入りケース1個単位
用途
実験、研究、小ロット製造
記載なし
結晶の製法・構造・仕上げ・活性層・酸化膜・平坦度
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
三益半導体工業株式会社再生ウエハーテスト・ダミー用の再生口コミを書く要見積

シリコンウエハーの加工を長く続けてきた会社で、使用済みウエハーの再生も手がけます。公式サイトでは、再生ウエハーで世界一のシェアと案内しています。

種類
研究用・再生ウェーハ
構造・仕上げ
使用済みウエハーの再生加工
記載なし
直径・結晶の製法・面方位・導電型・ドーパント・厚さ・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・販売単位・⁠⁠⁠用途
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様

鏡面のポリッシュトウェーハ5製品

株式会社RS Technologies

プライムシリコンウェーハ

パワー半導体用の200mm基板

中国の子会社(山東GRITEK)が⁠、インゴットの引き上げからウェーハ加工まで一貫して作ります。200mmを中心に125mmと150mmもそろえ、主にパワー半導体の製造に使われます。

コスト要見積

種類
鏡面のポリッシュトウェーハ
直径
125mm、150mm、200mm
構造・仕上げ
インゴットの引き上げからウェーハ加工まで一貫製造
用途
パワー半導体
記載なし
結晶の製法・面方位・導電型・ドーパント・厚さ・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・販売単位
公式ページへ
梅郷電子株式会社

ベアウェーハ

特殊な厚さの小口径を少量

インゴットのスライスから鏡面研磨まで、自社で一貫して加工します。厚さ100μmの薄物から1000μmを超える厚物まで、2〜6インチを少量から作れます。

コスト要見積

種類
鏡面のポリッシュトウェーハ
直径
2〜6インチ
厚さ
100μm〜1000μm超
構造・仕上げ
スライシングからポリッシングまで一貫加工
販売単位
少量から
記載なし
結晶の製法・面方位・導電型・ドーパント・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・⁠⁠⁠用途
公式ページへ
グローバルウェーハズ⁠・ジャパン株式会社

小口径両面研磨ウェーハ

MEMS・SAWフィルタの基板

150mm以下の小口径で、裏面まで表面と同じように磨いた両面研磨のウェーハです。TTVは1.0μm以下で、MEMSやSAWフィルタの基板に使います。酸素が少なく抵抗率の高いFZの結晶も選べます。

コスト要見積

種類
鏡面のポリッシュトウェーハ
直径
100mm、125mm、150mm
結晶の製法
CZ、MCZ、⁠⁠⁠FZ
面方位
(100)、(111)
導電型・ドーパント
N型(Phos.、Phos.(NTD)⁠、Sb)、P型(Boron)
厚さ
300〜1000μm
構造・仕上げ
両面研磨
平坦度
TTV1.0μm以下
用途
Detector、MEMS、SAW device
記載なし
抵抗率・活性層・酸化膜・販売単位
公式ページへ
信越化学工業株式会社

シリコンウエハー

IC・センサー用の量産基板

ラップドからポリッシュド・エピタキシャル・SOI・アニールまで、6つのシリーズを1社でそろえます。直径約30cmの単結晶からウエハーを作り、ICやイメージセンサー、ディスクリートの基板に使います。

コスト要見積

種類
鏡面のポリッシュトウェーハ
直径
約30cm(単結晶の直径)
構造・仕上げ
ラップド、ポリッシュド、拡散、エピタキシャル、SOI、アニール
用途
IC用基板、イメージセンサー用基板、ディスクリート用基板、センサー用基板
記載なし
結晶の製法・面方位・導電型・ドーパント・厚さ・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・販売単位
公式ページへ
長野電子工業株式会社

ポリッシュドウエハー

SEH製インゴットの鏡面ウエハー

SEH(信越半導体)の単結晶インゴットを、自社のラインでポリッシュドウエハーに磨き上げます。直径100〜300mmの製造ラインを持ち、レーザーマークなどの特殊加工もします。

コスト要見積

種類
鏡面のポリッシュトウェーハ
直径
100〜300mm
結晶の製法
FZ、CZ
構造・仕上げ
鏡面研磨(SUPER FLAT)
記載なし
面方位・導電型・ドーパント・厚さ・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・販売単位・⁠⁠⁠用途
公式ページへ

エピタキシャルウェーハ1製品

株式会社SUMCO

エピタキシャル・ウェーハ⁠(EW)

表面の品質を上げたい基板

磨いたウェーハの表面に、単結晶シリコンの層を気相成長させたウェーハです。SUMCOは同じ一覧で、IC用の埋め込み層を作ってからエピ層を重ねる埋込層付エピタキシャル・ウェーハ(JIW)も出しています。

