GaAs基板 半絶縁性住友電気工業株式会社

仕様

向いている所：スマホの高周波素子のエピ基板

種類

化合物半導体基板

材料

GaAs（⁠ガリウムヒ素）⁠単⁠結⁠⁠⁠⁠晶

純度

—公式資料で確認できず

形状・サイズ

直径150mm

主な特性

抵抗率8×10⁷Ω・cm以上、移動度3,000cm²/V・s以上、EPD平均10,000cm⁻²以下

価格

—公式資料で確認できず

製法・成形方法

VB法

導電型・ドーパント

半絶縁性（炭素を制御）

面方位

(100)、(100)2°off

厚さ

675μm、550μm（±25μm）

ガラス転移温度

—公式資料で確認できず

熱膨張係数

—公式資料で確認できず

流れやすさ

—公式資料で確認できず

難燃

—公式資料で確認できず

販売単位

—公式資料で確認できず

付属資料

—公式資料で確認できず

用途

スマートフォンのパワーアンプ・スイッチ、LED、太陽電池セル

— は公式の資料で確かめられなかった項目です。

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