電源・インバータを設計する方へ

パワー半導体のメーカー8社比較【2026年】

パワー半導体は、電源やインバータの中で電力を変換・制御する半導体です。

ABOUT

パワー半導体とは

パワー半導体とは、パワーデバイスとも呼ばれ、電源やインバータの中で電力を変換・制御する半導体です。
IGBT・パワーダイオード・サイリスタなどがあります。
この比較は素子・モジュールの型式で並べています。
MOSFETと完成インバータは別の比較で扱います。

製品の特長

スイッチング・整流・位相制御で素子が分かれる
単体素子と、複数の素子をまとめたモジュールがある
耐圧・電流・導通電圧は型式ごとに違う

使うメリット

用途に合う電力変換回路を組める
モジュールなら素子をまとめた形で回路を組める
回復特性や導通電圧から、損失を検討できる

選ぶときに注意すること

耐圧を使用電圧と同じ意味で読まない
電流はケース温度・波形・放熱条件まで合わせる
導通電圧の標準値と最大値を分ける
許容損失PDと実動作の損失を混同しない
接合部温度・安全動作領域・ゲート駆動も確認する

※定義はサンケン電気の基礎解説、仕様は各メーカーの公式資料によります。損失に関わる値の条件は製品ごとに異なります。

LIST

パワー半導体の比較表

コストは、値段を公開している製品どうしで比べています。値段を出していない製品は「要見積」。

CSV

パワー半導体8製品の比較
製品・メーカー	コスト	製品の強み	仕様	公式ページ
IGBT 3製品
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社IGBT IKW40N120H3UPS・溶接用コンバータへ口コミを書く	要見積	逆並列ダイオードを内蔵するIGBTです。UPS・溶接用コンバータ・高い周波数で動く電力変換回路向けに案内しています。	素子の種類 IGBT 素子種・⁠⁠⁠構成 IGBT、逆並列ダイオード内蔵耐圧 VCE 1200V 定格電流 IC 80A、Tc=25°C、40A、Tc=100°C 導通特性・許容損失 VCEsat 標準2.05V、最大2.4V、IC=40A、VGE=15V、Tvj=25°C スイッチング特性 Eon 標準3.2mJ、Eoff 標準1.2mJ、VCC=600V、IC=40A、Tvj=25°C、VGE=0〜15V、RG=12Ω パッケージ PG-TO247-⁠3 接合部温度最大接合温度175°C	公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様カタログ（PDF）
富士電機株式会社IGBTモジュール 2MBI100XAA120-⁠50モータ駆動・UPSの電力変換へ口コミを書く	要見積	XシリーズのIGBTをまとめたモジュールです。モータ駆動用インバータ・サーボドライブ・UPS・溶接機向けに案内しています。	素子の種類 IGBT 素子種・⁠⁠⁠構成 IGBT、2-in-⁠1 耐圧 VCES 1200V 定格電流 IC 100A 導通特性・許容損失 VCE(sat) 1.4V、公式一覧値パッケージ M263、Standard、タブ端子記載なしスイッチング特性・接合部温度	公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様カタログ（PDF）
三菱電機株式会社IGBTモジュール CM100DY-24Tインバータ・サーボアンプへ口コミを書く	要見積	IGBTを組み込んだ絶縁形モジュールです。インバータ装置・サーボアンプ・電源装置向けに案内しています。	素子の種類 IGBT 素子種・⁠⁠⁠構成 IGBTモジュール、2素子入り耐圧 VCES 1200V 定格電流 IC 100A、直流、TC=147°C 導通特性・許容損失 VCEsat 標準1.65V、最大1.95V、IC=100A、VGE=15V、Tvj=25°C パッケージフラットベース形、タブ端子接合部温度最大接合温度175°C、瞬時動作記載なしスイッチング特性	公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様カタログ（PDF）
パワーダイオード 4製品