コスト要見積

種類
エピタキシャルウェーハ
結晶の製法
CZ、MCZ、⁠⁠⁠FZ
構造・仕上げ
ポリッシュト・ウェーハの表面に単結晶シリコン層を気相成長
記載なし
直径・面方位・導電型・ドーパント・厚さ・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・販売単位・⁠⁠⁠用途
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SOIウェーハ2製品

グローバルウェーハズ⁠・ジャパン株式会社

厚膜SOIウェーハ

パワーデバイス・MEMSの基板

テラス部を無くした貼り合わせのSOIで、ふつうのウェーハと同じように扱えます。活性層は3.0〜300.0μmで、パワーデバイスやMEMSの基板に使います。

コスト要見積

種類
SOIウェーハ
直径
100mm、125mm、150mm
面方位
(100)、(111)、(110)
導電型・ドーパント
N型(Phos.、Sb)、P型(Boron)
厚さ
基板250〜625μm
構造・仕上げ
貼り合わせSOI、テラスフリー
活性層・酸化膜
活性層3.0〜300.0μm、中間酸化膜2.0μm以下
用途
パワーデバイス、MEMS
記載なし
結晶の製法・抵抗率・平坦度・販売単位
公式ページへ
株式会社Hundred Semiconductors

ハーフインチSOIウェハ Si(100)

ミニマルファブでのSOI試作

直径12.5mmのハーフインチで、SOI構造のウェハも作ります。n型とp型があり、層の厚さなどの細かい仕様は相談して決めます。

コスト要見積

種類
SOIウェーハ
直径
12.5mm
面方位
(100)
導電型・ドーパント
n型、p型
厚さ
0.25mm(標準)
構造・仕上げ
SOI(詳細は要相談)
販売単位
40枚入りケース1個単位
記載なし
結晶の製法・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・⁠⁠⁠用途
公式ページへ

研究用・再生ウェーハ3製品

株式会社RS Technologies

再生ウェーハ(再生加工)

テスト・ダミー用の再生

研磨の量を最小限にして、同じウェーハを再生できる回数を増やします。独自の脱Cu技術で金属不純物を落とし、新品と同じ清浄度まで再生します。

コスト要見積

種類
研究用・再生ウェーハ
構造・仕上げ
使用済みウェーハの脱膜・研磨・⁠⁠⁠洗浄
記載なし
直径・結晶の製法・面方位・導電型・ドーパント・厚さ・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・販売単位・⁠⁠⁠用途
公式ページへ
株式会社Hundred Semiconductors

ハーフインチウェハ Si(100)

ミニマルファブでの研究・⁠⁠⁠試作

直径12.5mmのハーフインチウェハを、自社で作って売ります。40枚入りのケース1個から買え、一部の在庫品はすぐに届きます。

コスト要見積

種類
研究用・再生ウェーハ
直径
12.5mm
面方位
(100)
導電型・ドーパント
n型、p型
厚さ
0.25mm(標準)
抵抗率
要相談
販売単位
40枚入りケース1個単位
用途
実験、研究、小ロット製造
記載なし
結晶の製法・構造・仕上げ・活性層・酸化膜・平坦度
公式ページへ
三益半導体工業株式会社

再生ウエハー

テスト・ダミー用の再生

シリコンウエハーの加工を長く続けてきた会社で、使用済みウエハーの再生も手がけます。公式サイトでは、再生ウエハーで世界一のシェアと案内しています。

コスト要見積

種類
研究用・再生ウェーハ
構造・仕上げ
使用済みウエハーの再生加工
記載なし
直径・結晶の製法・面方位・導電型・ドーパント・厚さ・抵抗率・活性層・酸化膜・平坦度・販売単位・⁠⁠⁠用途
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Q&A

シリコンウェーハ選びで、よくある疑問

購買担当の疑問シリコンウェーハの価格は、いくら?

このページの製品は、どれも公式に値段を出していません。直径・結晶の製法・面方位・導電型・抵抗率・厚さと枚数を伝えて、見積もりを取ります。Hundred Semiconductorsのハーフインチウェハは、40枚入りケース1個単位で売っています。

設備担当の疑問シリコンウェーハの種類と違いは?

