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CVD装置プラズマCVD

液体ソースCVD装置 PD-330STC

サムコ株式会社

TSV向けに液体ソースのTEOSでSiO₂膜をつける300mm対応のCVD装置です。

価格
公開価格なし(見積もり)
方式
プラズマCVD
向いている所
300mmウエハのTSV側壁の絶縁膜

比較表での位置

液体ソースCVD装置 PD-330STCは、CVD装置のメーカー7社比較⁠の方式「プラズマCVD」の4製品の1つとして載っています。

  • 7社掲載社数
  • 11製品比較表の製品
  • 4製品同じ方式
  • 0製品公開価格あり
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液体ソースCVD装置 PD-330STC​の強みと方式

液体のTEOSを原料に、深い穴の側壁までSiO₂膜をつけられる300mm用の装置です。80℃から成膜でき、プラスチックの上にも膜をつけられます。成膜の速さは100nm/min以上です。

向いている所300mmウエハのTSV側壁の絶縁膜

方式:プラズマCVD

原料のガスをプラズマにして、低い温度のまま膜をつける方式です。SiO2やSiNxの絶縁膜によく使います。サムコのPD-330STCは80℃から成膜できます。

液体ソースCVD装置 PD-330STC​の仕様

方式
プラズマCVD
方式
液体ソースCVD(カソードカップリング方式)
基板サイズ
300mm
処理枚数
—公式資料で確認できず
膜の種類
TEOS-SiO₂
温度
80℃〜
価格
—公式資料で確認できず
プラズマの周波数
—公式資料で確認できず
成膜の速さ
100nm/min以上
特長
TSVの側壁絶縁膜向け

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

液体ソースCVD装置 PD-330STCサムコ株式会社プラズマCVD装置 CC-200株式会社アルバックプラズマCVD装置 PlasmaPro 100 PECVDオックスフォード・インストゥルメンツ株式会社
方式プラズマCVDプラズマCVDプラズマCVD
方式液体ソースCVD(カソードカップリング方式)PE-CVDPECVD(高濃度プラズマ・低圧)
基板サイズ300mmトレー搬送で多様な基板サイズ最大200mm
処理枚数—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
膜の種類TEOS-SiO₂SiO2、SiNx、SiON、a-⁠Si窒化ケイ素、酸化ケイ素
温度80℃〜—公式資料で確認できず最大400℃または1200℃
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
プラズマの周波数—公式資料で確認できず27.12MHz—公式資料で確認できず
成膜の速さ100nm/min以上—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
特長TSVの側壁絶縁膜向けCF4+O2プラズマでチャンバーを洗えるその場でチェンバー洗浄と終点検出

CVD装置の11製品を比較表で見る

液体ソースCVD装置 PD-330STC​のよくある質問

Q.液体ソースCVD装置 PD-330STCはどんな人に向いている?
液体ソースCVD装置 PD-330STCは、300mmウエハのTSV側壁の絶縁膜に使う人向けです。液体ソースCVD装置 PD-330STCは、液体のTEOSを原料に、深い穴の側壁までSiO₂膜をつけられる300mm用の装置です。
Q.液体ソースCVD装置 PD-330STCの強みは?
液体ソースCVD装置 PD-330STCは、80℃から成膜でき、プラスチックの上にも膜をつけられます。成膜の速さは100nm/min以上です。
Q.液体ソースCVD装置 PD-330STCはどんな方式?
液体ソースCVD装置 PD-330STCの方式はプラズマCVDです。原料のガスをプラズマにして、低い温度のまま膜をつける方式です。
Q.液体ソースCVD装置 PD-330STCの主な仕様は?
液体ソースCVD装置 PD-330STCの方式は液体ソースCVD(カソードカップリング方式)、基板サイズは300mmです。膜の種類はTEOS-SiO₂、温度は80℃〜⁠⁠⁠です。
Q.液体ソースCVD装置 PD-330STCとプラズマCVD装置 CC-200はどっちがいい?
300mmウエハのTSV側壁の絶縁膜なら液体ソースCVD装置 PD-330STC、研究開発から少量生産までの絶縁膜ならアルバックのプラズマCVD装置 CC-200です。液体ソースCVD装置 PD-330STCの方式は液体ソースCVD(カソードカップリング方式)、基板サイズは300mmです。アルバックのプラズマCVD装置 CC-200の方式はPE-CVD、基板サイズはトレー搬送で多様な基板サイズです。
Q.液体ソースCVD装置 PD-330STCの成膜の速さは?
液体ソースCVD装置 PD-330STCの成膜の速さは100nm/min以上です。ニューフレアテクノロジーのSiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の成膜の速さは50µm/h以上です。
Q.液体ソースCVD装置 PD-330STCの特長は?
液体ソースCVD装置 PD-330STCの特長はTSVの側壁絶縁膜向けです。アルバックのプラズマCVD装置 CC-200の特長はCF4+O2プラズマでチャンバーを洗える。
Q.液体ソースCVD装置 PD-330STCとプラズマCVD装置 PlasmaPro 100 PECVDはどっちがいい?
300mmウエハのTSV側壁の絶縁膜なら液体ソースCVD装置 PD-330STC、200mmまでの窒化膜・酸化膜ならオックスフォード・インストゥルメンツのプラズマCVD装置 PlasmaPro 100 PECVDです。液体ソースCVD装置 PD-330STCの方式は液体ソースCVD(カソードカップリング方式)、基板サイズは300mmです。オックスフォード・インストゥルメンツのプラズマCVD装置 PlasmaPro 100 PECVDの方式はPECVD(高濃度プラズマ・低圧)、基板サイズは最大200mmです。
Q.液体ソースCVD装置 PD-330STCのほかにサムコのCVD装置はある?
あります。サムコのCVD装置には、液体ソースCVD装置 PD-330STCのほかにプラズマCVD装置 PD-220NL(方式はロードロック式のプラズマCVD)があります。
Q.液体ソースCVD装置 PD-330STCはどこのメーカー?
液体ソースCVD装置 PD-330STCはサムコ株式会社の製品です。登記上の本店は〒612-8443 京都府京都市伏見区竹田藁屋町36番地。サムコの主な製品分野はプラズマ処理装置・CVD装置・半導体製造装置です。

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