サンケン電気株式会社高速整流ダイオード FMNS-1106SPFC・フリーホイール回路へ口コミを書く	要見積	PFC回路とフリーホイール用の高速整流ダイオードです。絶縁型のパッケージで、降圧・昇降圧コンバータにも使います。	素子の種類パワーダイオード素子種・⁠⁠⁠構成高速整流ダイオード耐圧 VRM 600V 定格電流 IF(AV) 10A、ディレーティング曲線参照導通特性・許容損失 VF 最大1.3V、IF=10A、TJ=25°C スイッチング特性 trr1 最大100ns、IF=IRP=100mA、TJ=25°C、90%回復点パッケージ TO220F-2L 接合部温度 TJ −40〜150°C	公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様カタログ（PDF）
新電元工業株式会社ブリッジダイオード D30XB80電源入力のブリッジ整流へ口コミを書く	要見積	放熱器を取り付けるSIP形のブリッジダイオードです。基板だけで使うときと放熱器を付けたときで、平均順電流の定格が変わります。	素子の種類パワーダイオード素子種・⁠⁠⁠構成ブリッジダイオード耐圧 VRRM 800V 定格電流 IF(AV) 30A、Tc=87°C、放熱器あり、60Hz 導通特性・許容損失 VF 最大1.05V、IF=15A、パルス、素子当たりスイッチング特性 trr 最大27000ns、IF=IR=0.1A、0.1IR、素子当たりパッケージ 5S、Compact SIP 接合部温度 Tj −55〜150°C	公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様カタログ（PDF）
セミクロンダンフォス株式会社整流ダイオードモジュール SKKD 100/12ACモータ制御の入力整流へ口コミを書く	要見積	絶縁金属ベース板を持つ整流用モジュールです。交流モータ制御器の入力整流や直流モータの界磁電源向けに案内しています。	素子の種類パワーダイオード素子種・⁠⁠⁠構成整流ダイオードモジュール耐圧 1200V 定格電流 100A、公式製品ページ値パッケージ SEMIPACK 1 記載なし導通特性・許容損失・スイッチング特性・接合部温度	公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
ローム株式会社SiCショットキーバリアダイオード SCS320AMPFC・データセンター電源へ口コミを書く	要見積	SiC製のショットキー型ダイオードです。PFC昇圧回路・二次側整流・データセンター・太陽光発電用パワーコンディショナ向けに案内しています。	素子の種類パワーダイオード素子種・⁠⁠⁠構成 SiCショットキーバリアダイオード耐圧 VR 650V 定格電流 IF 20A、Tc=40°C 導通特性・許容損失許容損失PD 41W、条件はデータシート参照パッケージ TO-220FM-2LGE 接合部温度最大接合温度175°C 記載なしスイッチング特性	公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様カタログ（PDF）
サイリスタ（SCR） 1製品
ビシェイジャパン株式会社サイリスタ VS-40TPS12AL-⁠M3モータ制御・UPSの位相制御へ口コミを書く	要見積	交流電力の整流と位相制御に使う単体SCRです。モータ制御・UPS・溶接・充電回路の入力整流やソフトスタート向けに案内しています。	素子の種類サイリスタ（SCR）素子種・⁠⁠⁠構成サイリスタ、Single SCR 耐圧 VDRM・VRRM 1200V 定格電流 IT(AV) 35A、TC=79°C、180°半波正弦波導通特性・許容損失 VT 1.45V、IT=40A、TJ=25°C パッケージ TO-247AD 3L 接合部温度 TJ −40〜125°C 記載なしスイッチング特性	公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様カタログ（PDF）

IGBT3製品

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

IGBT IKW40N120H3

UPS・溶接用コンバータへ

逆並列ダイオードを内蔵するIGBTです。UPS・溶接用コンバータ・高い周波数で動く電力変換回路向けに案内しています。

コスト要見積

素子の種類: IGBT
素子種・⁠⁠⁠構成: IGBT、逆並列ダイオード内蔵
耐圧: VCE 1200V
定格電流: IC 80A、Tc=25°C、40A、Tc=100°C
導通特性・許容損失: VCEsat 標準2.05V、最大2.4V、IC=40A、VGE=15V、Tvj=25°C
スイッチング特性: Eon 標準3.2mJ、Eoff 標準1.2mJ、VCC=600V、IC=40A、Tvj=25°C、VGE=0〜15V、RG=12Ω
パッケージ: PG-TO247-⁠3
接合部温度: 最大接合温度175°C

