POWER-SEMICONDUCTOR / MZ-30080

IGBT IKW40N120H3インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

逆並列ダイオードを内蔵するIGBTです。

2026年10月28日確認

仕様

向いている所：UPS・溶接用コンバータへ

素子の種類: IGBT
素子種・⁠⁠⁠構成: IGBT、逆並列ダイオード内蔵
耐圧: VCE 1200V
定格電流: IC 80A、Tc=25°C、40A、Tc=100°C
導通特性・許容損失: VCEsat 標準2.05V、最大2.4V、IC=40A、VGE=15V、Tvj=25°C
スイッチング特性: Eon 標準3.2mJ、Eoff 標準1.2mJ、VCC=600V、IC=40A、Tvj=25°C、VGE=0〜15V、RG=12Ω
パッケージ: PG-TO247-⁠3
価格: —公式資料で確認できず
接合部温度: 最大接合温度175°C

— は公式の資料で確かめられなかった項目です。

連続電流はケース温度で変わります。スイッチングエネルギーはVCC・IC・Tvj・VGE・ゲート抵抗をそろえて比較します。

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出典（2026年10月28日確認）