鏡面に磨いたポリッシュト、表面に単結晶の層を重ねたエピタキシャル、酸化膜を挟んで貼り合わせたSOI、熱処理で表面を整えたアニール、使用済みを磨き直した再生があります。信越化学工業は、ラップド・ポリッシュド・拡散・エピタキシャル・SOI・アニールの6つのシリーズを出しています。

設備担当の疑問シリコンウェーハのサイズ(直径・インチ)⁠⁠⁠は⁠?

研究用のハーフインチ(直径12.5mm)⁠か⁠ら300mmまであります。長野電子工業は100〜300mmの製造ラインを持ち、RS Technologiesは125mm・150mm・200mm、グローバルウェーハズ・ジャパンの両面研磨ウェーハは100〜150mmです。梅郷電子は2〜6インチを加工します。

設備担当の疑問シリコンウェーハの厚さは?

SUMCOの説明では、インゴットを厚さ1mm程度に切ってから磨きます。グローバルウェーハズ・ジャパンの両面研磨ウェーハは300〜1000μm、梅郷電子は100μmの薄物から1000μmを超える厚物まで加工します。ハーフインチウェハの標準は0.25mmです。

工場長の疑問CZ法とFZ法の違いは?

CZ法は、ルツボで溶かしたシリコンに種結晶をつけ、回しながら引き上げて単結晶を作ります。FZ法は石英ルツボを使わないので、酸素の少ない単結晶ができます。グローバルウェーハズ・ジャパンは、FZ法を酸素が極めて少なく抵抗率を高くできる製法として案内しています。

設備担当の疑問エピタキシャルウェーハとは?

鏡面ウェーハの表面に、単結晶シリコンの層を気相成長させたウェーハです。SUMCOはエピタキシャル・ウェーハ(EW)のほか、IC用の埋め込み層を作ってから層を重ねる埋込層付エピタキシャル・ウェーハ(JIW)も出しています。トランジスタやダイオードなどの個別素子、ICの基板に使います。

設備担当の疑問SOIウェーハとは?

2枚のウェーハのあいだに酸化膜を挟んで貼り合わせたウェーハです。グローバルウェーハズ・ジャパンの厚膜SOIウェーハは、活性層3.0〜300.0μm、中間酸化膜2.0μm以下、基板250〜625μmです。ふつうの貼り合わせSOIは端のテラスがウェーハ面積の約10%を占めることがあり、同社はこれを無くしています。

経営者の疑問パワー半導体(IGBT)⁠用⁠のシリコンウェーハは?

RS Technologiesのプライムシリコンウェーハは200mmが中心で、主にパワー半導体の製造に使われます。グローバルウェーハズ・ジャパンの拡散ウェーハはパワーMOS-FETやIGBTに使われ、厚膜SOIウェーハもパワーデバイスに採用されています。

経営者の疑問再生ウェーハとは?シェアが大きいメーカーは?

使用済みのウェーハから膜を落とし、磨いて洗い直したウェーハです。RS Technologiesは、新品と同じ清浄度まで再生できると案内しています。三益半導体工業は公式サイトで、再生ウエハーで世界一のシェアと案内しています。

総務の疑問研究用に少しだけ買える?

Hundred Semiconductorsは、直径12.5mmのハーフインチウェハを40枚入りケース1個単位で売り、納期は2か月、一部の在庫品は即納です。梅郷電子は、2〜6インチを少量から加工します。グローバルウェーハズ・ジャパンも、詳しい仕様は個別に相談を受けます。

施設管理の疑問面方位・導電型・抵抗率はどう指定する?

面方位は(100)と(111)が中心です。グローバルウェーハズ・ジャパンの厚膜SOIは、(110)も相談できます。導電型はN型(リン・アンチモン)とP型(ボロン)⁠で⁠す⁠。抵抗率は、ハーフインチウェハのように相談で決めるものが多くあります。

TYPES

シリコンウェーハの種類の違い

ボタンを押すと、表がその種類の製品だけになります。

鏡面のポリッシュトウェーハ

単結晶のインゴットを薄く切り、表面を鏡面に磨いたウェーハです。いちばん基本の形で、両面を磨いたものや、熱処理で表面を整えたアニールウェーハもここに入れました。

向いている使い方

  • IC・メモリーの量産基板
  • MEMS・センサーの両面研磨
  • パワー半導体の200mm基板

根拠:単結晶インゴットを厚さ 1mm 程度にスライスし、その表面を鏡面研磨。(出典1)

この種類の5製品を表で見る

エピタキシャルウェーハ

鏡面ウェーハの表面に、単結晶シリコンの層を気相成長させたウェーハです。トランジスタやダイオードなどの個別素子、バイポーラやMOSのICの基板に使います。

向いている使い方

  • ディスクリート・パワー素子
  • バイポーラ・MOSのIC
  • 表面の品質を上げたい

根拠:ポリッシュトウェーハの表面に所要規格のシリコン単結晶を気相成長させたエピタキシャルウェーハは、トランジスタ、ダイオードなどの個別素子、(出典3)