公式ページへ

詳細・⁠⁠⁠仕様カタログ（PDF）口コミを書く

富士電機株式会社

IGBTモジュール 2MBI100XAA120-⁠50

モータ駆動・UPSの電力変換へ

XシリーズのIGBTをまとめたモジュールです。モータ駆動用インバータ・サーボドライブ・UPS・溶接機向けに案内しています。

コスト要見積

素子の種類: IGBT
素子種・⁠⁠⁠構成: IGBT、2-in-⁠1
耐圧: VCES 1200V
定格電流: IC 100A
導通特性・許容損失: VCE(sat) 1.4V、公式一覧値
パッケージ: M263、Standard、タブ端子
記載なし: スイッチング特性・接合部温度

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三菱電機株式会社

IGBTモジュール CM100DY-24T

インバータ・サーボアンプへ

IGBTを組み込んだ絶縁形モジュールです。インバータ装置・サーボアンプ・電源装置向けに案内しています。

コスト要見積

素子の種類: IGBT
素子種・⁠⁠⁠構成: IGBTモジュール、2素子入り
耐圧: VCES 1200V
定格電流: IC 100A、直流、TC=147°C
導通特性・許容損失: VCEsat 標準1.65V、最大1.95V、IC=100A、VGE=15V、Tvj=25°C
パッケージ: フラットベース形、タブ端子
接合部温度: 最大接合温度175°C、瞬時動作
記載なし: スイッチング特性

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パワーダイオード4製品

サンケン電気株式会社

高速整流ダイオード FMNS-1106S

PFC・フリーホイール回路へ

PFC回路とフリーホイール用の高速整流ダイオードです。絶縁型のパッケージで、降圧・昇降圧コンバータにも使います。

コスト要見積

素子の種類: パワーダイオード
素子種・⁠⁠⁠構成: 高速整流ダイオード
耐圧: VRM 600V
定格電流: IF(AV) 10A、ディレーティング曲線参照
導通特性・許容損失: VF 最大1.3V、IF=10A、TJ=25°C
スイッチング特性: trr1 最大100ns、IF=IRP=100mA、TJ=25°C、90%回復点
パッケージ: TO220F-2L
接合部温度: TJ −40〜150°C

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新電元工業株式会社

ブリッジダイオード D30XB80

電源入力のブリッジ整流へ

放熱器を取り付けるSIP形のブリッジダイオードです。基板だけで使うときと放熱器を付けたときで、平均順電流の定格が変わります。

コスト要見積

素子の種類: パワーダイオード
素子種・⁠⁠⁠構成: ブリッジダイオード
耐圧: VRRM 800V
定格電流: IF(AV) 30A、Tc=87°C、放熱器あり、60Hz
導通特性・許容損失: VF 最大1.05V、IF=15A、パルス、素子当たり
スイッチング特性: trr 最大27000ns、IF=IR=0.1A、0.1IR、素子当たり
パッケージ: 5S、Compact SIP
接合部温度: Tj −55〜150°C

公式ページへ

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セミクロンダンフォス株式会社

整流ダイオードモジュール SKKD 100/12

ACモータ制御の入力整流へ

絶縁金属ベース板を持つ整流用モジュールです。交流モータ制御器の入力整流や直流モータの界磁電源向けに案内しています。

コスト要見積

素子の種類: パワーダイオード
素子種・⁠⁠⁠構成: 整流ダイオードモジュール
耐圧: 1200V
定格電流: 100A、公式製品ページ値
パッケージ: SEMIPACK 1
記載なし: 導通特性・許容損失・スイッチング特性・接合部温度

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ローム株式会社

SiCショットキーバリアダイオード SCS320AM

PFC・データセンター電源へ

SiC製のショットキー型ダイオードです。PFC昇圧回路・二次側整流・データセンター・太陽光発電用パワーコンディショナ向けに案内しています。

コスト要見積

素子の種類: パワーダイオード
素子種・⁠⁠⁠構成: SiCショットキーバリアダイオード
耐圧: VR 650V
定格電流: IF 20A、Tc=40°C
導通特性・許容損失: 許容損失PD 41W、条件はデータシート参照
パッケージ: TO-220FM-2LGE
接合部温度: 最大接合温度175°C
記載なし: スイッチング特性

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サイリスタ（SCR）1製品

ビシェイジャパン株式会社

サイリスタ VS-40TPS12AL-⁠M3

モータ制御・UPSの位相制御へ

交流電力の整流と位相制御に使う単体SCRです。モータ制御・UPS・溶接・充電回路の入力整流やソフトスタート向けに案内しています。

コスト要見積

素子の種類: サイリスタ（SCR）
素子種・⁠⁠⁠構成: サイリスタ、Single SCR
耐圧: VDRM・VRRM 1200V
定格電流: IT(AV) 35A、TC=79°C、180°半波正弦波
導通特性・許容損失: VT 1.45V、IT=40A、TJ=25°C
パッケージ: TO-247AD 3L
接合部温度: TJ −40〜125°C
記載なし: スイッチング特性

