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半導体ウエハの成膜・エッチング・塗布現像装置を選ぶ、生産技術・設備・購買の担当の方へ

半導体製造装置のメーカー8社比較【2026年】

半導体製造装置は、半導体の製造工程で、
ウエハへの成膜や微細加工などを行う装置です。

ABOUT

半導体製造装置とは

比較表を見る ↓

半導体製造装置とは、半導体の回路をウエハ上に作る装置です。
この比較では前工程のうち、膜を作る成膜、
材料を除去するエッチング、
レジストを塗って現像する塗布現像(コータ・デベロッパ)を扱います。

製品の特長

  • 工程ごとに装置が分かれる成膜・エッチング・塗布現像
  • 基板径と材料から絞れるシリコン・化合物半導体など
  • 構成を変えられる製品があるチャンバー・モジュール・炉を確認

使うメリット

  • 必要な膜や回路パターンを作れる
  • 枚葉処理とバッチ処理を工程に合わせて選べる
  • 装置更新で既存レシピを引き継げる製品がある

選ぶときに注意すること

  1. 工程と膜種を決めてから比べる異なる工程の装置は代替しない
  2. 処理能力の単位をそろえる毎時の枚数とバッチ枚数は別
  3. 基板径だけでなく材質・厚さ・搬送条件も確認する
  4. 本体の寸法に保守空間と付帯設備を加えて配置を決める
  5. 公開価格のない製品は処理条件と装置構成をそろえて見積もる

※仕様はメーカー公式ページと日立グループの発売資料による。未掲載の寸法・価格は推定していません。シェアの記載は芝浦メカトロニクスの自社調べで、工程全体や市場全体の数値ではありません。

LIST

半導体製造装置の比較表

半導体製造装置10製品の比較
製品・メーカーコスト製品の強み仕様公式ページ

成膜装置

4製品
株式会社アルバックスパッタリング装置 ENTRON-EXXロジック・メモリの金属膜形成口コミを書く要見積

シングルとタンデムの構成を選べる成膜装置です。スパッタリング・プリクリーン・加熱・冷却を組み合わせ、最大12モジュールを搭載できます。

工程
成膜装置
工程
成膜
方式
マルチチャンバー式スパッタリング
対象材料・用途
ロジック、DRAM、NAND、次世代不揮発性メモリ
装置構成
最大12モジュール
記載なし
対応基板径・処理能力・設置寸法
公式ページへ詳細・仕様
キヤノンアネルバ株式会社スパッタリング装置 EC7800MRAMの多層膜形成口コミを書く要見積

超高真空で多層膜を作るスパッタリング装置です。最大10モジュールを搭載でき、エッチングや加熱との組み合わせで界面を制御します。

工程
成膜装置
工程
成膜
方式
スパッタリング
対応基板径
直径8inch・12inch
対象材料・用途
MRAMなどの多層膜、不揮発性メモリの機能膜
装置構成
最大10モジュール
記載なし
処理能力・設置寸法
公式ページへ詳細・仕様
株式会社 KOKUSAI ELECTRICバッチ成膜装置 AdvancedAce-⁠II深溝へのバッチ成膜口コミを書く要見積

深溝に均一な膜を作るラージバッチ式の装置です。温度制御・搬送・真空とガス置換・冷却の技術を組み合わせ、低温での成膜にも対応します。

工程
成膜装置
工程
CVD膜・酸化膜形成
方式
ラージバッチ式サーマルプロセス
対応基板径
300mm
対象材料・用途
深溝形状への成膜
記載なし
処理能力・設置寸法・装置構成
公式ページへ詳細・仕様
株式会社 KOKUSAI ELECTRICバッチ成膜装置 VERTEX Revolution小径ウエハのバッチ成膜口コミを書く要見積

従来のVERTEXシリーズとプロセス互換性を持つ装置です。オプションとして175枚処理の高生産性炉と100枚処理の低天井対応炉を選べます。

工程
成膜装置
工程
CVD膜・酸化膜形成
方式
バッチ式サーマルプロセス
対応基板径
200mm、150mm以下にも対応
処理能力
高生産性炉175枚、低天井対応炉100枚
装置構成
高生産性炉・低天井対応炉はオプション
記載なし
設置寸法・対象材料・用途
公式ページへ詳細・仕様

