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CVD装置バッチ式の熱CVD・ALD

バッチ式成膜装置 TELINDY PLUS

東京エレクトロン株式会社

300mmウェーハのLPCVD・ALD・酸化をこなすバッチ式熱処理成膜装置です。

価格
公開価格なし（見積もり）
方式
バッチ式の熱CVD・ALD
向いている所
300mmのLPCVD・ALD・酸化を1台で
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比較表での位置

バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSは、CVD装置のメーカー7社比較⁠の方式がバッチ式の熱CVD・ALDの3製品の1つとして載っています。

  • 7社掲載社数
  • 11製品比較表の製品
  • 3製品同じ方式
  • 0製品公開価格あり
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バッチ式成膜装置 TELINDY PLUS​の強みと方式

LPCVD・熱ALD・酸化・アニールを1つの炉で受け持つバッチ式の熱処理成膜装置です。300mmウェーハを最大125枚まで処理します。温度は室温から1100℃まで使えます。

向いている所300mmのLPCVD・ALD・酸化を1台で

方式：バッチ式の熱CVD・ALD

縦型の炉で多くのウェーハをまとめて温め、LPCVDやALDで膜をつける方式です。ALDはガスを交互に流して、原子の層ごとに膜を積みます。量産の工場で使います。

バッチ式成膜装置 TELINDY PLUS​の仕様

方式
バッチ式の熱CVD・ALD
方式
バッチ式（熱ALD・LPCVD・酸化・アニール）
基板サイズ
300mm
処理枚数
最大125枚
膜の種類
ALDのSiO2・SiN・High-k、CVDのSi・SiO2・SiN
温度
室温〜1100℃
価格
—公式資料で確認できず
プラズマの周波数
—公式資料で確認できず
成膜の速さ
—公式資料で確認できず
特長
ウェーハ移載機構と新しいフレーム構造

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

バッチ式成膜装置 TELINDY PLUS東京エレクトロン株式会社ミニバッチ成膜装置 Advanced TSURUGI Plus-⁠Ⅲ株式会社 KOKUSAI ELECTRICSiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6株式会社ニューフレアテクノロジー
方式バッチ式の熱CVD・ALDバッチ式の熱CVD・ALDエピタキシャル成長（SiC）
方式バッチ式（熱ALD・LPCVD・酸化・アニール）ミニバッチ式の熱プロセス枚葉式
基板サイズ300mm300mm150mm
処理枚数最大125枚—公式資料で確認できず枚葉、10µm成膜で毎時4枚
膜の種類ALDのSiO2・SiN・High-k、CVDのSi・SiO2・SiN—公式資料で確認できずSiC（膜厚150µmまで連続成長）
温度室温〜1100℃—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
プラズマの周波数—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
成膜の速さ—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず50µm/h以上
特長ウェーハ移載機構と新しいフレーム構造独自構造の反応炉で膜厚の均一性を上げる膜厚分布2%以下、ドーパント濃度4%以下

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バッチ式成膜装置 TELINDY PLUS​のよくある質問

Q.バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSはどんな人に向いている？
バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSは、300mmのLPCVD・ALD・酸化を1台で使う人向けです。バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSは、LPCVD・熱ALD・酸化・アニールを1つの炉で受け持つバッチ式の熱処理成膜装置です。
Q.バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSの強みは？
バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSは、300mmウェーハを最大125枚まで処理します。温度は室温から1100℃まで使えます。
Q.バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSはどんな方式？
バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSの方式はバッチ式の熱CVD・ALDです。縦型の炉で多くのウェーハをまとめて温め、LPCVDやALDで膜をつける方式です。
Q.バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSの主な仕様は？
バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSの方式はバッチ式（熱ALD・LPCVD・酸化・アニール）、基板サイズは300mmです。処理枚数は最大125枚、膜の種類はALDのSiO2・SiN・High-k、CVDのSi・SiO2・SiNです。
Q.バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSとミニバッチ成膜装置 Advanced TSURUGI Plus-Ⅲはどっちがいい？
300mmのLPCVD・ALD・酸化を1台でならバッチ式成膜装置 TELINDY PLUS、三次元積層デバイスの難しい成膜ならKOKUSAI ELECTRICのミニバッチ成膜装置 Advanced TSURUGI Plus-Ⅲです。バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSの方式はバッチ式（熱ALD・LPCVD・酸化・アニール）、基板サイズは300mmです。KOKUSAI ELECTRICのミニバッチ成膜装置 Advanced TSURUGI Plus-Ⅲの方式はミニバッチ式の熱プロセス、基板サイズは300mmです。
Q.バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSの温度は？
バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSの温度は室温〜1100℃です。日本酸素のMOCVD装置 SR4000の温度は制御温度で1350℃までです。
Q.バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSの特長は？
バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSの特長はウェーハ移載機構と新しいフレーム構造です。KOKUSAI ELECTRICのミニバッチ成膜装置 Advanced TSURUGI Plus-Ⅲの特長は独自構造の反応炉で膜厚の均一性を上げる。
Q.バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSとSiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6はどっちがいい？
300mmのLPCVD・ALD・酸化を1台でならバッチ式成膜装置 TELINDY PLUS、SiCパワー半導体のエピ量産ならニューフレアテクノロジーのSiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6です。バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSの方式はバッチ式（熱ALD・LPCVD・酸化・アニール）、基板サイズは300mmです。ニューフレアテクノロジーのSiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6の方式は枚葉式、基板サイズは150mmです。
Q.バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSのほかに東京エレクトロンのCVD装置はある？
あります。東京エレクトロンのCVD装置には、バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSのほかにバッチ式成膜装置 EVAROS（方式はバッチ式）があります。
Q.バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSはどこのメーカー？
バッチ式成膜装置 TELINDY PLUSは東京エレクトロン株式会社の製品です。東京エレクトロンの主な製品分野は半導体洗浄装置・CVD装置・半導体製造装置です。

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