公式ページへ

詳細・⁠⁠⁠仕様カタログ（PDF）口コミを書く

出典：メーカー図鑑 https://makerzukan.jp/c/denki/power-semiconductor/／各社の公式資料（2026年10月28日確認）。全項目は CSV（https://makerzukan.jp/data/power-semiconductor.csv）

Q&A

パワー半導体選びで、よくある疑問

購買担当の疑問パワー半導体の価格は？

掲載資料には購入価格の記載がありません。品番・数量・納期を伝え、メーカーに見積もりを求めます。

設備担当の疑問パワー半導体と普通の半導体の違いは？

電力の変換やモータの制御を担い、大きな電圧・電流を扱う点が違います。演算や記憶を担うCPU・メモリとは役割が異なります。

設備担当の疑問IGBT・ダイオード・サイリスタの使い分けは？

スイッチングにはIGBT、整流や還流にはダイオード、位相制御にはサイリスタを使います。CM100DY-24Tはインバータなど、FMNS-1106SはPFCなど、VS-40TPS12AL-M3は位相制御などの用途で案内されています。

設備担当の疑問次世代パワー半導体のSiC・GaNやMOSFETはこの表に入る？

MOSFETは材料を問わず別のMOSFET比較へ分けます。SiCダイオードのSCS320AMはこの表に入りますが、GaN製品は掲載していません。SiC・GaNは材料の名前で、IGBT・ダイオードなどの素子の種類とは区別します。

工場長の疑問耐圧が同じなら置き換えられる？

耐圧だけでは決められません。IGBTのIKW40N120H3とサイリスタのVS-40TPS12AL-M3はどちらも1200Vですが、駆動と回路内の役割が違います。

設備担当の疑問定格電流はどの温度の値を比べる？

ケース温度と電流の定義を合わせます。IKW40N120H3はTc=25°Cで80A、Tc=100°Cで40Aなので、電流だけを抜き出すと比較を誤ります。

設備担当の疑問パワー半導体の世界シェアでメーカーを比較できる？

この表は世界シェアの順位ではなく、日本の製造元と日本法人を持つ海外メーカーの製品を、素子の種類ごとに会社の五十音順で並べています。掲載資料にはシェアの数値がなく、比較できるのは型式ごとの仕様と測定条件です。

施設管理の疑問放熱器なしで定格電流を流せる？

放熱条件を外して定格を使えません。D30XB80の30AはTc=87°Cで放熱器を付けた条件で、基板だけに取り付けた条件とは異なります。

工場長の疑問単体素子とモジュールはどう選ぶ？

実装方法と必要な回路構成で選びます。IKW40N120H3はPG-TO247-3の単体IGBT、2MBI100XAA120-50はIGBTをまとめたモジュールです。

購買担当の疑問サイリスタの品名の40Aと表の35Aが違うのはなぜ？

品名や見出しの電流と、平均オン電流は区別します。VS-40TPS12AL-M3の平均オン電流IT(AV)は35Aで、TC=79°C・180°半波正弦波の条件が付いています。