エッチング装置

4製品
サムコ株式会社ICPエッチング装置 RIE-400iP化合物半導体の微細加工口コミを書く要見積

独自のHSTCソースを搭載したICPエッチング装置です。ロードロック付きの枚葉処理で、化合物半導体のリッジ・メサ・トレンチ加工に使います。

工程
エッチング装置
工程
ドライエッチング
方式
ICP、HSTCソース
対応基板径
直径2・3・4インチ
対象材料・用途
GaN、GaAs、InP、SiC
装置構成
ロードロック付き、枚葉処理
記載なし
処理能力・設置寸法
公式ページへ詳細・仕様
芝浦メカトロニクス株式会社高温リン酸エッチング装置 SC300-HTロジックの窒化膜除去口コミを書く要見積

近接ヒーターでウエハ面内のエッチング量を制御する装置です。リン酸中のシリコン濃度を制御して下地ロスを抑え、後洗浄まで一体で処理します。

工程
エッチング装置
工程
窒化膜エッチング
方式
枚葉式ウェットエッチング
対応基板径
300mm
対象材料・用途
先端ロジックの窒化膜
装置構成
リン酸処理と後洗浄を一体化
記載なし
処理能力・設置寸法
公式ページへ詳細・仕様
東京エレクトロン株式会社プラズマエッチング装置 Tactras量産ラインのプラズマ加工口コミを書く要見積

工程に合わせたエッチングチャンバーを最大6つ搭載できる装置です。共通のベース設計を使い、改造による用途の切り替えにも対応します。

工程
エッチング装置
工程
ドライエッチング
方式
プラズマエッチング
対応基板径
300mm
装置構成
最大6つのエッチングチャンバー
記載なし
処理能力・設置寸法・対象材料・用途
公式ページへ詳細・仕様
株式会社日立ハイテクDCRエッチング装置 9060立体構造の等方性加工口コミを書く要見積

冷却機構と赤外線ランプを同じ真空リアクターに備えた装置です。温度を短時間で変化させ、原子層レベルの等方性加工を行います。

工程
エッチング装置
工程
等方性エッチング
方式
DCR、ドライ環境下の化学反応
対象材料・用途
高アスペクトの立体構造
装置構成
冷却機構と赤外線ランプを同一リアクターに搭載
記載なし
対応基板径・処理能力・設置寸法
公式ページへ詳細・仕様

塗布現像装置

2製品
株式会社SCREEN SPE テックコータ・デベロッパ SK-80EX小径ウエハの塗布・⁠⁠⁠現像口コミを書く要見積

従来の60・80シリーズとプロセスレシピデータの互換性を保つ装置です。薄ウエハや厚基板など、基板特性に合わせたオプションを選べます。

工程
塗布現像装置
工程
塗布・現像
方式
コータ・デベロッパ
対応基板径
共通案内100〜200mm
装置構成
従来60・80シリーズとレシピ互換
記載なし
処理能力・設置寸法・対象材料・用途
公式ページへ詳細・仕様
東京エレクトロン株式会社塗布現像装置 LITHIUS Pro DICE先端リソグラフィの塗布・⁠⁠⁠現像口コミを書く要見積

High NAを含むEUVからDUVまでのプロセスに対応する装置です。300mmウエハを扱い、公式のシリーズ比較表ではインライン440wphと案内しています。

工程
塗布現像装置
工程
塗布・現像
方式
レジスト塗布・現像
対応基板径
300mm
処理能力
インライン440wph
対象材料・用途
High NA EUV、EUV、DUV
記載なし
設置寸法・装置構成
公式ページへ詳細・仕様

成膜装置4製品

株式会社アルバック

スパッタリング装置 ENTRON-EXX

ロジック・メモリの金属膜形成

シングルとタンデムの構成を選べる成膜装置です。スパッタリング・プリクリーン・加熱・冷却を組み合わせ、最大12モジュールを搭載できます。

コスト要見積

工程
成膜装置
工程
成膜
方式
マルチチャンバー式スパッタリング
対象材料・用途
ロジック、DRAM、NAND、次世代不揮発性メモリ
装置構成
最大12モジュール
記載なし
対応基板径・処理能力・設置寸法
公式ページへ
キヤノンアネルバ株式会社

