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ヒ化ガリウム半絶縁性基板

半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlled

住友電気工業株式会社

VB法・炭素制御の半絶縁性GaAs基板。

価格
公開価格なし（見積もり）
主な仕様
口径150mm
種類
半絶縁性基板
向いている所
150mm径のエピ成長用半絶縁性基板
カタログ
あり（PDF）
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比較表での位置

半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledは、ヒ化ガリウムのメーカー3社比較⁠の種類「半絶縁性基板」の2製品の1つとして載っています。

  • 3社掲載社数
  • 6製品比較表の製品
  • 2製品同じ種類
  • 0製品公開価格あり
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半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlled​の強みと方式

150mm径のノッチ付きで標準仕様を公開している半絶縁性基板です。抵抗率は8×10⁷Ω・cm以上、移動度は3000cm²/V・s以上です。オプションでEPDマップと光点欠陥のデータを付けられます。

向いている所150mm径のエピ成長用半絶縁性基板

種類：半絶縁性基板

電気をほとんど通さない基板です。基板へ電流が漏れにくいので、高周波で動くトランジスタやICの土台に使います。上にエピ層を重ねてからデバイスを作ります。

半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlled​の仕様

種類
半絶縁性基板
導電型・ドーパント
半絶縁性、Cコントロール
結晶の製法
VB法
口径
150mm
キャリア濃度
1×10⁸/cm³以下
抵抗率
8×10⁷Ω・cm以上
価格
—公式資料で確認できず
転位密度（EPD）
平均10,000/cm²以下
厚さ
675μm、550μm
面方位
(100)、(100)2°off
エピの構造
—公式資料で確認できず
表面の仕上げ
P/P
用途
エピ成長用

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlled住友電気工業株式会社VGF-半絶縁性 GaAs基板DOWAエレクトロニクス株式会社VGF-n型 LDグレード GaAs基板DOWAエレクトロニクス株式会社
種類半絶縁性基板半絶縁性基板導電性基板（n型・p型）
導電型・ドーパント半絶縁性、Cコントロール半絶縁性、アンドープ（Cドープ）n型、Siドープ
結晶の製法VB法VGF法VGF法
口径150mm4インチ、3インチ6インチ、4インチ、3インチ、2インチ
キャリア濃度1×10⁸/cm³以下—公式資料で確認できず0.4〜4E18cm⁻³
抵抗率8×10⁷Ω・cm以上1E7Ω・cm以上—公式資料で確認できず
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
転位密度（EPD）平均10,000/cm²以下平均5,000/cm²以下平均200/cm²以下、最大2,000/cm²以下
厚さ675μm、550μm350・450・625μm350・450・625・675μm
面方位(100)、(100)2°off(100)0°・2°off(100)0°〜15°off
エピの構造—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
表面の仕上げP/P表面ミラー、裏面ラップ後エッチ表面ミラー、裏面ラップ後エッチ
用途エピ成長用—公式資料で確認できず高出力LD、VCSEL、Micro LED、表示用LED

ヒ化ガリウムの6製品を比較表で見る

半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlled​のよくある質問

Q.半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledはどんな人に向いている？
半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledは、150mm径のエピ成長用半絶縁性基板に使う人向けです。半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledは、150mm径のノッチ付きで標準仕様を公開している半絶縁性基板です。
Q.半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの強みは？
半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの抵抗率は8×10⁷Ω・cm以上、移動度は3000cm²/V・s以上です。オプションでEPDマップと光点欠陥のデータを付けられます。
Q.半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledはどんな方式？
半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの種類は半絶縁性基板です。電気をほとんど通さない基板です。
Q.半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの主な仕様は？
半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの口径は150mm、厚さは675μm、550μmです。導電型・ドーパントは半絶縁性、Cコントロール、結晶の製法はVB法です。
Q.半絶縁性 GaAs基板 VB・C-ControlledとVGF-半絶縁性 GaAs基板はどっちがいい？
150mm径のエピ成長用半絶縁性基板なら半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlled、転位を抑えた半絶縁性の3・4インチならDOWAエレクトロニクスのVGF-半絶縁性 GaAs基板です。半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの口径は150mm、厚さは675μm、550μmです。DOWAエレクトロニクスのVGF-半絶縁性 GaAs基板の口径は4インチ、3インチ、厚さは350・450・625μmです。
Q.半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledのキャリア濃度は？
半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledのキャリア濃度は1×10⁸/cm³以下です。DOWAエレクトロニクスのVGF-n型 LDグレード GaAs基板のキャリア濃度は0.4〜4E18cm⁻³です。
Q.半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの抵抗率は？
半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの抵抗率は8×10⁷Ω・cm以上です。DOWAエレクトロニクスのVGF-半絶縁性 GaAs基板の抵抗率は1E7Ω・cm以上です。
Q.半絶縁性 GaAs基板 VB・C-ControlledとVGF-n型 LDグレード GaAs基板はどっちがいい？
150mm径のエピ成長用半絶縁性基板なら半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlled、高出力LD・VCSELのn型基板ならDOWAエレクトロニクスのVGF-n型 LDグレード GaAs基板です。半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの口径は150mm、厚さは675μm、550μmです。DOWAエレクトロニクスのVGF-n型 LDグレード GaAs基板の口径は6インチ、4インチ、3インチ、2インチ、厚さは350・450・625・675μmです。
Q.半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledのほかに住友電気工業のヒ化ガリウムはある？
あります。住友電気工業のヒ化ガリウムには、半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledのほかにレーザー用 GaAs基板 VB・Si（口径は76.0mm、100.0mm、150.0mm）があります。
Q.半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledはどこのメーカー？
半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledは住友電気工業株式会社の製品です。登記上の本店は〒541-0041 大阪府大阪市中央区北浜4丁目5番33号。住友電気工業の主な製品分野は光ファイバーケーブル・ヒ化ガリウム・半導体材料・スピネルです。

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    1. 住友電気工業株式会社 公式
    2. gBizINFO（経済産業省） 法人情報
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