GUIDE / CVD-SOUCHICVD装置とは？
CVD装置とは？半導体・電子部品のCVD装置の種類（プラズマCVD・熱CVDとALD・SiCエピ・MOCVD）と、基板サイズ・温度・処理枚数の選び方
ウェーハに
この
CVD装置は、
CVD装置とは
CVD装置は、
比較ページには、
4つの種類
- プラズマCVD：
ガスを プラズマにして、 低い温度で 絶縁膜を つけます。例は サムコの PD-220NLと PD-330STC、 アルバックの CC-200、 オックスフォード・ インストゥルメンツ の PlasmaPro 100 PECVDです - バッチ式の
熱 CVD・ ALD： 縦型の 炉で多くの ウェーハを まとめて 処理します。例は 東京エレクトロンの TELINDY PLUSと EVAROS、 KOKUSAI ELECTRICの Advanced TSURUGI Plus-Ⅲです - エピタキシャル
成長（SiC）：高い 温度で 結晶の 膜を積みます。例は ニューフレアテクノロジー の EPIREVO S6です - MOCVD：
有機金属の ガスを 原料に GaNや AlGaNを 積みます。例は 日本酸素の SR4000と UR26K、 ニューフレアテクノロジー の EPIREVO G8です
プラズマCVDと熱CVDの違い
- プラズマCVDは
温度を 低くできます。 サムコの PD-330STCは、 80℃から 成膜でき、 プラスチックの 上にも 膜をつけられます - サムコの
PD-220NLは、 13.56MHzに 400kHzを 重ねる 2周波で、 膜の応力を 調整できます - 熱
CVDは 炉で温めて 膜をつけます。 東京エレクトロンの TELINDY PLUSは、 室温から 1100℃まで 使えます
ALDとCVDの違い
- ALDは、
複数の ガスを 交互に 流して、 原子の 層ごとに 膜を積む方法です。 深い溝や 三次元構造にも 均一な 膜がつきます - 東京エレクトロンの
EVAROSは、 ALDの SiO2・SiNと Polyに 使えます - KOKUSAI ELECTRICは、
2024年の 投資家向け説明会で、 バッチALDでの 自社の シェアを 70%と 答えています
バッチ式と枚葉式
- バッチ式は
量産向けです。 東京エレクトロンの EVAROSは、 300mm ウェーハを 最大200枚 まとめて 処理します - TELINDY PLUSは、
300mm ウェーハを 最大125枚まで 処理します - 枚葉式は
1枚ずつ 処理します。 ニューフレアテクノロジー の EPIREVO S6は、 10µmの 膜なら 1時間に 4枚です
SiCエピとMOCVD
- ニューフレアテクノロジー
の EPIREVO S6は、 150mmの SiCウェーハに 50µm/h以上 で積めます。 膜厚は 150µmまで 続けて 成長できます - 日本酸素の
SR4000は 研究開発向けの 小型で、 制御温度で 1350℃まで 上げられます。 4インチなら 1枚、 2インチなら 3枚です - 日本酸素の
UR26Kは 量産向けで、 8インチを 6枚 まとめて 成膜します - ニューフレアテクノロジー
の EPIREVO G8は、 200mmの Si基板に GaNを9µm/h以上 で積みます
手入れと値段
- 反応室の
内側にも 膜がつきます。 アルバックの CC-200は CF4＋O2プラズマで、 PlasmaPro 100 PECVDは その場で 洗えます - 原料の
ガスには 毒性や 燃えやすい ものが あります。 除害装置と 配管も 合わせて 用意します - この
ページの 11製品は、 どれも 値段を 公式に 出していません。 見積もりで 比べます
COMPARECVD装置の
CVD装置のメーカー7社を比べる
混ぜる・プラズマCVD・
混ぜる・ウエハ前工程の
混ぜる・マルチチャンバー・