設備担当の疑問許容損失PDが大きいほど省エネになる？

PDは許容できる電力損失で、効率を示す数字ではありません。SCS320AMの41Wを、装置で常に消費する電力や他製品より低損失という意味には使いません。

TYPES

パワー半導体の素子の種類の違い

ボタンを押すと、表がその素子の種類の製品だけになります。

IGBT

ゲートで電流を切り替える素子です。インバータやUPSのスイッチング回路に使います。

使う回路

モータ駆動用インバータ
UPS・溶接用コンバータ

根拠：三菱電機はCM100DY-24Tの用途をインバータ装置・サーボアンプ・電源装置と案内しています。（出典2）

この素子の種類の3製品を表で見る

パワーダイオード

電流を一方向へ流す素子です。入力整流・PFC・還流など、回路の役割に合う整流方式と回復特性で選びます。

使う回路

電源入力のブリッジ整流
PFC・二次側整流
フリーホイール回路

根拠：FMNS-1106SはPFCとフリーホイール、SCS320AMはPFC昇圧と二次側整流に使います。（出典5）

この素子の種類の4製品を表で見る

サイリスタ（SCR）

ゲートを使って導通を始める素子です。交流入力の位相制御やソフトスタートに使います。

使う回路

モータ制御・UPSの交流入力
充電回路のソフトスタート

根拠：ビシェイはVS-40TPS12AL-M3を中電力のスイッチング・位相制御向けと案内しています。（出典9）

この素子の種類の1製品を表で見る

MAKERS

パワー半導体の主なメーカー8社

パワー半導体の主なメーカーは、次の8社です。社名を押すと、その会社のページ（ほかの製品と所在地）に移ります。

サンケン電気株式会社

PFC回路とフリーホイール用の高速整流ダイオードです。

埼玉県

高速整流ダイオード FMNS-1106S

新電元工業株式会社

放熱器を取り付けるSIP形のブリッジダイオードです。

東京都

ブリッジダイオード D30XB80

セミクロンダンフォス株式会社

絶縁金属ベース板を持つ整流用モジュールです。

東京都

整流ダイオードモジュール SKKD 100/12

ビシェイジャパン株式会社

交流電力の整流と位相制御に使う単体SCRです。

東京都

サイリスタ VS-40TPS12AL-⁠M3

富士電機株式会社

XシリーズのIGBTをまとめたモジュールです。

東京都

IGBTモジュール 2MBI100XAA120-⁠50

三菱電機株式会社

IGBTを組み込んだ絶縁形モジュールです。

東京都

IGBTモジュール CM100DY-24T

ローム株式会社

SiC製のショットキー型ダイオードです。

京都府

SiCショットキーバリアダイオード SCS320AM

出典（2026年10月28日確認）

この比較表のデータ：CSV・JSON（出典を明記すれば引用できます）

掲載基準と並び順

掲載基準：産業電源・インバータ・モータ制御・UPS・溶接などの電力変換に使うIGBT、パワーダイオード、サイリスタの素子またはモジュールを扱います。日本の製造元と、日本法人を持つ海外メーカーの自社グループ製品に限り、公式で現在案内する型式を各社の代表として載せています。半導体そのものが比較対象で、部材という理由では除きません。MOSFETはmosfet、完成した周波数変換装置はinverterの比較へ分けます。信号用小電流ダイオード、ゲートドライバ単体、ヒートシンク、ウエハ・製造装置、家庭用機器だけの製品、中古品、販売終了品、他社品を売る輸入販売元・総代理店は除きます。表の耐圧はVCES・VRRM・VDRMなど素子ごとの定格で、使用できる電源電圧ではありません。電流と導通電圧は温度・波形・測定点が違うため単純に順位を付けません。資料に価格がない製品は要見積です。並びは素子の種類ごとに会社の五十音順です。

並び順：素子の種類ごとに分け、その中はメーカー名の五十音順です。おすすめ順ではなく、掲載料で順番は変えません。

パワー半導体を作っているメーカーの方へ：掲載・訂正のご依頼（掲載は無料です）

パワー半導体のメーカー8社比較【2026年】

パワー半導体とは

製品の特長

使うメリット

選ぶときに注意すること

パワー半導体の比較表

IGBT

パワーダイオード

サイリスタ（SCR）

パワー半導体選びで、よくある疑問

購買担当の疑問パワー半導体の価格は？

設備担当の疑問パワー半導体と普通の半導体の違いは？

設備担当の疑問IGBT・ダイオード・サイリスタの使い分けは？

設備担当の疑問次世代パワー半導体のSiC・GaNやMOSFETはこの表に入る？

工場長の疑問耐圧が同じなら置き換えられる？

設備担当の疑問定格電流はどの温度の値を比べる？

設備担当の疑問パワー半導体の世界シェアでメーカーを比較できる？

施設管理の疑問放熱器なしで定格電流を流せる？

工場長の疑問単体素子とモジュールはどう選ぶ？

購買担当の疑問サイリスタの品名の40Aと表の35Aが違うのはなぜ？

設備担当の疑問許容損失PDが大きいほど省エネになる？

パワー半導体の素子の種類の違い

IGBT

パワーダイオード

サイリスタ（SCR）

パワー半導体の主なメーカー8社

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