スパッタリング装置 EC7800

MRAMの多層膜形成

超高真空で多層膜を作るスパッタリング装置です。最大10モジュールを搭載でき、エッチングや加熱との組み合わせで界面を制御します。

コスト要見積

工程
成膜装置
工程
成膜
方式
スパッタリング
対応基板径
直径8inch・12inch
対象材料・用途
MRAMなどの多層膜、不揮発性メモリの機能膜
装置構成
最大10モジュール
記載なし
処理能力・設置寸法
公式ページへ
株式会社 KOKUSAI ELECTRIC

バッチ成膜装置 AdvancedAce-⁠II

深溝へのバッチ成膜

深溝に均一な膜を作るラージバッチ式の装置です。温度制御・搬送・真空とガス置換・冷却の技術を組み合わせ、低温での成膜にも対応します。

コスト要見積

工程
成膜装置
工程
CVD膜・酸化膜形成
方式
ラージバッチ式サーマルプロセス
対応基板径
300mm
対象材料・用途
深溝形状への成膜
記載なし
処理能力・設置寸法・装置構成
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株式会社 KOKUSAI ELECTRIC

バッチ成膜装置 VERTEX Revolution

小径ウエハのバッチ成膜

従来のVERTEXシリーズとプロセス互換性を持つ装置です。オプションとして175枚処理の高生産性炉と100枚処理の低天井対応炉を選べます。

コスト要見積

工程
成膜装置
工程
CVD膜・酸化膜形成
方式
バッチ式サーマルプロセス
対応基板径
200mm、150mm以下にも対応
処理能力
高生産性炉175枚、低天井対応炉100枚
装置構成
高生産性炉・低天井対応炉はオプション
記載なし
設置寸法・対象材料・用途
公式ページへ

エッチング装置4製品

サムコ株式会社

ICPエッチング装置 RIE-400iP

化合物半導体の微細加工

独自のHSTCソースを搭載したICPエッチング装置です。ロードロック付きの枚葉処理で、化合物半導体のリッジ・メサ・トレンチ加工に使います。

コスト要見積

工程
エッチング装置
工程
ドライエッチング
方式
ICP、HSTCソース
対応基板径
直径2・3・4インチ
対象材料・用途
GaN、GaAs、InP、SiC
装置構成
ロードロック付き、枚葉処理
記載なし
処理能力・設置寸法
公式ページへ
芝浦メカトロニクス株式会社

高温リン酸エッチング装置 SC300-HT

ロジックの窒化膜除去

近接ヒーターでウエハ面内のエッチング量を制御する装置です。リン酸中のシリコン濃度を制御して下地ロスを抑え、後洗浄まで一体で処理します。

コスト要見積

工程
エッチング装置
工程
窒化膜エッチング
方式
枚葉式ウェットエッチング
対応基板径
300mm
対象材料・用途
先端ロジックの窒化膜
装置構成
リン酸処理と後洗浄を一体化
記載なし
処理能力・設置寸法
公式ページへ
東京エレクトロン株式会社

プラズマエッチング装置 Tactras

量産ラインのプラズマ加工

工程に合わせたエッチングチャンバーを最大6つ搭載できる装置です。共通のベース設計を使い、改造による用途の切り替えにも対応します。

コスト要見積

工程
エッチング装置
工程
ドライエッチング
方式
プラズマエッチング
対応基板径
300mm
装置構成
最大6つのエッチングチャンバー
記載なし
処理能力・設置寸法・対象材料・用途
公式ページへ
株式会社日立ハイテク

DCRエッチング装置 9060

立体構造の等方性加工

冷却機構と赤外線ランプを同じ真空リアクターに備えた装置です。温度を短時間で変化させ、原子層レベルの等方性加工を行います。

コスト要見積

工程
エッチング装置
工程
等方性エッチング
方式
DCR、ドライ環境下の化学反応
対象材料・用途
高アスペクトの立体構造
装置構成
冷却機構と赤外線ランプを同一リアクターに搭載
記載なし
対応基板径・処理能力・設置寸法
公式ページへ

