GUIDE / SEMICONDUCTOR-MATERIAL半導体材料とは?
半導体材料とは?ターゲット・化合物半導体基板・封止材の違いと、純度・サイズ・特性の選び方
半導体の

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半導体材料は、
半導体材料とは
半導体材料は、
比較ページには、
3つの種類
- スパッタリングターゲットは、
膜を 作る ための 材料の 板です。 例は、 JX金属のCu ターゲット 6N、 東ソー のGaNターゲット、 高純度化学研究所の SIET5128、 フルウチ化学 のNiO ターゲットです - 化合物半導体基板は、
GaAs・ InPのように 複数の 元素で できた 単結晶の 基板です。 例は、 住友電工の 半絶縁性GaAs基板、 DOWAエレクトロニクスの VGF-n型 LDグレード、 JX金属の InP基板です - 封止材は、
チップを 包んで 守る 樹脂です。例は、 住友ベークライトの スミコンEME、 レゾナックの CELシリーズ、 ナミックスの アンダーフィル 剤です
スパッタリングターゲットの選び方
- JX金属の
説明では、 スパッタリングは、 真 空の 装置の中で ターゲットに アルゴンの イオンを ぶつけ、 はじき出した 原子を ウェーハや ガラスに 付けて 薄い膜を 作る 技術です - 純度は
Nで 表し、 JX金属のCu ターゲットの 6Nは 99.9999%以上です。 東ソー のGaN ターゲットと 高純度化学研究所の SIET5128は 5Nです - フルウチ化学
のNiO ターゲットの 純度は、 原料の 分析値で 3N〜4Nです。 製品の 値か 原料の 値かを 確かめます - 大きさは、
東ソー のGaN ターゲットが 丸形で 直径300mmまで、 フルウチ化学 のNiOが 直径5mmから 8インチ 程度までです - 東ソー
のGaN ターゲットと フルウチ化学 のNiOターゲットは、 1枚から 頼めます
化合物半導体基板の選び方
- 住友電工の
説明では、 化合物半導体は シリコンより 電子の 動きが はるかに 速く、 高速の 信号処理や 光に 反応する 素子に 向きます。 一方で、 結晶の 欠陥が 多く 割れやすく、 大きな ウェーハにしにくい材料です - 使い道で
選びます。 住友電工の 案内では、 GaAs基板は スマートフォンの パワーアンプ・スイッチや LED、 InP基板は 光通信の モジュールに 使います - 結晶の
作り方は、 住友電工の 半絶縁性GaAs基板が VB法、 DOWAエレクトロニクスの GaAs基板が VGF法です - 導電型も
決めます。 住友電工の 基板は 半絶縁性、 DOWAエレクトロニクスの LDグレードは Siドープの n型です。 JX金属の InP基板は、 S・ Sn・ Zn・ Feの ドープと ドープなしから 選べます - 直径は、
住友電工の 半絶縁性GaAs基板が 150mm、 DOWAエレクトロニクスの GaAs基板が 2〜6インチ、 JX金属の InP基板が 2〜4インチです
封止材の選び方
- 住友ベークライトの
案内では、 封止材の 役割は、 チップの 保護、 外からの 絶縁、 チップの 熱を 逃が すこと、 実装の ときの 扱いやすさです - 金型で
固める 固形の 成形材料と、 チップの 下の すき間に 流し込む液状の アンダーフィルが あります。 パッケージの 形と 成形方法を 先に 決めます - ガラス転移温度を
見ます。 レゾナックの CEL-9240 ZHF10HT3Wは 125°C、 ナミックスの U8410-73Cは 88°Cです - 熱を
逃が したい ときは、 熱伝導率を 見ます。 レゾナックの CEL-9240 ZHF10HT3Wは 3W/m・Kです - 難燃も
確かめます。 住友ベークライトの スミコンEMEは、 ブロム系と アンチモン 系の 難燃剤を 使わずに UL-94 V-0を 満たします
値段
- この
ページの 製品は、 どれも 公式に 値段を 出していません - 材料・純度・寸法・
数量 (基板は 直径・ 厚さ・ 面方位・ 導電型も)を 伝えて、 見積もりを 取ります
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