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半導体・電子部品・プリント基板の工場で、回路やバンプを作るフォトレジストとソルダーレジストを選ぶ、プロセス技術・生産技術・購買の担当の方へ

フォトレジストのメーカー10社比較【2026年】

フォトレジストは、光を当てて回路の形を
写し取るための感光性の樹脂です。

ABOUT

フォトレジストとは

比較表を見る ↓

フォトレジストとは、半導体やプリント基板の回路を作るときに、塗ったり貼ったりして使う感光性の樹脂です。
光を当てて現像すると、回路の形のとおりに膜が残ります。
感光性レジスト・レジストとも呼びます。

製品の特長

  • 光の波長で選ぶ(g線・i線・KrF・ArF・EUV)
  • 液状とドライフィルムがある(ウエハーは塗る、基板は貼る)
  • ポジ型とネガ型がある(光が当たった所が消えるか残るか)

使うメリット

  • 細い回路が作れる(TDUR-P3435は150nm⁠のラインを狙う)
  • めっきの型になる(バンプ・Cuピラーを立てる)
  • 基板を守る膜にもなる(ソルダーレジスト)

選ぶときに注意すること

  1. 露光装置の光源の波長に合うものを選ぶ
  2. 現像液がTMAHか炭酸ナトリウムか溶剤かを、ラインに合わせる
  3. 値段は公開されていない。品番と量を伝えて見積もりを取る
  4. ドライフィルムは保管の温度と保証期間を守る

※仕様は各メーカーの公式の製品ページ・カタログによる。波長と現像の仕組みは東京応化工業・富士フイルム・信越化学工業の解説による。

LIST

フォトレジストの比較表

コストは、値段を公開している製品どうしで比べています。値段を出していない製品は「要見積」。

CSV

フォトレジスト13製品の比較
製品・メーカーコスト製品の強み仕様公式ページ

半導体の回路用(g線〜EUV)

4製品
信越化学工業株式会社フォトレジスト SEPR・SAIL・SEVRシリーズi線からEUVまでの半導体工程口コミを書く要見積

i線からKrF・ArF・EUVまでの光源に合わせたフォトレジストをそろえています。レジストの下に塗る中間膜・下層膜の材料も一緒に出しています。半導体のほか、磁気ヘッドの製造工程でも使われています。

種類
半導体の回路用(g線〜EUV)
露光
i線、KrF、ArF、EUV
用途
半導体製造工程、磁気ヘッド製造工程
記載なし
ポジ・ネガ・形・膜厚・解像度・現像液・露光量
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
住友化学株式会社フォトレジスト スミレジスト液浸ArF・EUVの最先端工程口コミを書く要見積

i線から液浸ArF・EUVまでの露光に合わせたフォトレジストをそろえています。3次元フラッシュメモリの製造や、パッケージングの厚膜レジストにも製品があります。品番ごとの仕様は公開していないので、工程を伝えて相談します。

種類
半導体の回路用(g線〜EUV)
露光
i線、KrF、ArF、液浸ArF、EUV
用途
半導体、3次元フラッシュメモリ、パッケージング用の厚膜
記載なし
ポジ・ネガ・形・膜厚・解像度・現像液・露光量
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
東京応化工業株式会社KrFポジ型レジスト TDUR-P3435KrF露光のライン形成口コミを書く要見積

ライン形成用に作ったKrFのポジ型レジストです。公式の条件では膜厚250nmと190nmで、150nmのラインを狙っています。メタルやインプラントの工程で使われています。

種類
半導体の回路用(g線〜EUV)
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
ポジ型
露光
KrF(⁠248nm⁠)
膜厚
250nm、190nm
解像度
150nmライン
現像液
NMD-3 2.38%
用途
メタル・インプラント工程のライン形成
記載なし
形・露光量
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
富士フイルム株式会社i線用レジスト OiR 620シリーズi線で350nm未満の線幅口コミを書く要見積

非反射基板の上で、350nm未満の厳しい線幅を作るためのi線用レジストです。富士フイルムは、反射基板用・厚膜用・染料入りのi線用レジストも別のシリーズで出しています。

