GaAs基板 VGF-n型 LDグレードDOWAエレクトロニクス株式会社

仕様

向いている所：レーザー・LED用のn型基板

種類

化合物半導体基板

材料

GaAs（⁠ガリウムヒ素）

純度

—公式資料で確認できず

形状・サイズ

2〜6インチ

主な特性

EPD平均200cm⁻²以下、最大2,000cm⁻²以下

価格

—公式資料で確認できず

製法・成形方法

VGF法

導電型・ドーパント

n型（Siドープ）

面方位

(100)0°〜15°off

厚さ

350〜675μm（サイズで変わる）

ガラス転移温度

—公式資料で確認できず

熱膨張係数

—公式資料で確認できず

流れやすさ

—公式資料で確認できず

難燃

—公式資料で確認できず

販売単位

—公式資料で確認できず

付属資料

—公式資料で確認できず

用途

DVDなどのレーザー、LED、電子デバイス

— は公式の資料で確かめられなかった項目です。

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