塗布現像装置2製品

株式会社SCREEN SPE テック

コータ・デベロッパ SK-80EX

小径ウエハの塗布・⁠⁠⁠現像

従来の60・80シリーズとプロセスレシピデータの互換性を保つ装置です。薄ウエハや厚基板など、基板特性に合わせたオプションを選べます。

コスト要見積

工程
塗布現像装置
工程
塗布・現像
方式
コータ・デベロッパ
対応基板径
共通案内100〜200mm
装置構成
従来60・80シリーズとレシピ互換
記載なし
処理能力・設置寸法・対象材料・用途
公式ページへ
東京エレクトロン株式会社

塗布現像装置 LITHIUS Pro DICE

先端リソグラフィの塗布・⁠⁠⁠現像

High NAを含むEUVからDUVまでのプロセスに対応する装置です。300mmウエハを扱い、公式のシリーズ比較表ではインライン440wphと案内しています。

コスト要見積

工程
塗布現像装置
工程
塗布・現像
方式
レジスト塗布・現像
対応基板径
300mm
処理能力
インライン440wph
対象材料・用途
High NA EUV、EUV、DUV
記載なし
設置寸法・装置構成
公式ページへ
Q&A

半導体製造装置選びで、よくある疑問

購買担当の疑問半導体製造装置の値段・価格はいくら?

掲載製品の確認資料には販売価格の記載がありません。LITHIUS Pro DICEやSC300-HTも、対象ウエハ・工程条件・処理能力・付帯設備をそろえて見積もりを依頼します。

設備担当の疑問前工程と後工程の装置は何が違う?

この比較はウエハに膜や回路パターンを作る前工程の成膜・エッチング・塗布現像に絞っています。MRAMの多層膜を作るEC7800は載せ、チップの接合や実装を行うボンダは含めません。

工場長の疑問半導体製造装置の種類はどう分ける?

膜を作る成膜、材料を除去するエッチング、レジストを塗って現像する塗布現像に分けます。AdvancedAce-II、RIE-400iP、SK-80EXは工程が異なるため、そのまま代替できません。

設備担当の疑問CVDとスパッタリングの違いは?

CVD膜・酸化膜を作るAdvancedAce-IIと、スパッタリングで多層膜を作るEC7800では膜の作り方が違います。EC7800は超高真空での多層成膜を案内しており、必要な膜の材質・積層構造から方式を決めます。

設備担当の疑問ドライとウェットのエッチングはどう選ぶ?

RIE-400iPはICPによるドライ加工で、GaN・GaAs・InP・SiCなどを扱います。SC300-HTは高温リン酸による窒化膜のウェット加工で、リン酸中のシリコン濃度も制御します。対象膜と残したい下地を先に伝えます。

施設管理の疑問300mm以外のウエハにも使える?

RIE-400iPは直径2・3・4インチ、VERTEX Revolutionは200mmと150mm以下に対応します。SK-80EXの公式共通ページは100〜200mmと案内していますが、SK-60EXとの共通記載なので型式別の径と構成を確認します。

工場長の疑問処理能力はwphだけで比べられる?

LITHIUS Pro DICEはインライン440wphですが、VERTEX Revolutionの175枚・100枚は選択する炉の処理枚数です。毎時処理とバッチ枚数は単位が異なります。膜種・膜厚・処理時間・稼働条件をそろえて比較します。

施設管理の疑問設置寸法と工場スペースはどう確認する?

ENTRON-EXXはシングルとタンデムの構成があり、モジュールの追加・置換にも対応します。構成で占有範囲が変わるので、装置本体の外形図に加え、保守空間・搬入経路・付帯設備の配置をメーカーと確認します。確認資料に寸法がない製品は数値を補っていません。

設備担当の疑問立体構造の横方向を加工する装置は?

日立ハイテクの9060は、原子層レベルの等方性加工を行うDCRエッチング装置です。冷却機構と赤外線ランプを同じ真空リアクターに備え、加熱と冷却による表面反応を制御します。

経営者の疑問半導体製造装置の世界シェアと工程別シェアの違いは?