種類
半導体の回路用(g線〜EUV)
露光
i線
解像度
CD 350nm未満
用途
非反射基板のクリティカルCDのパターン
記載なし
ポジ・ネガ・形・膜厚・現像液・露光量
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様

厚膜・めっき・MEMS用

5製品
旭化成株式会社厚膜ドライフィルムレジスト サンフォート CXシリーズラミネート1回で厚い膜を作る口コミを書く要見積

1回のラミネートで200μm以上の厚い膜が作れるドライフィルムです。液状レジストのように何度も塗り重ねなくて済みます。Cuピラーやバンプのめっきに使います。

種類
厚膜・めっき・MEMS用
形
ドライフィルム
膜厚
200μm以上
用途
Cuピラー・Cuバンプのめっき
記載なし
ポジ・ネガ・露光・解像度・現像液・露光量
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
JSR株式会社めっき用厚膜フォトレジスト THB-170N背の高いCuピラーのめっき口コミを書く要見積

背の高いCuピラーを立てる用途のネガ型の厚膜レジストです。JSRの資料では、高いCuピラー向けは膜厚100μm超の区分です。1回のスピンコートで100μmの膜が取れます。

種類
厚膜・めっき・MEMS用
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
ネガ型
形
液状(⁠スピンコート⁠)
膜厚
100μm超
用途
高いCuピラーのめっき
記載なし
露光・解像度・現像液・露光量
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様カタログ(PDF)
東京応化工業株式会社めっき用厚膜レジスト PMER P-BKシリーズバンプ・Cuピラーのめっき口コミを書く要見積

めっきでバンプを立てる工程向けのポジ型の厚膜レジストです。膜厚20〜65μmで、Cu・Ni・SnAgの連続めっきにも使えます。めっきのあとの剥離も楽です。

種類
厚膜・めっき・MEMS用
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
ポジ型
露光
i線
膜厚
20〜65μm
現像液
TMAH 2.38%
用途
Cuピラー・マイクロバンプのめっき
記載なし
形・解像度・露光量
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
日本化薬株式会社永久膜用ドライフィルムレジスト SU-8 3000CF DFRMEMS・中空構造の壁やふた口コミを書く要見積

形を作ったあとも残して部品の一部にする、永久膜用のエポキシ系ドライフィルムです。下の空洞を埋めずに貼れるので、SAW・BAWフィルターやMEMSの中空構造の壁とふたが作れます。20μmの膜でアスペクト比3以上の垂直な形が出ます。

種類
厚膜・めっき・MEMS用
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
ネガ型
露光
i線(⁠365nm⁠)
形
ドライフィルム
膜厚
20、30、45μm
解像度
膜厚20μmでアスペクト比3以上
現像液
PGMEA(溶剤現像)
用途
MEMS、SAW・BAWフィルター、半導体パッケージ
記載なし
露光量
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
株式会社レゾナック厚膜用感光性フィルム Photec HM-4056基板の厚い銅めっき・⁠⁠⁠電鋳口コミを書く要見積

穴の径や線幅の2倍以上の厚さのレジストが作れる、厚膜用の感光性フィルムです。HM-4056は膜厚56μmで、L/S 25μmまで解像します。現像と剥離は、プリント配線板でふつうに使う炭酸ナトリウムの液で済みます。

種類
厚膜・めっき・MEMS用
露光
超高圧水銀ランプ(平行光露光機)
形
感光性フィルム
膜厚
56μm
解像度
L/S 25μm
現像液
炭酸ナトリウム水溶液
用途
プリント配線板の銅めっき、メタルマスクの電鋳
露光量
85mJ/cm²
記載なし
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様

基板の回路用ドライフィルム

2製品
旭化成株式会社LDI用ドライフィルムレジスト サンフォート ADP&DAシリーズLDI露光のパッケージ基板口コミを書く要見積

マスクを使わないレーザー直接露光(LDI)に合わせた感光性ドライフィルムです。MSAP・SAP工法のめっき工程で傷みにくく、サーバー・AI向けのFC-BGAやスマートフォン向けのFC-CSPの基板に使われています。

