イメージイメージCVD装置
SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6
株式会社150mmの
- 価格
- 公開価格なし
（見積もり） - 方式
- エピタキシャル
成長（SiC） - 向いている所
- SiCパワー半導体の
エピ量産
比較表での位置
SiC
- 7社掲載社数
- 11製品比較表の製品
- 1製品同じ方式
- 0製品公開価格あり
SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の強みと方式
SiCパワー半導体の
向いている
方式：エピタキシャル成長（SiC）
高い
SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の仕様
- 方式
- エピタキシャル
成長（SiC） - 方式
- 枚葉式
- 基板サイズ
- 150mm
- 処理枚数
- 枚葉、
10µm 成膜で毎時4枚 - 膜の種類
- SiC
（膜厚150µmまで連続成長） - 温度
- —公式資料で
確認できず - 価格
- —公式資料で
確認できず - プラズマの
周波数 - —公式資料で
確認できず - 成膜の速さ
- 50µm/h以上
- 特長
- 膜厚分布
2%以下、 ドーパント 濃度4%以下
同じ種類の他社製品との違い
製品の特徴ごとの分類
| SiC | MOCVD装置 SR4000日本酸素 | MOCVD装置 UR26K日本酸素 | |
|---|---|---|---|
| 方式 | エピタキシャル | MOCVD | MOCVD |
| 方式 | 枚葉式 | 研究開発向けの | 量産向けMOCVD |
| 基板サイズ | 150mm | 4インチ、 | 8インチ |
| 処理枚数 | 枚葉、 | 4インチ | 8インチ6枚 |
| 膜の種類 | SiC | AlGaN | GaN |
| 温度 | —公式資料で | 制御温度で | —公式資料で |
| 価格 | —公式資料で | —公式資料で | —公式資料で |
| プラズマの | —公式資料で | —公式資料で | —公式資料で |
| 成膜の速さ | 50µm/h以上 | —公式資料で | —公式資料で |
| 特長 | 膜厚分布 | —公式資料で | カセット搬送と |
SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6のよくある質問
Q.SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6はどんな人に向いている？
SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6は、SiCパワー半導体のエピ量産に使う人向けです。SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6は、SiCパワー半導体のエピ膜を、150mmウェーハに1枚ずつ速く積む装置です。
Q.SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の強みは？
成長の速さは50µm/h以上で、10µmの膜なら1時間に4枚処理できます。ウェハはロボットが高温のまま運びます。
Q.SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6はどんな方式？
SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の方式はエピタキシャル成長（SiC）です。高い温度でウェーハの上に、基板と同じ並びの結晶の膜を積む方式です。
Q.SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の主な仕様は？
SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の方式は枚葉式、基板サイズは150mmです。処理枚数は枚葉、10µm成膜で毎時4枚、膜の種類はSiC（膜厚150µmまで連続成長）です。
Q.SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6とMOCVD装置 SR4000はどっちがいい？
SiCパワー半導体のエピ量産ならSiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6、AlGaNデバイスと紫外LEDの研究開発なら日本酸素のMOCVD装置 SR4000です。SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の方式は枚葉式、基板サイズは150mmです。日本酸素のMOCVD装置 SR4000の方式は研究開発向けの小型MOCVD、基板サイズは4インチ、2インチです。
Q.SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の成膜の速さは？
SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の成膜の速さは50µm/h以上です。サムコの液体ソースCVD装置 PD-330STCの成膜の速さは100nm/min以上です。
Q.SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の特長は？
SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の特長は膜厚分布2%以下、ドーパント濃度4%以下です。日本酸素のMOCVD装置 UR26Kの特長はカセット搬送と炉内部品の洗浄システム付きです。
Q.SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6とMOCVD装置 UR26Kはどっちがいい？
SiCパワー半導体のエピ量産ならSiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6、マイクロLEDとGaNパワーの量産なら日本酸素のMOCVD装置 UR26Kです。SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の方式は枚葉式、基板サイズは150mmです。日本酸素のMOCVD装置 UR26Kの方式は量産向けMOCVD、基板サイズは8インチです。
Q.SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6のほかにニューフレアテクノロジーのCVD装置はある？
あります。ニューフレアテクノロジーのCVD装置には、SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6のほかにMOCVD装置 EPIREVO G8（方式は枚葉式MOCVD）があります。
Q.SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6はどこのメーカー？
SiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6は株式会社ニューフレアテクノロジーの製品です。ニューフレアテクノロジーの主な製品分野はCVD装置です。
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