半導体材料のメーカー9社比較【2026年】

このページの製品は、どれも公式に値段を出していません。高純度化学研究所のSIET5128は品番を指定して問い合わせ、東ソーのGaNターゲットは1枚から買えます。材料・純度・寸法・数量を伝えて、見積もりを取ります。

このページでは、膜を作るスパッタリングターゲット、素子の土台になる化合物半導体基板、チップを守る封止材の3つに分けました。シリコンウェーハ・フォトレジスト・シランは、それぞれ別の比較で扱います。

真空の装置の中でアルゴンのイオンをぶつけ、はじき出した原子をウェーハやガラスに付けて薄い膜を作るときの、材料の板です。JX金属の説明では、イオンがぶつかる的（ターゲット）⁠か⁠ら付いた名前です。

Nの前の数字が大きいほど純度が高く、JX金属のCuターゲットの6Nは99.9999%以上です。東ソーのGaNターゲットと高純度化学研究所のSIET5128は5Nです。フルウチ化学のNiOターゲットは、原料の分析値で3N〜4Nです。

東ソーのGaNターゲットは丸形で直径300mmまで、フルウチ化学のNiOターゲットは直径5mmから8インチ程度まで作ります。高純度化学研究所のSIET5128は直径152.4mm、厚さ5mmです。JX金属のCuターゲットは、スパッタ装置やウエハー径を問わず作ります。

GaAs・InPのように、複数の元素でできた半導体です。住友電工の説明では、シリコンより電子の動きがはるかに速く、高速の信号処理や光に反応する素子に向きます。一方で結晶の欠陥が多く割れやすく、大きなウェーハにしにくい材料です。

住友電工の案内では、GaAs基板はスマートフォンのパワーアンプ・スイッチやLED、太陽電池のセルに、InP基板は光通信のモジュールに使います。JX金属のInP基板は、受光・発光素子、超高速の電子デバイス、赤外線検出器に使います。

住友電工の半絶縁性GaAs基板は直径150mmで、VB法で育てます。DOWAエレクトロニクスのGaAs基板はVGF法で2〜6インチ、JX金属のInP基板は2〜4インチです。

チップを包んで守る樹脂です。住友ベークライトの案内では、チップの保護、外からの絶縁、チップの熱を逃がすこと、実装のときの扱いやすさが役割です。金型で固める固形の成形材料（スミコンEME・CEL）と⁠、チップの下に流し込む液状のアンダーフィル（ナミックス）があります。

ガラス転移温度・熱膨張係数・流れやすさ（スパイラルフロー・粘度）を見ます。レゾナックのCEL-9240 ZHF10HT3Wはガラス転移温度125°C・熱伝導率3W/m・K、ナミックスのU8410-73Cは粘度50Pa・s・Tg88°Cです。住友ベークライトのG630AYは、スパイラルフロー100・ゲルタイム40秒です。

住友ベークライトのスミコンEMEは、ブロム系とアンチモン系の難燃剤を使わずに、難燃性の規格UL-94 V-0を満たしています。レゾナックのCEL-9240 ZHF10HT3Wは難燃剤レスです。