種類
基板の回路用ドライフィルム
露光
LDI(レーザー直接露光)
形
ドライフィルム
用途
パッケージ基板(MSAP・SAP工法)
記載なし
ポジ・ネガ・膜厚・解像度・現像液・露光量
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
株式会社レゾナック感光性フィルム Photec RY-5107UTパッケージ基板の微細な回路口コミを書く要見積

膜厚7μmで、L/S 4μm以下の回路が作れる感光性フィルムです。ステッパー露光機に対応し、セミアディティブ工法で半導体パッケージ基板の細い配線を作ります。

種類
基板の回路用ドライフィルム
露光
i線(投影露光機)
形
感光性フィルム
膜厚
7μm
解像度
L/S 4μm以下
現像液
1.0wt% 炭酸ナトリウム水溶液
用途
パッケージ基板の微細回路(セミアディティブ工法)
露光量
200mJ/cm²
記載なし
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様

ソルダーレジスト

2製品
太陽ホールディングス株式会社ソルダーレジスト PSR-4000 G24K基板の標準のソルダーレジスト口コミを書く要見積

スクリーン印刷で塗る2液性のアルカリ現像型ソルダーレジストで、公式では工程管理の幅が広いスタンダードな製品と案内しています。金めっきや水溶性フラックスに強く、露光は200〜700mJ/cm²、現像は1wt%の炭酸ナトリウムで行います。

種類
ソルダーレジスト
露光
UV露光
形
2液性インキ、スクリーン印刷
現像液
1wt% Na2CO3(アルカリ現像)
用途
プリント基板の表面保護(金めっき・水溶性フラックス耐性)
露光量
200〜700mJ/cm²
記載なし
ポジ・ネガ・膜厚・解像度
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様
株式会社タムラ製作所液状ソルダーレジスト DSR-2200P21-11HR車載基板・銅の厚い基板口コミを書く要見積

DI露光機で焼き付ける、スプレー塗布タイプの液状ソルダーレジストです。銅の厚い基板でもパターンの角を覆え、高温高湿の絶縁試験でもイオンマイグレーションが出ていません。ハロゲンフリーで、主な用途は自動車です。

種類
ソルダーレジスト
露光
DI露光(ランプ光源)
形
液状、スプレー塗布
解像度
ソルダーダム50μm(導体厚35μm)
現像液
アルカリ現像
用途
自動車の基板
露光量
100mJ/cm²
記載なし
ポジ・ネガ・⁠⁠⁠膜厚
公式ページへ詳細・⁠⁠⁠仕様

半導体の回路用(g線〜EUV)4製品

信越化学工業株式会社

フォトレジスト SEPR・SAIL・SEVRシリーズ

i線からEUVまでの半導体工程

i線からKrF・ArF・EUVまでの光源に合わせたフォトレジストをそろえています。レジストの下に塗る中間膜・下層膜の材料も一緒に出しています。半導体のほか、磁気ヘッドの製造工程でも使われています。

コスト要見積

種類
半導体の回路用(g線〜EUV)
露光
i線、KrF、ArF、EUV
用途
半導体製造工程、磁気ヘッド製造工程
記載なし
ポジ・ネガ・形・膜厚・解像度・現像液・露光量
公式ページへ
住友化学株式会社

フォトレジスト スミレジスト

液浸ArF・EUVの最先端工程

i線から液浸ArF・EUVまでの露光に合わせたフォトレジストをそろえています。3次元フラッシュメモリの製造や、パッケージングの厚膜レジストにも製品があります。品番ごとの仕様は公開していないので、工程を伝えて相談します。

コスト要見積

種類
半導体の回路用(g線〜EUV)
露光
i線、KrF、ArF、液浸ArF、EUV
用途
半導体、3次元フラッシュメモリ、パッケージング用の厚膜
記載なし
ポジ・ネガ・形・膜厚・解像度・現像液・露光量
公式ページへ
東京応化工業株式会社

KrFポジ型レジスト TDUR-P3435

KrF露光のライン形成

ライン形成用に作ったKrFのポジ型レジストです。公式の条件では膜厚250nmと190nmで、150nmのラインを狙っています。メタルやインプラントの工程で使われています。

