{ "title": "半導体材料のメーカー比較", "source": "https://makerzukan.jp/c/zairyo/semiconductor-material/", "publisher": "メーカー図鑑", "license": "出典（メーカー図鑑・URL）を明記すれば引用可", "updated": "2026-10-29", "definition": "半導体材料は、半導体の素子やパッケージを作るときに使う材料です。", "findings": [ "値段を出しているメーカーは9社中1社もありません。どれも寸法を伝えて見積もりを取ります。", "種類ごとの製品数は、スパッタ用ターゲット 4・化合物半導体基板 3・封止材（モールド・アンダーフィル） 3です。", "純度を公式に書いているのは、10製品中4製品です。", "形状・サイズを公式に書いているのは7製品です。", "ガラス転移温度を公式に書いているのは2製品です。", "公開価格を出している製品はありません。材料・純度・寸法・数量を伝えて見積もりを取ります。" ], "types": [ { "key": "smt-target", "name": "スパッタ用ターゲット", "how": "真空の装置の中でイオンをぶつけ、はじき出した原子でウェーハに薄い膜を作るための、材料の板です。金属のCu・Siから、酸化物のNiO、窒化物のGaNまであります。純度と大きさで選びます。", "scenes": [ "半導体の配線の成膜", "LED・GaNデバイスの成膜", "研究用の薄膜づくり" ] }, { "key": "smt-sub", "name": "化合物半導体基板", "how": "GaAs・InPのように、複数の元素でできた半導体の単結晶を薄く切って磨いた基板です。この上に層を重ねて、通信の素子・LED・レーザーを作ります。結晶の作り方と導電型で選びます。", "scenes": [ "スマートフォンの高周波素子", "光通信の受光・発光素子", "レーザー・LED" ] }, { "key": "smt-encap", "name": "封止材（モールド・アンダーフィル）", "how": "半導体のチップを包んで、湿気や外からの力から守り、絶縁する樹脂です。金型で固める固形のエポキシ成形材料と、チップの下のすき間に流し込む液状のアンダーフィルがあります。", "scenes": [ "QFP・SOPなどリードフレームのパッケージ", "フリップチップの実装", "熱を逃がしたいパッケージ" ] } ], "columns": [ "図鑑番号", "製品名", "メーカー", "種類", "向いている所", "材料", "純度", "形状・サイズ", "主な特性", "価格", "製法・成形方法", "導電型・ドーパント", "面方位", "厚さ", "ガラス転移温度", "熱膨張係数", "流れやすさ", "難燃", "販売単位", "付属資料", "用途", "公式ページ", "カタログ", "出典", "確認日" ], "rows": [ [ "MZ-36680", "シリコンターゲット SIET5128", "株式会社高純度化学研究所", "スパッタ用ターゲット", "Si膜の研究・試作", "Si（シリコン）", "5N", "直径152.4mm、厚さ5mm", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "分析表が付く", "記載なし", "https://www.kojundo.net/category/SI/SI003_SIET5128_ASK.html", "記載なし", "https://www.kojundo.net/category/SI/SI003_SIET5128_ASK.html", "2026-10-29" ], [ "MZ-36681", "Cuターゲット 6N", "ＪＸ金属株式会社", "スパッタ用ターゲット", "半導体のCu配線の成膜", "Cu（銅）", "6N（99.9999%以上）", "スパッタ装置・ウエハー径を問わず作る", "不純物のO・S・Pが低い", "記載なし", "採掘・精錬からターゲットまで自社", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "半導体の配線（配線以外の用途向けに4N5・5Nもある）", "https://www.jx-nmm.com/products/sputtering/semiconductor_st/", "記載なし", "https://www.jx-nmm.com/products/sputtering/semiconductor_st/", "2026-10-29" ], [ "MZ-36684", "InP基板（リン化インジウム）", "ＪＸ金属株式会社", "化合物半導体基板", "光通信の受発光素子", "InP（リン化インジウム）", "記載なし", "2・3・4インチ", "TTV1.5μm（4インチの平坦度マップ）", "記載なし", "記載なし", "S・Sn・Zn・Feドープ、ドープなし", "(100)", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "発光素子、受光素子、超高速電子デバイス、赤外線検出器", "https://www.jx-nmm.com/products/compound_semiconductors_and_crystal_materials/inp/", "記載なし", "https://www.jx-nmm.com/products/compound_semiconductors_and_crystal_materials/inp/", "2026-10-29" ], [ "MZ-36685", "GaAs基板 半絶縁性", "住友電気工業株式会社", "化合物半導体基板", "スマホの高周波素子のエピ基板", "GaAs（ガリウムヒ素）単結晶", "記載なし", "直径150mm", "抵抗率8×10⁷Ω・cm以上、移動度3,000cm²/V・s以上、EPD平均10,000cm⁻²以下", "記載なし", "VB法", "半絶縁性（炭素を制御）", "(100)、(100)2°off", "675μm、550μm（±25μm）", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "スマートフォンのパワーアンプ・スイッチ、LED、太陽電池セル", "https://sei.co.jp/sc/products/gaas/han.html", "https://sei.co.jp/sc/products/gaas/pdf/han.pdf", "https://sei.co.jp/sc/products/gaas/han.html", "2026-10-29" ], [ "MZ-36687", "スミコン EME G630AY", "住友ベークライト株式会社", "封止材（モールド・アンダーフィル）", "DIP・SO・QFPの封止", "エポキシ樹脂成形材料", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "トランスファー成形", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "スパイラルフロー100、ゲルタイム40秒", "UL-94 V-0（ブロム系・アンチモン系の難燃剤なし）", "記載なし", "記載なし", "DIS・DIP・SO・QFPの標準材", "https://www.sumibe.co.jp/product/it-materials/epoxy/sumikon-eme/index.html", "記載なし", "https://www.sumibe.co.jp/product/it-materials/epoxy/sumikon-eme/index.html", "2026-10-29" ], [ "MZ-36682", "GaNスパッタリングターゲット", "東ソー株式会社", "スパッタ用ターゲット", "GaN膜・LED・パワー半導体", "GaN（窒化ガリウム）", "5N", "丸形は直径300mmまで、矩形は相談", "酸素量0.1wt.%以下", "記載なし", "独自の合成・焼結", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "1枚から買える", "記載なし", "照明向けLED、マイクロLED、GaNパワー半導体", "https://www.tosoh.co.jp/product/functionality/gan_target.html", "記載なし", "https://www.tosoh.co.jp/product/functionality/gan_target.html", "2026-10-29" ], [ "MZ-36686", "GaAs基板 VGF-n型 LDグレード", "DOWAエレクトロニクス株式会社", "化合物半導体基板", "レーザー・LED用のn型基板", "GaAs（ガリウムヒ素）", "記載なし", "2〜6インチ", "EPD平均200cm⁻²以下、最大2,000cm⁻²以下", "記載なし", "VGF法", "n型（Siドープ）", "(100)0°〜15°off", "350〜675μm（サイズで変わる）", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "DVDなどのレーザー、LED、電子デバイス", "https://www.infrared-led.com/index_jp/technology_jp/gallium-arsenide-substrate-jpn.html", "記載なし", "https://www.infrared-led.com/index_jp/technology_jp/gallium-arsenide-substrate-jpn.html", "2026-10-29" ], [ "MZ-36688", "アンダーフィル剤 U8410-73C", "ナミックス株式会社", "封止材（モールド・アンダーフィル）", "フリップチップの隙間の封止", "フリップチップ用アンダーフィル剤（液状）", "記載なし", "記載なし", "弾性率11.5GPa", "記載なし", "キャピラリーフローで流し込む", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "88°C", "31ppm（Tg以下）", "粘度50Pa・s", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "鉛フリーバンプ・Low-K・狭ピッチ", "https://www.namics.co.jp/products/underfill-flipchip/", "記載なし", "https://www.namics.co.jp/products/underfill-flipchip/", "2026-10-29" ], [ "MZ-36683", "NiOターゲット（酸化ニッケル）", "フルウチ化学株式会社", "スパッタ用ターゲット", "NiO膜・THzデバイスの研究", "NiO（酸化ニッケル）", "3N〜4N（原料の分析値）", "直径5mm〜8インチ程度、矩形も可", "室温で反強磁性体", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "1枚から製作", "記載なし", "THz帯デバイスなどの研究開発", "https://www.furuchi.co.jp/material/spat/", "https://www.furuchi.co.jp/material/spat/assets/pdf/NiO-target.pdf", "https://www.furuchi.co.jp/material/spat/", "2026-10-29" ], [ "MZ-36689", "エポキシ樹脂封止材 CEL-9240 ZHF10HT3W", "株式会社レゾナック", "封止材（モールド・アンダーフィル）", "熱を逃がしたいQFP・QFN", "エポキシ樹脂封止材（リードフレーム用）", "記載なし", "記載なし", "熱伝導率3W/m・K", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "記載なし", "125°C", "α1 12ppm/°C、α2 38ppm/°C", "スパイラルフロー140cm", "難燃剤レス", "記載なし", "記載なし", "QFP、SOP、QFN、PLCC", "https://www.resonac.com/jp/products/semi-backend-process/76/011.html", "記載なし", "https://www.resonac.com/jp/products/semi-backend-process/76/011.html", "2026-10-29" ] ], "logos": { "kojundo-chemical": "https://makerzukan.jp/assets/logo/kojundo-chemical.webp", "jx-metals": 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