厚膜SOIウェーハグローバルウェーハズ⁠・ジャパン株式会社

仕様

向いている所：パワーデバイス・MEMSの基板

種類

SOIウェーハ

直径

100mm、125mm、150mm

結晶の製法

—公式資料で確認できず

面方位

(100)、(111)、(110)

導電型・ドーパント

N型（Phos.、Sb）、P型（Boron）

厚さ

基板250〜625μm

価格

—公式資料で確認できず

抵抗率

—公式資料で確認できず

構造・仕上げ

貼り合わせSOI、テラスフリー

活性層・酸化膜

活性層3.0〜300.0μm、中間酸化膜2.0μm以下

平坦度

—公式資料で確認できず

販売単位

—公式資料で確認できず

用途

パワーデバイス、MEMS

— は公式の資料で確かめられなかった項目です。

(111)と(110)は別に相談。活性層とBOX層を2組持つDouble Layer SOIも開発しています。

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