コスト要見積

種類
半導体の回路用(g線〜EUV)
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
ポジ型
露光
KrF(⁠248nm⁠)
膜厚
250nm、190nm
解像度
150nmライン
現像液
NMD-3 2.38%
用途
メタル・インプラント工程のライン形成
記載なし
形・露光量
公式ページへ
富士フイルム株式会社

i線用レジスト OiR 620シリーズ

i線で350nm未満の線幅

非反射基板の上で、350nm未満の厳しい線幅を作るためのi線用レジストです。富士フイルムは、反射基板用・厚膜用・染料入りのi線用レジストも別のシリーズで出しています。

コスト要見積

種類
半導体の回路用(g線〜EUV)
露光
i線
解像度
CD 350nm未満
用途
非反射基板のクリティカルCDのパターン
記載なし
ポジ・ネガ・形・膜厚・現像液・露光量
公式ページへ

厚膜・めっき・MEMS用5製品

旭化成株式会社

厚膜ドライフィルムレジスト サンフォート CXシリーズ

ラミネート1回で厚い膜を作る

1回のラミネートで200μm以上の厚い膜が作れるドライフィルムです。液状レジストのように何度も塗り重ねなくて済みます。Cuピラーやバンプのめっきに使います。

コスト要見積

種類
厚膜・めっき・MEMS用
形
ドライフィルム
膜厚
200μm以上
用途
Cuピラー・Cuバンプのめっき
記載なし
ポジ・ネガ・露光・解像度・現像液・露光量
公式ページへ
JSR株式会社

めっき用厚膜フォトレジスト THB-170N

背の高いCuピラーのめっき

背の高いCuピラーを立てる用途のネガ型の厚膜レジストです。JSRの資料では、高いCuピラー向けは膜厚100μm超の区分です。1回のスピンコートで100μmの膜が取れます。

コスト要見積

種類
厚膜・めっき・MEMS用
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
ネガ型
形
液状(⁠スピンコート⁠)
膜厚
100μm超
用途
高いCuピラーのめっき
記載なし
露光・解像度・現像液・露光量
公式ページへ
東京応化工業株式会社

めっき用厚膜レジスト PMER P-BKシリーズ

バンプ・Cuピラーのめっき

めっきでバンプを立てる工程向けのポジ型の厚膜レジストです。膜厚20〜65μmで、Cu・Ni・SnAgの連続めっきにも使えます。めっきのあとの剥離も楽です。

コスト要見積

種類
厚膜・めっき・MEMS用
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
ポジ型
露光
i線
膜厚
20〜65μm
現像液
TMAH 2.38%
用途
Cuピラー・マイクロバンプのめっき
記載なし
形・解像度・露光量
公式ページへ
日本化薬株式会社

永久膜用ドライフィルムレジスト SU-8 3000CF DFR

MEMS・中空構造の壁やふた

形を作ったあとも残して部品の一部にする、永久膜用のエポキシ系ドライフィルムです。下の空洞を埋めずに貼れるので、SAW・BAWフィルターやMEMSの中空構造の壁とふたが作れます。20μmの膜でアスペクト比3以上の垂直な形が出ます。

コスト要見積

種類
厚膜・めっき・MEMS用
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
ネガ型
露光
i線(⁠365nm⁠)
形
ドライフィルム
膜厚
20、30、45μm
解像度
膜厚20μmでアスペクト比3以上
現像液
PGMEA(溶剤現像)
用途
MEMS、SAW・BAWフィルター、半導体パッケージ
記載なし
露光量
公式ページへ
株式会社レゾナック

厚膜用感光性フィルム Photec HM-4056

基板の厚い銅めっき・⁠⁠⁠電鋳

穴の径や線幅の2倍以上の厚さのレジストが作れる、厚膜用の感光性フィルムです。HM-4056は膜厚56μmで、L/S 25μmまで解像します。現像と剥離は、プリント配線板でふつうに使う炭酸ナトリウムの液で済みます。