芝浦メカトロニクスはSC300-HTの公式ページで、枚葉窒化膜エッチング工程のトップシェアを自社調べとして案内しています。対象年・地域・割合の記載はなく、半導体製造装置全体の世界シェアとは区別します。

購買担当の疑問同じメーカーの既存装置から更新できる?

SK-80EXは従来の60・80シリーズとプロセスレシピデータの互換性を保っています。互換性の案内だけで条件を固定せず、使っている材料・基板・レシピを伝え、移行範囲を確認します。

TYPES

半導体製造装置の工程の違い

成膜装置

ウエハに回路材料の薄膜を作る装置です。ガスを使うCVDと、ターゲット材料を飛ばして膜を作るスパッタリングを、膜の材質と構造に合わせて選びます。

向いている工程

  • CVD膜・酸化膜の形成
  • 金属配線・機能膜の形成
  • 深溝や多層膜の形成

根拠:成膜プロセス装置は、ウエハ上に回路素材となる薄膜を形成します。(出典3)

この工程の4製品を表で見る

エッチング装置

ウエハ上の膜や材料を選んで除去する装置です。ガスによるドライ加工と薬液によるウェット加工を分け、加工方向・下地への影響・対象材料を確かめます。

向いている工程

  • 化合物半導体のトレンチ加工
  • 窒化膜の選択除去
  • 立体構造の等方性加工

根拠:SC300-HTは、先端ロジック向けの窒化膜を除去する枚葉式高温リン酸装置です。(出典5)

この工程の4製品を表で見る

塗布現像装置

パターンを作るためのレジスト塗布と現像を担う装置です。露光方式に合うプロセスと、基板径・基板の厚さ・搬送条件を確認します。

向いている工程

  • 先端リソグラフィの塗布・現像
  • 小径ウエハの塗布・現像
  • 既存レシピを使う設備更新

根拠:LITHIUS Pro DICEは、High NAを含むEUVからDUVまでに対応する塗布現像装置です。(出典7)

この工程の2製品を表で見る
MAKERS

半導体製造装置の主なメーカー8社

芝浦メカトロニクスは、SC300-HTの公式ページ⁠で枚葉窒化膜エッチング工程のトップシェアを自社調べとして案内しています。対象年・地域・割合は記載されていません。半導体製造装置全体のシェアを示すものではありません。

株式会社アルバック

シングルとタンデムの構成を選べる成膜装置です。

神奈川県

キヤノンアネルバ株式会社

超高真空で多層膜を作るスパッタリング装置です。

神奈川県

株式会社 KOKUSAI ELECTRIC

深溝に均一な膜を作るラージバッチ式の装置です。

東京都

サムコ株式会社

独自のHSTCソースを搭載したICPエッチング装置です。

京都府

芝浦メカトロニクス株式会社

近接ヒーターでウエハ面内のエッチング量を制御する装置です。

神奈川県

株式会社SCREEN SPE テック

従来の60・80シリーズとプロセスレシピデータの互換性を保つ装置です。

京都府

東京エレクトロン株式会社

工程に合わせたエッチングチャンバーを最大6つ搭載できる装置です。

東京都

株式会社日立ハイテク

冷却機構と赤外線ランプを同じ真空リアクターに備えた装置です。

東京都

掲載基準

日本国内に法人があり、自社または自社グループで製造する、半導体ウエハ前工程用の成膜・エッチング・塗布現像装置を掲載しています。公式サイトで現在案内され、工程・方式などを確認できた型式または型式付きシリーズを1社1〜2製品選びました。EC7800はMRAMなどのウエハ成膜用途に限ります。検査・計測装置、露光装置、洗浄専用装置、フォトマスク専用装置、後工程の接合・実装装置は除外します。既存の工作機械比較(kousaku-kikai)と⁠は⁠、切削・研削などの機械加工を扱わないことで線を引きます。輸入販売元・総代理店が扱う他社製品、家庭用、中古、部品・消耗品だけ、販売終了品は載せません。

半導体製造装置を作っているメーカーの方へ:掲載・訂正のご依頼(掲載は無料です)

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