半導体製造装置とは？前工程の種類・方式の違い・選び方

半導体製造装置とは

半導体は、ウエハ上に膜や回路パターンを作る工程を経て製造します。成膜装置で回路材料の薄膜を作り、塗布現像装置やエッチング装置でパターンの形成・加工を行います。

半導体製造装置の比較ページでは、成膜・エッチング・塗布現像に使う自社製品を型式ごとに載せています。検査・計測、露光、洗浄専用装置、後工程の接合・実装は対象から外しています。切削や研削を行う工作機械とも用途が異なります。

大手メーカーの名前だけで選ばず、前工程の種類で比べる

• 成膜装置は、ウエハ上に薄膜を作ります。KOKUSAI ELECTRICのAdvancedAce-IIはCVD膜・酸化膜の形成、キヤノンアネルバのEC7800はMRAMなどの多層膜形成を扱います
• エッチング装置は、材料を選んで除去します。サムコのRIE-400iPはICPによるドライ加工、芝浦メカトロニクスのSC300-HTは高温リン酸によるウェット加工です
• 塗布現像装置は、レジストの塗布と現像を担います。東京エレクトロンのLITHIUS Pro DICEと、SCREEN SPE テックのSK-80EXでは対象の基板やプロセスが違います

成膜は膜種と構造から決める

• AdvancedAce-IIは、深溝形状に均一な膜を作るラージバッチ式です。基板径は300mmです
• EC7800は、超高真空で多層膜を作るスパッタリング装置です。対応基板は直径8inch・12inchで、エッチング・加熱などのモジュールと組み合わせます
• アルバックのENTRON-EXXは、スパッタリング・プリクリーン・加熱・冷却を組み合わせます。最大12モジュールを搭載し、シングルとタンデムの構成を選べます
• 同じ成膜装置でも、膜種・膜厚・積層構造・処理温度をそろえて確認します。装置名だけで置き換えを決めません

エッチングは材料と加工方向を合わせる

• RIE-400iPは、GaN・GaAs・InP・SiCなどを扱うICPエッチング装置です。直径2・3・4インチのウエハを直接搬送し、枚葉で処理します
• SC300-HTは、300mmウエハの窒化膜除去を行います。160℃以上のリン酸温度を保ち、シリコン濃度を制御して下地への影響を抑えます
• 日立ハイテクの9060は、原子層レベルの等方性加工を行うDCR装置です。冷却機構と赤外線ランプを同じ真空リアクターに備えています
• 東京エレクトロンのTactrasは、工程に応じたエッチングチャンバーを最大6つ搭載できます。対象材料と処理条件に合わせて構成を確認します

基板径と処理能力の読み方

• VERTEX Revolutionは、200mmと150mm以下のウエハに対応します。高生産性炉の175枚処理と、低天井対応炉の100枚処理はオプションです
• LITHIUS Pro DICEは、300mmウエハ向けで、公式比較表の処理能力はインライン440wphです。wphは毎時の処理枚数で、炉に入れるバッチ枚数とは別の値です
• SK-80EXの公式ページは、SK-60EXとの共通案内で基板径100〜200mmと記載しています。型式別の径とオプションを確認し、薄ウエハ・厚基板などの搬送条件も伝えます
• 処理能力を比べるときは、膜種・膜厚・処理時間・搭載構成をそろえます。自社従来機との生産性向上倍率を、他社製品との速度差に読み替えません

設置条件と見積もり

• 本体外形に加え、チャンバーを開ける保守空間、付帯設備、搬入経路を確認します。ENTRON-EXXのように構成を選べる装置は、採用する構成の配置図を受け取ります
• 装置の値段を比べる際、確認した資料には販売価格の記載がありません。基板径・材料・工程条件・処理能力・装置構成と、付帯設備や保守の見積範囲をそろえて依頼します
• 設置寸法や毎時処理枚数が公表されていない機種は、非対応という意味ではありません。正式な仕様書で確認します

出典は各社の公式製品ページと、日立グループの9060発売資料です。比較ページの出典から確認できます。確認日は2026-10-28です。