コスト要見積

種類
厚膜・めっき・MEMS用
露光
超高圧水銀ランプ(平行光露光機)
形
感光性フィルム
膜厚
56μm
解像度
L/S 25μm
現像液
炭酸ナトリウム水溶液
用途
プリント配線板の銅めっき、メタルマスクの電鋳
露光量
85mJ/cm²
記載なし
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
公式ページへ

基板の回路用ドライフィルム2製品

旭化成株式会社

LDI用ドライフィルムレジスト サンフォート ADP&DAシリーズ

LDI露光のパッケージ基板

マスクを使わないレーザー直接露光(LDI)に合わせた感光性ドライフィルムです。MSAP・SAP工法のめっき工程で傷みにくく、サーバー・AI向けのFC-BGAやスマートフォン向けのFC-CSPの基板に使われています。

コスト要見積

種類
基板の回路用ドライフィルム
露光
LDI(レーザー直接露光)
形
ドライフィルム
用途
パッケージ基板(MSAP・SAP工法)
記載なし
ポジ・ネガ・膜厚・解像度・現像液・露光量
公式ページへ
株式会社レゾナック

感光性フィルム Photec RY-5107UT

パッケージ基板の微細な回路

膜厚7μmで、L/S 4μm以下の回路が作れる感光性フィルムです。ステッパー露光機に対応し、セミアディティブ工法で半導体パッケージ基板の細い配線を作ります。

コスト要見積

種類
基板の回路用ドライフィルム
露光
i線(投影露光機)
形
感光性フィルム
膜厚
7μm
解像度
L/S 4μm以下
現像液
1.0wt% 炭酸ナトリウム水溶液
用途
パッケージ基板の微細回路(セミアディティブ工法)
露光量
200mJ/cm²
記載なし
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
公式ページへ

ソルダーレジスト2製品

太陽ホールディングス株式会社

ソルダーレジスト PSR-4000 G24K

基板の標準のソルダーレジスト

スクリーン印刷で塗る2液性のアルカリ現像型ソルダーレジストで、公式では工程管理の幅が広いスタンダードな製品と案内しています。金めっきや水溶性フラックスに強く、露光は200〜700mJ/cm²、現像は1wt%の炭酸ナトリウムで行います。

コスト要見積

種類
ソルダーレジスト
露光
UV露光
形
2液性インキ、スクリーン印刷
現像液
1wt% Na2CO3(アルカリ現像)
用途
プリント基板の表面保護(金めっき・水溶性フラックス耐性)
露光量
200〜700mJ/cm²
記載なし
ポジ・ネガ・膜厚・解像度
公式ページへ
株式会社タムラ製作所

液状ソルダーレジスト DSR-2200P21-11HR

車載基板・銅の厚い基板

DI露光機で焼き付ける、スプレー塗布タイプの液状ソルダーレジストです。銅の厚い基板でもパターンの角を覆え、高温高湿の絶縁試験でもイオンマイグレーションが出ていません。ハロゲンフリーで、主な用途は自動車です。

コスト要見積

種類
ソルダーレジスト
露光
DI露光(ランプ光源)
形
液状、スプレー塗布
解像度
ソルダーダム50μm(導体厚35μm)
現像液
アルカリ現像
用途
自動車の基板
露光量
100mJ/cm²
記載なし
ポジ・ネガ・⁠⁠⁠膜厚
公式ページへ
Q&A

フォトレジスト選びで、よくある疑問

購買担当の疑問フォトレジストの価格は、いくら?

このページの13製品は、どれも公式に値段を出していません。品番・膜厚・使う量を伝えて、メーカーに見積もりを取ります。研究用の少量か量産かでも話が変わるので、先に伝えます。

設備担当の疑問ポジ型とネガ型の違いは?

現像で、ポジ型は光が当たった所が溶けて消え、ネガ型は光が当たらなかった所が消えます。このページでは、東京応化工業のTDUR-P3435とPMER P-BKシリーズがポジ型、JSRのTHB-170Nと日本化薬のSU-8 3000CF DFRがネガ型です。

設備担当の疑問g線・i線・KrF・ArF・EUVの違いは?

