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SEMICONDUCTOR-MATERIAL / MZ-36682

GaNスパッタリングターゲット東ソー株式会社

スパッタでGaN膜を作る、純度5Nの窒化ガリウムのターゲットです。

2026年10月29日確認

仕様

向いている所：GaN膜・LED・パワー半導体

種類
スパッタ用ターゲット
材料
GaN（窒化ガリウム）
純度
5N
形状・サイズ
丸形は直径300mmまで、矩形は相談
主な特性
酸素量0.1wt.%⁠⁠⁠以下
価格
—公式資料で確認できず
製法・成形方法
独自の合成・⁠⁠⁠焼結
導電型・ドーパント
—公式資料で確認できず
面方位
—公式資料で確認できず
厚さ
—公式資料で確認できず
ガラス転移温度
—公式資料で確認できず
熱膨張係数
—公式資料で確認できず
流れやすさ
—公式資料で確認できず
難燃
—公式資料で確認できず
販売単位
1枚から買える
付属資料
—公式資料で確認できず
用途
照明向けLED、マイクロLED、GaNパワー半導体

— は公式の資料で確かめられなかった項目です。

口コミ

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出典（2026年10月29日確認）

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