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ナノインプリント装置ステップ&リピート式

ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2C

キヤノン株式会社

半導体デバイス向けのナノインプリント機

価格
公開価格なし(見積もり)
転写のしかた
ステップ&リピート式
向いている所
最先端の半導体デバイス製造

比較表での位置

ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cは、ナノインプリント装置のメーカー10社比較⁠の転写のしかた「ステップ&リピート式」の3製品の1つとして載っています。

  • 10社掲載社数
  • 15製品比較表の製品
  • 3製品同じ転写のしかた
  • 0製品公開価格あり
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ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2C​の強みと方式

回路を刻んだマスクをウエハー上のレジストに押し付けて回路を作る、半導体デバイス製造向けの装置です。300mmウエハーに26×33mmの範囲で転写し、重ね合わせ精度は4nm以下です。光源の波長で微細化しないため、投影露光装置より消費電力を大きく減らせます。

向いている所最先端の半導体デバイス製造

転写のしかた:ステップ&リピート式

小さな型で転写しては基板を送り、同じ形を繰り返し写す型です。基板より小さな型で済み、位置を合わせて重ねられます。大きな基板のマスター作りや、半導体デバイスの製造で使います。

ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2C​の仕様

転写のしかた
ステップ&リピート式
方式
マスク(型)をウエハー上のレジストに押し付けて形成
基板・ワーク
300mm(12インチ)
加圧
—公式資料で確認できず
温度
—公式資料で確認できず
UV光
—公式資料で確認できず
位置合わせ
重ね合わせ精度4nm以下
外形寸法
W2,700×D6,600×H2,830mm(2ステーション)
価格
—公式資料で確認できず
転写範囲
26×33mm
モールド
マスク6インチ
解像度
—公式資料で確認できず
処理量
—公式資料で確認できず
真空度
—公式資料で確認できず
プレス速度
—公式資料で確認できず
質量
—公式資料で確認できず
電源
—公式資料で確認できず

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cキヤノン株式会社ナノインプリントステッパー ImpFlex-Essential Stepper株式会社三明ステップ&リピート装置 EVG 770 NTイーヴィグループジャパン株式会社
転写のしかたステップ&リピート式ステップ&リピート式ステップ&リピート式
方式マスク(型)をウエハー上のレジストに押し付けて形成UVナノインプリント(自動ステップはオプション)ステップ&リピート(LED露光)
基板・ワーク300mm(12インチ)2〜8インチ80mm、4インチ、6インチ、8インチ、12インチ、Gen2(370×470mm)
加圧—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
温度—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
UV光—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず365nm、300mW/cm²超
位置合わせ重ね合わせ精度4nm以下±1μm(マークサイズによる)—公式資料で確認できず
外形寸法W2,700×D6,600×H2,830mm(2ステーション)1800(H)×760(W)×1160(D)—公式資料で確認できず
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
転写範囲26×33mm—公式資料で確認できず30cm²
モールドマスク6インチ石英、PDMS最大80×80mm
解像度—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
処理量—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
真空度—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
プレス速度—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
質量—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
電源—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず

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ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2C​のよくある質問

Q.ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cはどんな人に向いている?
ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cは、最先端の半導体デバイス製造に使う人向けです。ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cは、回路を刻んだマスクをウエハー上のレジストに押し付けて回路を作る、半導体デバイス製造向けの装置です。
Q.ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cの強みは?
ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cは、300mmウエハーに26×33mmの範囲で転写し、重ね合わせ精度は4nm以下です。光源の波長で微細化しないため、投影露光装置より消費電力を大きく減らせます。
Q.ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cはどんな方式?
ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cの転写のしかたはステップ&リピート式です。小さな型で転写しては基板を送り、同じ形を繰り返し写す型です。
Q.ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cの主な仕様は?
ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cの方式はマスク(型)をウエハー上のレジストに押し付けて形成、基板・ワークは300mm(12インチ)⁠で⁠す⁠。位置合わせは重ね合わせ精度4nm以下、外形寸法はW2,700×D6,600×H2,830mm(2ステーション)⁠で⁠⁠⁠⁠す⁠。
Q.ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cとナノインプリントステッパー ImpFlex-Essential Stepperはどっちがいい?
最先端の半導体デバイス製造ならナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2C、デバイス試作の位置合わせ転写なら三明のナノインプリントステッパー ImpFlex-Essential Stepperです。ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cの方式はマスク(型)をウエハー上のレジストに押し付けて形成、基板・ワークは300mm(12インチ)⁠で⁠す⁠。三明のナノインプリントステッパー ImpFlex-Essential Stepperの方式はUVナノインプリント(自動ステップはオプション)、基板・ワークは2〜8インチです。
Q.ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cの転写範囲は?
ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cの転写範囲は26×33mmです。イーヴィグループジャパンのステップ&リピート装置 EVG 770 NTの転写範囲は30cm²です。
Q.ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cのモールドは?
ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cのモールドはマスク6インチです。三明のナノインプリントステッパー ImpFlex-Essential Stepperのモールドは石英、PDMSです。
Q.ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cとステップ&リピート装置 EVG 770 NTはどっちがいい?
最先端の半導体デバイス製造ならナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2C、マスター型の製作ならイーヴィグループジャパンのステップ&リピート装置 EVG 770 NTです。ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cの方式はマスク(型)をウエハー上のレジストに押し付けて形成、基板・ワークは300mm(12インチ)⁠で⁠す⁠。イーヴィグループジャパンのステップ&リピート装置 EVG 770 NTの方式はステップ&リピート(LED露光)、基板・ワークは80mm、4インチ、6インチ、8インチ、12インチ、Gen2(370×470mm)⁠で⁠⁠⁠⁠す⁠。
Q.ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cはどこのメーカー?
ナノインプリント半導体製造装置 FPA-1200NZ2Cはキヤノン株式会社の製品です。登記上の本店は〒146-0092 東京都大田区下丸子3丁目30番2号。キヤノンの主な製品分野はPTZカメラ・ナノインプリント装置・半導体用ステッパー・複合機です。

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