この種類の1製品を表で見る

SOIウェーハ

2枚のウェーハのあいだに、電気を通しにくい酸化膜を挟んで貼り合わせたウェーハです。上の薄いシリコン層(活性層)にデバイスを作ります。パワーデバイスやMEMSに使います。

向いている使い方

  • 高耐圧のパワーデバイス
  • MEMSの深掘りエッチング
  • ミニマルファブでのSOI試作

根拠:2枚のポリッシュト・ウェーハの間に電気絶縁性の高い酸化膜層を介在させ、貼り合わせたウェーハ。(出典1)

この種類の2製品を表で見る

研究用・再生ウェーハ

研究や試作に使う小口径・小口のウェーハと、使用済みのウェーハを磨き直した再生ウェーハです。直径12.5mmのハーフインチウェハは、40枚入りのケースで買えます。再生ウェーハは、使用済みのウェーハから膜を落として磨き、洗い直します。

向いている使い方

  • 大学・研究所の実験
  • ミニマルファブでの試作
  • 使用済みウェーハの再生

根拠:独自の脱膜技術に加え、最先端の設備および高水準の研磨・洗浄技術により高品質の再生ウェーハを提供します。(出典11)

この種類の3製品を表で見る
MAKERS

シリコンウェーハの主なメーカー8社

シリコンウェーハの主なメーカーは、次の8社です。社名を押すと、その会社のページ(ほかの製品と所在地)に移ります。

株式会社RS Technologies

中国の子会社(山東GRITEK)が⁠、インゴットの引き上げからウェーハ加工まで一貫して作ります。

東京都

梅郷電子株式会社

インゴットのスライスから鏡面研磨まで、自社で一貫して加工します。

千葉県

グローバルウェーハズ⁠・ジャパン株式会社

150mm以下の小口径で、裏面まで表面と同じように磨いた両面研磨のウェーハです。

新潟県

株式会社SUMCO

磨いたウェーハの表面に、単結晶シリコンの層を気相成長させたウェーハです。

東京都

信越化学工業株式会社

ラップドからポリッシュド・エピタキシャル・SOI・アニールまで、6つのシリーズを1社でそろえます。

東京都

長野電子工業株式会社

SEH(信越半導体)の単結晶インゴットを、自社のラインでポリッシュドウエハーに磨き上げます。

長野県

株式会社Hundred Semiconductors

直径12.5mmのハーフインチで、SOI構造のウェハも作ります。

千葉県

三益半導体工業株式会社

シリコンウエハーの加工を長く続けてきた会社で、使用済みウエハーの再生も手がけます。

群馬県

この比較表のデータ:CSV・JSON(出典を明記すれば引用できます)

掲載基準と並び順

掲載基準:半導体デバイスの製造や研究で基板に使う単結晶のシリコンウェーハ(鏡面のポリッシュト・アニール・両面研磨、エピタキシャル、SOI、研究用の小口径、再生ウェーハ)で⁠、自社かグループ会社が結晶からウェーハを作るか、ウェーハに加工・再生する会社が、公式サイトで今案内している品です。各社の代表の品種を1社2製品まで載せています。シリコン以外の基板(SiC・GaN・サファイア・石英・化合物⁠)⁠、多結晶シリコンやインゴットだけの販売、太陽電池用、膜付き・パターン付きのテストウエハの加工だけのもの、完成したICやパワー半導体の素子(パワー半導体の比較)、ウェーハを処理する装置(半導体製造装置・半導体用ステッパーの比較⁠)⁠、研磨剤は載せていません。ウェーハを仕入れて売る商社・代理店(吉永商事・オルビリンク・D&X・三谷産業・トリニティー・武蔵野物産・キャノシスなど⁠)⁠、自社の仕事をシリコンウエハの販売と案内している日本ケミコン・TECOM、測定器メーカーが評価して売る抵抗率基準ウエハー(ナプソン)、日本法人を公式サイトで確かめられなかった合晶科技(Wafer Works)とIceMOS Technologyも載せていません。並びは種類ごとに会社の五十音順です。

並び順:種類ごとに分け、その中はメーカー名の五十音順です。おすすめ順ではなく、掲載料で順番は変えません。

シリコンウェーハを作っているメーカーの方へ:掲載・訂正のご依頼(掲載は無料です)

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