露光に使う光の波長の違いです。g線は436nm、i線は365nm、KrFは248nm、ArFは193nm、EUVは13.5nmで、使う露光装置に合うレジストを選びます。信越化学工業と住友化学は、i線からEUVまでそろえています。

工場長の疑問半導体用とプリント基板用のレジストの違いは?

半導体用はウエハーに液を塗る型が中心で、膜は薄く、TDUR-P3435は250nmです。パッケージ基板やプリント基板は、フィルムを貼るドライフィルムを使うことが多く、レゾナックのRY-5107UTは膜厚7μmで、1.0wt%の炭酸ナトリウム水溶液で現像します。

設備担当の疑問ドライフィルムレジストとは?

フィルムになったレジストで、基板に貼って(ラミネートして)使います。旭化成のサンフォート CXシリーズは、1回のラミネートで200μm以上の膜が作れ、液状のように何度も塗り重ねずに済みます。

工場長の疑問厚膜レジストは、どこまで厚くできる?

東京応化工業のPMER P-BKシリーズは20〜65μm、レゾナックのHMシリーズは35〜168μm、JSRのTHB-170Nは100μm超、旭化成のCXシリーズは200μm以上です。バンプやCuピラーの高さで選びます。

設備担当の疑問フォトレジストの現像液は何を使う?

半導体用はTMAH 2.38%の水溶液で、東京応化工業はNMD-3 2.38%を使います。基板用のドライフィルムやソルダーレジストは炭酸ナトリウム水溶液で、太陽ホールディングスのPSR-4000 G24Kは1wt%です。日本化薬のSU-8 3000CF DFRは溶剤のPGMEAで現像します。

施設管理の疑問ソルダーレジストとは?フォトレジストとの違いは?

ソルダーレジストは、プリント基板の表面を覆う膜で、金めっきやはんだ付けのフラックスに耐える力が求められます。露光と現像で形を作るのはフォトレジストと同じで、太陽ホールディングスの標準の条件では、1wt%の炭酸ナトリウムで現像し、150℃で60分かけて固めます。

購買担当の疑問MEMSや中空構造に使えるレジストは?

日本化薬のSU-8 3000CF DFRは、下の空洞を埋めずに貼れるドライフィルムで、SAW・BAWフィルターやMEMSの壁とふたを作れます。100μm以上の厚い構造も作れ、形を作ったあともそのまま残して使う永久膜です。

経営者の疑問半導体用フォトレジストの主なメーカーは?

このページでは、東京応化工業・JSR・信越化学工業・住友化学・富士フイルムの5社を載せています。どの社も品番ごとの値段は出しておらず、使う工程と露光装置を伝えて相談します。

総務の疑問フォトレジストの保管や使用期限は?

日本化薬のSU-8 3000CF DFRは冷蔵(15℃以下)で保管し、保証期間は9か月です。ほかのメーカーは、このページで見た公式資料に保管の条件を書いていないので、納品の書類で確かめます。

TYPES

フォトレジストの種類の違い

ボタンを押すと、表がその種類の製品だけになります。

半導体の回路用(g線〜EUV)

ウエハーに塗って、露光装置の光で回路の形を写す液状のレジストです。g線・i線・KrF・ArF・EUVと、露光装置の光源の波長に合わせて選びます。膜は薄く、TDUR-P3435は250nmです。

向いている使い方

  • 半導体の前工程の回路
  • 露光装置の光源が決まっている
  • サブミクロンの線を作る

根拠:当社のフォトレジストは、i線からKrF、ArF、EUV光源を用いた最先端のリソグラフィ技術に対応した製品です。(出典1)

この種類の4製品を表で見る

厚膜・めっき・MEMS用

厚い膜を作り、バンプやCuピラーのめっきの型や、MEMSの構造にするレジストです。液を塗る型と、フィルムを貼る型があります。PMER P-BKシリーズは20〜65μm、サンフォート CXシリーズは200μm以上です。

向いている使い方

  • バンプ・Cuピラーのめっき
  • MEMS・SAWフィルターの中空構造
  • 再配線(RDL)⁠の⁠形⁠⁠⁠⁠成

根拠:1回のスピンコートで、ネガ型レジストは100μm膜厚が得られます。(出典6)

