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CVD装置バッチ式の熱CVD・ALD

バッチ式成膜装置 EVAROS

東京エレクトロン株式会社

300mmウェーハを最大200枚まとめて処理するバッチ式成膜装置です。

価格
公開価格なし（見積もり）
方式
バッチ式の熱CVD・ALD
向いている所
300mmウェーハの大量のALD成膜
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比較表での位置

バッチ式成膜装置 EVAROSは、CVD装置のメーカー7社比較⁠の方式がバッチ式の熱CVD・ALDの3製品の1つとして載っています。

  • 7社掲載社数
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  • 3製品同じ方式
  • 0製品公開価格あり
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バッチ式成膜装置 EVAROS​の強みと方式

300mmウェーハを一度に最大200枚まで処理できる、枚数の多いバッチ式です。ALDのSiO2・SiNとPolyを量産で回す工場に向きます。ヒーターはマルチゾーン制御で、昇温と温度の安定までの時間を縮めています。

向いている所300mmウェーハの大量のALD成膜

方式：バッチ式の熱CVD・ALD

縦型の炉で多くのウェーハをまとめて温め、LPCVDやALDで膜をつける方式です。ALDはガスを交互に流して、原子の層ごとに膜を積みます。量産の工場で使います。

バッチ式成膜装置 EVAROS​の仕様

方式
バッチ式の熱CVD・ALD
方式
バッチ式（マルチゾーン制御ヒーター）
基板サイズ
300mm
処理枚数
最大200枚
膜の種類
ALDのSiO2・SiN、Poly
温度
室温〜800℃
価格
—公式資料で確認できず
プラズマの周波数
—公式資料で確認できず
成膜の速さ
—公式資料で確認できず
特長
排気配管を太くして排気の抜けを良くした

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

バッチ式成膜装置 EVAROS東京エレクトロン株式会社ミニバッチ成膜装置 Advanced TSURUGI Plus-⁠Ⅲ株式会社 KOKUSAI ELECTRICSiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6株式会社ニューフレアテクノロジー
方式バッチ式の熱CVD・ALDバッチ式の熱CVD・ALDエピタキシャル成長（SiC）
方式バッチ式（マルチゾーン制御ヒーター）ミニバッチ式の熱プロセス枚葉式
基板サイズ300mm300mm150mm
処理枚数最大200枚—公式資料で確認できず枚葉、10µm成膜で毎時4枚
膜の種類ALDのSiO2・SiN、Poly—公式資料で確認できずSiC（膜厚150µmまで連続成長）
温度室温〜800℃—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
プラズマの周波数—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
成膜の速さ—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず50µm/h以上
特長排気配管を太くして排気の抜けを良くした独自構造の反応炉で膜厚の均一性を上げる膜厚分布2%以下、ドーパント濃度4%以下

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バッチ式成膜装置 EVAROS​のよくある質問

Q.バッチ式成膜装置 EVAROSはどんな人に向いている？
バッチ式成膜装置 EVAROSは、300mmウェーハの大量のALD成膜に使う人向けです。バッチ式成膜装置 EVAROSは、300mmウェーハを一度に最大200枚まで処理できる、枚数の多いバッチ式です。
Q.バッチ式成膜装置 EVAROSの強みは？
バッチ式成膜装置 EVAROSは、ALDのSiO2・SiNとPolyを量産で回す工場に向きます。ヒーターはマルチゾーン制御で、昇温と温度の安定までの時間を縮めています。
Q.バッチ式成膜装置 EVAROSはどんな方式？
バッチ式成膜装置 EVAROSの方式はバッチ式の熱CVD・ALDです。縦型の炉で多くのウェーハをまとめて温め、LPCVDやALDで膜をつける方式です。
Q.バッチ式成膜装置 EVAROSの主な仕様は？
バッチ式成膜装置 EVAROSの方式はバッチ式（マルチゾーン制御ヒーター）、基板サイズは300mmです。処理枚数は最大200枚、膜の種類はALDのSiO2・SiN、Polyです。
Q.バッチ式成膜装置 EVAROSとミニバッチ成膜装置 Advanced TSURUGI Plus-Ⅲはどっちがいい？
300mmウェーハの大量のALD成膜ならバッチ式成膜装置 EVAROS、三次元積層デバイスの難しい成膜ならKOKUSAI ELECTRICのミニバッチ成膜装置 Advanced TSURUGI Plus-Ⅲです。バッチ式成膜装置 EVAROSの方式はバッチ式（マルチゾーン制御ヒーター）、基板サイズは300mmです。KOKUSAI ELECTRICのミニバッチ成膜装置 Advanced TSURUGI Plus-Ⅲの方式はミニバッチ式の熱プロセス、基板サイズは300mmです。
Q.バッチ式成膜装置 EVAROSの温度は？
バッチ式成膜装置 EVAROSの温度は室温〜800℃です。日本酸素のMOCVD装置 SR4000の温度は制御温度で1350℃までです。
Q.バッチ式成膜装置 EVAROSの特長は？
バッチ式成膜装置 EVAROSの特長は排気配管を太くして排気の抜けを良くしたです。KOKUSAI ELECTRICのミニバッチ成膜装置 Advanced TSURUGI Plus-Ⅲの特長は独自構造の反応炉で膜厚の均一性を上げる。
Q.バッチ式成膜装置 EVAROSとSiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6はどっちがいい？
300mmウェーハの大量のALD成膜ならバッチ式成膜装置 EVAROS、SiCパワー半導体のエピ量産ならニューフレアテクノロジーのSiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6です。バッチ式成膜装置 EVAROSの方式はバッチ式（マルチゾーン制御ヒーター）、基板サイズは300mmです。ニューフレアテクノロジーのSiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の方式は枚葉式、基板サイズは150mmです。
Q.バッチ式成膜装置 EVAROSのほかに東京エレクトロンのCVD装置はある？
あります。東京エレクトロンのCVD装置には、バッチ式成膜装置 EVAROSのほかにバッチ式成膜装置 TELINDY PLUS（方式はバッチ式）があります。
Q.バッチ式成膜装置 EVAROSはどこのメーカー？
バッチ式成膜装置 EVAROSは東京エレクトロン株式会社の製品です。東京エレクトロンの主な製品分野は半導体洗浄装置・CVD装置・半導体製造装置です。

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