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PHOTORESIST / MZ-35362

KrFポジ型レジスト TDUR-P3435東京応化工業株式会社

KrF露光でラインを作るポジ型の化学増幅レジストです。

2026年10月29日確認

仕様

向いている所:KrF露光のライン形成

種類
半導体の回路用(g線〜EUV)
ポジ・⁠⁠⁠ネガ
ポジ型
露光
KrF(⁠248nm⁠)
形
—公式資料で確認できず
膜厚
250nm、190nm
解像度
150nmライン
現像液
NMD-3 2.38%
用途
メタル・インプラント工程のライン形成
価格
—公式資料で確認できず
露光量
—公式資料で確認できず

— は公式の資料で確かめられなかった項目です。

東京応化工業はホール用・ネガ型・厚膜のKrFレジストも出しています。

口コミ

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