この種類の5製品を表で見る

基板の回路用ドライフィルム

フィルム状のレジストを基板に貼り、露光・現像して回路の形を作ります。パッケージ基板やプリント配線板のめっきに使い、現像は炭酸ナトリウム水溶液です。マスクを使わないレーザー直接露光(LDI)に合わせた品もあります。

向いている使い方

  • パッケージ基板の細い配線
  • セミアディティブ(SAP・MSAP)⁠工⁠⁠⁠⁠法
  • マスクを使わないLDI露光

根拠:半導体パッケージ基板の微細回路を形成するための感光性レジスト材料です。(出典12)

この種類の2製品を表で見る

ソルダーレジスト

プリント基板の表面を覆って守る膜です。印刷やスプレーで塗り、露光とアルカリ現像で形を作ってから、熱で固めます。金めっきやフラックスに耐える力で選びます。

向いている使い方

  • プリント基板の表面保護
  • 金めっき・フラックスに耐える膜
  • 車載・スマートフォンの基板

根拠:工程管理幅が広く、印刷性が良好で、物性面においても一般諸特性をクリアーする、スタンダードな製品となります。(出典15)

この種類の2製品を表で見る
MAKERS

フォトレジストの主なメーカー10社

フォトレジストの主なメーカーは、次の10社です。社名を押すと、その会社のページ(ほかの製品と所在地)に移ります。

信越化学工業株式会社

i線からKrF・ArF・EUVまでの光源に合わせたフォトレジストをそろえています。

東京都

JSR株式会社

背の高いCuピラーを立てる用途のネガ型の厚膜レジストです。

東京都

住友化学株式会社

i線から液浸ArF・EUVまでの露光に合わせたフォトレジストをそろえています。

東京都

太陽ホールディングス株式会社

スクリーン印刷で塗る2液性のアルカリ現像型ソルダーレジストで、公式では工程管理の幅が広いスタンダードな製品と案内しています。

東京都

株式会社タムラ製作所

DI露光機で焼き付ける、スプレー塗布タイプの液状ソルダーレジストです。

東京都

東京応化工業株式会社

ライン形成用に作ったKrFのポジ型レジストです。

神奈川県

日本化薬株式会社

形を作ったあとも残して部品の一部にする、永久膜用のエポキシ系ドライフィルムです。

東京都

富士フイルム株式会社

非反射基板の上で、350nm未満の厳しい線幅を作るためのi線用レジストです。

株式会社レゾナック

穴の径や線幅の2倍以上の厚さのレジストが作れる、厚膜用の感光性フィルムです。

東京都

この比較表のデータ:CSV・JSON(出典を明記すれば引用できます)

掲載基準と並び順

掲載基準:半導体・パッケージ基板・プリント基板の回路やバンプ、MEMSの構造を作るフォトレジスト(液状・ドライフィルム・厚膜・永久膜)と⁠、露光と現像で形を作るソルダーレジストで、日本の会社か日本法人のある会社が自社で作り、公式サイトで今案内していて、仕様を公式資料で確かめられたもの。品番かシリーズの単位で、1社2製品まで載せています。露光装置は「半導体用ステッパー」、ウェーハは「シリコンウェーハ」、塗布・現像の装置は「半導体製造装置」の比較で扱い、このページには載せていません。現像液・剥離液・シンナーなどの付属品、反射防止膜などの下層膜、電子ビーム用レジスト、ディスプレイのカラーレジスト、感光性ポリイミドなどの絶縁材料、販売店や代理店が売る他社の製品は除いています。メルクの日本法人のページはこちらから開けず、互応化学工業は公式のカタログで品番ごとの仕様を確かめられず、ニッコー・マテリアルズはドライフィルム事業を長興材料工業へ移していて公式の製品ページを確かめられないので、今回は載せていません。信越化学工業と住友化学は品番ごとの仕様を公開していないので、シリーズの単位で載せています。並びは種類ごとに会社の五十音順です。

並び順:種類ごとに分け、その中はメーカー名の五十音順です。おすすめ順ではなく、掲載料で順番は変えません。

フォトレジストを作っているメーカーの方へ:掲載・訂正のご依頼(掲載は無料です)

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