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ICP
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ICPエッチング装置 RIE-400iPの強みと方式
独自の
向いている所化合物半導体の
工程：エッチング装置
ウエハ上の
ICPエッチング装置 RIE-400iPの仕様
- 工程
- エッチング装置
- 工程
- ドライエッチング
- 方式
- ICP、
HSTCソース - 対応基板径
- 直径2・
3・ 4インチ - 処理能力
- —公式資料で
確認できず - 設置寸法
- —公式資料で
確認できず - 価格
- —公式資料で
確認できず - 対象材料・用途
- GaN、
GaAs、 InP、 SiC - 装置構成
- ロードロック
付き、 枚葉処理
同じ種類の他社製品との違い
製品の特徴ごとの分類
| ICP | 高温リン酸 | プラズマエッチング | |
|---|---|---|---|
| 工程 | エッチング装置 | エッチング装置 | エッチング装置 |
| 工程 | ドライエッチング | 窒化膜 | ドライエッチング |
| 方式 | ICP、 | 枚葉式 | プラズマエッチング |
| 対応基板径 | 直径2・ | 300mm | 300mm |
| 処理能力 | —公式資料で | —公式資料で | —公式資料で |
| 設置寸法 | —公式資料で | —公式資料で | —公式資料で |
| 価格 | —公式資料で | —公式資料で | —公式資料で |
| 対象材料・用途 | GaN、 | 先端 | —公式資料で |
| 装置構成 | ロードロック | リン酸処理と | 最大6つの |
ICPエッチング装置 RIE-400iPのよくある質問
Q.ICPエッチング装置 RIE-400iPはどんな人に向いている？
ICPエッチング装置 RIE-400iPは、化合物半導体の微細加工に使う人向けです。ICPエッチング装置 RIE-400iPは、独自のHSTCソースを搭載したICPエッチング装置です。ロードロック付きの枚葉処理で、化合物半導体のリッジ・メサ・トレンチ加工に使います。
Q.ICPエッチング装置 RIE-400iPはどんな方式？
ICPエッチング装置 RIE-400iPの工程はエッチング装置です。ウエハ上の膜や材料を選んで除去する装置です。
Q.ICPエッチング装置 RIE-400iPの主な仕様は？
ICPエッチング装置 RIE-400iPの対応基板径は直径2・3・4インチ、工程はドライエッチングです。方式はICP、HSTCソース、対象材料・用途はGaN、GaAs、InP、SiCです。
Q.ICPエッチング装置 RIE-400iPと高温リン酸エッチング装置 SC300-HTはどっちがいい？
化合物半導体の微細加工ならICPエッチング装置 RIE-400iP、ロジックの窒化膜除去なら芝浦メカトロニクスの高温リン酸エッチング装置 SC300-HTです。ICPエッチング装置 RIE-400iPの対応基板径は直径2・3・4インチ、工程はドライエッチングです。芝浦メカトロニクスの高温リン酸エッチング装置 SC300-HTの対応基板径は300mm、工程は窒化膜エッチングです。
Q.ICPエッチング装置 RIE-400iPの装置構成は？
ICPエッチング装置 RIE-400iPの装置構成はロードロック付き、枚葉処理です。芝浦メカトロニクスの高温リン酸エッチング装置 SC300-HTの装置構成はリン酸処理と後洗浄を一体化です。
Q.ICPエッチング装置 RIE-400iPとプラズマエッチング装置 Tactrasはどっちがいい？
化合物半導体の微細加工ならICPエッチング装置 RIE-400iP、量産ラインのプラズマ加工なら東京エレクトロンのプラズマエッチング装置 Tactrasです。ICPエッチング装置 RIE-400iPの対応基板径は直径2・3・4インチ、工程はドライエッチングです。東京エレクトロンのプラズマエッチング装置 Tactrasの対応基板径は300mm、工程はドライエッチングです。
Q.ICPエッチング装置 RIE-400iPはどこのメーカー？
ICPエッチング装置 RIE-400iPはサムコ株式会社の製品です。登記上の本店は〒612-8443 京都府京都市伏見区竹田藁屋町36番地。薄膜形成・微細加工・表面処理に用いる半導体製造装置を手がける会社です。
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