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GUIDE / SILICON-WAFER

シリコンウェーハとは?半導体の基板に使う、ポリッシュト、エピタキシャル、SOI、研究用・再生の4種類と、直径・製法・厚さの選び方

半導体デバイスの基板に使うシリコンウェーハ(シリコンウエハー)の4つの種類、CZ法とFZ法の違い、直径と厚さの幅、SOIウェーハの層の決め方、研究用の小口と再生ウェーハを、メーカーの公式資料をもとにまとめました。

2026年10月28日更新

この記事の答え

シリコンウェーハは、半導体デバイスを作るシリコン単結晶の薄い円板です。シリコンウエハー・Siウェハとも呼びます。表面の作りで、鏡面に磨いたポリッシュト・単結晶の層を重ねたエピタキシャル・酸化膜を挟んだSOI・研究用と再生のウェーハに分かれます。選ぶときは「直径」「結晶の製法(CZ・MCZ・FZ)」「面方位・導電型・抵抗率・厚さ」の3つを先に決めます。

シリコンウェーハとは

シリコンウェーハは、高純度のシリコンから切り出した円形の薄い板で、半導体デバイスの基板になります。SUMCOの説明では、単結晶のインゴットを厚さ1mm程度にスライスし、表面を鏡面に磨いて作ります。

比較ページには、自社かグループ会社で結晶からウェーハを作る会社と、ウェーハに加工・再生する会社の品を載せています。ウェーハを仕入れて売る商社、シリコン以外の基板、多結晶シリコンやインゴットだけの販売は載せていません。

4つの種類

  • 鏡面のポリッシュトウェーハは、インゴットを薄く切って表面を鏡面に磨いたものです。例は長野電子工業のポリッシュドウエハーや、グローバルウェーハズ・ジャパンの小口径両面研磨ウェーハです
  • エピタキシャルウェーハは、鏡面ウェーハの表面に単結晶シリコンの層を気相成長させたものです。例はSUMCOのエピタキシャル・ウェーハ(EW)⁠で⁠⁠⁠⁠す
  • SOIウェーハは、2枚のウェーハのあいだに酸化膜を挟んで貼り合わせたものです。例はグローバルウェーハズ・ジャパンの厚膜SOIウェーハです
  • 研究用・再生ウェーハは、小口径・小口のウェーハと、使用済みを磨き直した再生ウェーハです。例はHundred Semiconductorsのハーフインチウェハや、RS Technologies・三益半導体工業の再生です

CZ法とFZ法

  • CZ法は、ルツボで溶かしたシリコンに種結晶をつけ、回しながら引き上げて単結晶を作ります
  • MCZ法は、CZ法に強い磁場をかけて結晶を育てます
  • FZ法は石英ルツボを使わないので、酸素の少ない単結晶ができます。グローバルウェーハズ・ジャパンは、抵抗率を高くできる製法として案内しています

直径と厚さ

  • 直径は、研究用のハーフインチ(12.5mm)⁠か⁠ら300mmまであります
  • 長野電子工業は100〜300mmの製造ラインを持ち、RS Technologiesのプライムウェーハは200mmが中心です
  • 厚さは、グローバルウェーハズ・ジャパンの両面研磨ウェーハが300〜1000μm、梅郷電子が100μmの薄物から1000μmを超える厚物までです
  • ハーフインチウェハの標準の厚さは0.25mmです

SOIウェーハの層の決め方

  • SOIは、上の活性層・あいだの酸化膜・下の基板の3つの厚さを決めます
  • グローバルウェーハズ・ジャパンの厚膜SOIは、活性層が3.0〜300.0μm、中間酸化膜が2.0μm以下、基板が250〜625μmです
  • ふつうの貼り合わせSOIは、端のテラスがウェーハ面積の約10%を占めることがあります。同社はこれを無くしたテラスフリーです

研究用の小口と再生ウェーハ

  • Hundred Semiconductorsは、直径12.5mmのハーフインチウェハを40枚入りケース1個単位で売り、納期は2か月です
  • 梅郷電子は、2〜6インチを少量から加工します
  • 再生ウェーハは、使用済みのウェーハから膜を落とし、磨いて洗い直したものです。RS Technologiesは、新品と同じ清浄度まで再生できると案内しています

値段と見積もり

  • このページの製品は、どれも公式に値段を出していません
  • 直径・結晶の製法・面方位・導電型・抵抗率・厚さと枚数を伝えて、見積もりを取ります
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