CVD装置のメーカー7社比較【2026年】

このページの11製品は、どれも値段を公式に出していません。基板サイズ・処理枚数・膜の種類・ガスの設備で大きく変わるので、メーカーに見積もりを取って比べます。研究用の小型と量産用のバッチ式では、装置の大きさから違います。

膜のつけ方で4つに分かれます。プラズマで低い温度のまま膜をつけるプラズマCVD、縦型の炉でまとめて処理する熱CVD・ALD、SiCの結晶を積むエピタキシャル成長、有機金属を原料にGaNなどを積むMOCVDです。

プラズマCVDは、ガスをプラズマにして低い温度で膜をつけます。サムコのPD-330STCは80℃から成膜できます。熱CVDは炉で温めて膜をつけ、東京エレクトロンのTELINDY PLUSは室温から1100℃まで使えます。

ALDは、複数のガスを交互に流して、原子の層ごとに膜を積む方法です。深い溝や三次元構造にも均一な膜がつきます。東京エレクトロンのEVAROSはALDのSiO2・SiNに、TELINDY PLUSはALDとLPCVDの両方に使えます。

バッチ式は縦型の炉で多くのウェーハをまとめて処理します。東京エレクトロンのEVAROSは最大200枚、TELINDY PLUSは最大125枚です。枚葉式は1枚ずつ処理し、ニューフレアテクノロジーのEPIREVO S6は10µmの膜なら1時間に4枚です。

有機金属のガスを原料に、GaNやAlGaNなどの化合物半導体の膜を積む装置です。LEDや紫外LED、GaNパワーデバイスのウェーハを作ります。日本酸素のUR26Kは8インチを6枚まとめて成膜し、ニューフレアテクノロジーのEPIREVO G8は200mmのSi基板にGaNを積みます。

ニューフレアテクノロジーのEPIREVO S6は、150mmウェーハに50µm/h以上で積めます。膜厚150µmまで続けて成長でき、膜厚分布は2%以下です。

サムコのPD-220NLは、トレイに2インチを9枚並べて処理できます。アルバックのCC-200は研究開発から少量生産まで使える小型のPE-CVDです。MOCVDなら日本酸素のSR4000が4インチ1枚・2インチ3枚に使えます。

反応室の内側にも膜がつくので、定期的に取り除きます。アルバックのCC-200はCF4＋O2プラズマで、オックスフォード・インストゥルメンツのPlasmaPro 100 PECVDはその場で洗えます。日本酸素のUR26Kには炉内部品の洗浄システムが付きます。

KOKUSAI ELECTRICは、2024年の投資家向け説明会で、バッチALDでの自社のシェアを70%と答えています。このページではミニバッチのAdvanced TSURUGI Plus-Ⅲを載せています。