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CVD装置MOCVD（有機金属CVD）

MOCVD装置 EPIREVO G8

株式会社ニューフレアテクノロジー

200mmのSi基板にGaNを成膜する枚葉式MOCVD装置です。

価格
公開価格なし（見積もり）
方式
MOCVD（有機金属CVD）
向いている所
200mmのSi基板にGaNを積む
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比較表での位置

MOCVD装置 EPIREVO G8は、CVD装置のメーカー7社比較⁠の方式がMOCVD（有機金属CVD）の3製品の1つとして載っています。

  • 7社掲載社数
  • 11製品比較表の製品
  • 3製品同じ方式
  • 0製品公開価格あり
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MOCVD装置 EPIREVO G8​の強みと方式

200mmのSi基板の上にGaNを積む枚葉式のMOCVD装置です。成長の速さは9µm/h以上です。原料のTMGを20%以上使い切り、LEDやパワーデバイスのコストを下げます。

向いている所200mmのSi基板にGaNを積む

方式：MOCVD（有機金属CVD）

有機金属のガスを原料に、GaNやAlGaNなどの化合物半導体の膜を積む方式です。LED・レーザー・GaNパワーデバイスのウェーハを作ります。研究用の小型から量産用の多数枚まであります。

MOCVD装置 EPIREVO G8​の仕様

方式
MOCVD（有機金属CVD）
方式
枚葉式MOCVD
基板サイズ
200mm（Si基板）
処理枚数
枚葉
膜の種類
GaN
温度
1100℃でスリップフリー
価格
—公式資料で確認できず
プラズマの周波数
—公式資料で確認できず
成膜の速さ
9µm/h以上
特長
TMGの利用効率20%以上

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

MOCVD装置 EPIREVO G8株式会社ニューフレアテクノロジーMOCVD装置 SR4000日本酸素株式会社MOCVD装置 UR26K日本酸素株式会社
方式MOCVD（有機金属CVD）MOCVD（有機金属CVD）MOCVD（有機金属CVD）
方式枚葉式MOCVD研究開発向けの小型MOCVD量産向けMOCVD
基板サイズ200mm（Si基板）4インチ、2インチ8インチ
処理枚数枚葉4インチ1枚、2インチ3枚8インチ6枚
膜の種類GaNAlGaNGaN
温度1100℃でスリップフリー制御温度で1350℃まで—公式資料で確認できず
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
プラズマの周波数—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
成膜の速さ9µm/h以上—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
特長TMGの利用効率20%以上—公式資料で確認できずカセット搬送と炉内部品の洗浄システム付き

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MOCVD装置 EPIREVO G8​のよくある質問

Q.MOCVD装置 EPIREVO G8はどんな人に向いている？
MOCVD装置 EPIREVO G8は、200mmのSi基板にGaNを積む人向けです。MOCVD装置 EPIREVO G8は、200mmのSi基板の上にGaNを積む枚葉式のMOCVD装置です。
Q.MOCVD装置 EPIREVO G8の強みは？
成長の速さは9µm/h以上です。原料のTMGを20%以上使い切り、LEDやパワーデバイスのコストを下げます。
Q.MOCVD装置 EPIREVO G8はどんな方式？
MOCVD装置 EPIREVO G8の方式はMOCVD（有機金属CVD）⁠で⁠す⁠。有機金属のガスを原料に、GaNやAlGaNなどの化合物半導体の膜を積む方式です。
Q.MOCVD装置 EPIREVO G8の主な仕様は？
MOCVD装置 EPIREVO G8の方式は枚葉式MOCVD、基板サイズは200mm（Si基板）⁠で⁠す⁠。処理枚数は枚葉、膜の種類はGaNです。
Q.MOCVD装置 EPIREVO G8とMOCVD装置 SR4000はどっちがいい？
200mmのSi基板にGaNを積むならMOCVD装置 EPIREVO G8、AlGaNデバイスと紫外LEDの研究開発なら日本酸素のMOCVD装置 SR4000です。MOCVD装置 EPIREVO G8の方式は枚葉式MOCVD、基板サイズは200mm（Si基板）⁠で⁠す⁠。日本酸素のMOCVD装置 SR4000の方式は研究開発向けの小型MOCVD、基板サイズは4インチ、2インチです。
Q.MOCVD装置 EPIREVO G8の温度は？
MOCVD装置 EPIREVO G8の温度は1100℃でスリップフリーです。日本酸素のMOCVD装置 SR4000の温度は制御温度で1350℃までです。
Q.MOCVD装置 EPIREVO G8の成膜の速さは？
MOCVD装置 EPIREVO G8の成膜の速さは9µm/h以上です。サムコの液体ソースCVD装置 PD-330STCの成膜の速さは100nm/min以上です。
Q.MOCVD装置 EPIREVO G8とMOCVD装置 UR26Kはどっちがいい？
200mmのSi基板にGaNを積むならMOCVD装置 EPIREVO G8、マイクロLEDとGaNパワーの量産なら日本酸素のMOCVD装置 UR26Kです。MOCVD装置 EPIREVO G8の方式は枚葉式MOCVD、基板サイズは200mm（Si基板）⁠で⁠す⁠。日本酸素のMOCVD装置 UR26Kの方式は量産向けMOCVD、基板サイズは8インチです。
Q.MOCVD装置 EPIREVO G8のほかにニューフレアテクノロジーのCVD装置はある？
あります。ニューフレアテクノロジーのCVD装置には、MOCVD装置 EPIREVO G8のほかにSiCエピタキシャル成長装置 EPIREVO S6（方式は枚葉式）があります。
Q.MOCVD装置 EPIREVO G8はどこのメーカー？
MOCVD装置 EPIREVO G8は株式会社ニューフレアテクノロジーの製品です。ニューフレアテクノロジーの主な製品分野はCVD装置です。

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