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ヒ化ガリウム半絶縁性基板

VGF-半絶縁性 GaAs基板

DOWAエレクトロニクス株式会社

VGF法で育てた半絶縁性のGaAs基板。

価格
公開価格なし（見積もり）
主な仕様
口径4インチ
種類
半絶縁性基板
向いている所
転位を抑えた半絶縁性の3・4インチ
公式の製品ページを見る比較表で見る

比較表での位置

VGF-半絶縁性 GaAs基板は、ヒ化ガリウムのメーカー3社比較⁠の種類「半絶縁性基板」の2製品の1つとして載っています。

  • 3社掲載社数
  • 6製品比較表の製品
  • 2製品同じ種類
  • 0製品公開価格あり
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VGF-半絶縁性 GaAs基板の強みと方式

同じ半絶縁性のLEC品より転位が少ない基板です。平均EPDは5,000/cm²以下で、抵抗率は1E7Ω・cm以上です。面方位は(100)0°と2°offのほか、要望に合わせて相談できます。

向いている所転位を抑えた半絶縁性の3・4インチ

種類：半絶縁性基板

電気をほとんど通さない基板です。基板へ電流が漏れにくいので、高周波で動くトランジスタやICの土台に使います。上にエピ層を重ねてからデバイスを作ります。

VGF-半絶縁性 GaAs基板の仕様

種類
半絶縁性基板
導電型・ドーパント
半絶縁性、アンドープ（Cドープ）
結晶の製法
VGF法
口径
4インチ、3インチ
キャリア濃度
—公式資料で確認できず
抵抗率
1E7Ω・cm以上
価格
—公式資料で確認できず
転位密度（EPD）
平均5,000/cm²以下
厚さ
350・450・625μm
面方位
(100)0°・2°off
エピの構造
—公式資料で確認できず
表面の仕上げ
表面ミラー、裏面ラップ後エッチ
用途
—公式資料で確認できず

同じ会社にLEC-半絶縁性（平均EPD 10^5/cm²以下）もある。

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

VGF-半絶縁性 GaAs基板DOWAエレクトロニクス株式会社半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlled住友電気工業株式会社レーザー用 GaAs基板 VB・Si住友電気工業株式会社
種類半絶縁性基板半絶縁性基板導電性基板（n型・p型）
導電型・ドーパント半絶縁性、アンドープ（Cドープ）半絶縁性、Cコントロールn型、Siドープ
結晶の製法VGF法VB法VB法
口径4インチ、3インチ150mm76.0mm、100.0mm、150.0mm
キャリア濃度—公式資料で確認できず1×10⁸/cm³以下公式カタログに規格値あり
抵抗率1E7Ω・cm以上8×10⁷Ω・cm以上1〜6×10⁻³Ω・⁠⁠⁠⁠⁠⁠cm
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
転位密度（EPD）平均5,000/cm²以下平均10,000/cm²以下平均1×10²/cm²以下、5×10²/cm²以下
厚さ350・450・625μm675μm、550μm450μm、625μm、675μm
面方位(100)0°・2°off(100)、(100)2°off(100)、(100)2°〜15°off
エピの構造—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
表面の仕上げ表面ミラー、裏面ラップ後エッチP/PP/LE、P/P
用途—公式資料で確認できずエピ成長用レーザーダイオード

ヒ化ガリウムの6製品を比較表で見る

VGF-半絶縁性 GaAs基板のよくある質問

Q.VGF-半絶縁性 GaAs基板はどんな人に向いている？
VGF-半絶縁性 GaAs基板は、転位を抑えた半絶縁性の3・4インチに使う人向けです。VGF-半絶縁性 GaAs基板は、同じ半絶縁性のLEC品より転位が少ない基板です。
Q.VGF-半絶縁性 GaAs基板の強みは？
VGF-半絶縁性 GaAs基板の平均EPDは5,000/cm²以下で、抵抗率は1E7Ω・cm以上です。面方位は(100)0°と2°offのほか、要望に合わせて相談できます。
Q.VGF-半絶縁性 GaAs基板はどんな方式？
VGF-半絶縁性 GaAs基板の種類は半絶縁性基板です。電気をほとんど通さない基板です。
Q.VGF-半絶縁性 GaAs基板の主な仕様は？
VGF-半絶縁性 GaAs基板の口径は4インチ、3インチ、厚さは350・450・625μmです。導電型・ドーパントは半絶縁性、アンドープ（Cドープ）、結晶の製法はVGF法です。
Q.VGF-半絶縁性 GaAs基板と半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledはどっちがいい？
転位を抑えた半絶縁性の3・4インチならVGF-半絶縁性 GaAs基板、150mm径のエピ成長用半絶縁性基板なら住友電気工業の半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledです。VGF-半絶縁性 GaAs基板の口径は4インチ、3インチ、厚さは350・450・625μmです。住友電気工業の半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの口径は150mm、厚さは675μm、550μmです。
Q.VGF-半絶縁性 GaAs基板の抵抗率は？
VGF-半絶縁性 GaAs基板の抵抗率は1E7Ω・cm以上です。住友電気工業の半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの抵抗率は8×10⁷Ω・cm以上です。
Q.VGF-半絶縁性 GaAs基板の転位密度（EPD）は？
VGF-半絶縁性 GaAs基板の転位密度（EPD）⁠は⁠平⁠均5,000/cm²以下です。住友電気工業の半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの転位密度（EPD）⁠は⁠平⁠均10,000/cm²以下です。
Q.VGF-半絶縁性 GaAs基板とレーザー用 GaAs基板 VB・Siはどっちがいい？
転位を抑えた半絶縁性の3・4インチならVGF-半絶縁性 GaAs基板、レーザーダイオード用のn型基板なら住友電気工業のレーザー用 GaAs基板 VB・Siです。VGF-半絶縁性 GaAs基板の口径は4インチ、3インチ、厚さは350・450・625μmです。住友電気工業のレーザー用 GaAs基板 VB・Siの口径は76.0mm、100.0mm、150.0mm、厚さは450μm、625μm、675μmです。
Q.VGF-半絶縁性 GaAs基板のほかにDOWAエレクトロニクスのヒ化ガリウムはある？
あります。DOWAエレクトロニクスのヒ化ガリウムには、VGF-半絶縁性 GaAs基板のほかにVGF-n型 LDグレード GaAs基板（口径は6インチ、4インチ、3インチ、2インチ）があります。
Q.VGF-半絶縁性 GaAs基板はどこのメーカー？
VGF-半絶縁性 GaAs基板はDOWAエレクトロニクス株式会社の製品です。登記上の本店は〒101-0021 東京都千代田区外神田4丁目14番1号。Ga・In地金などの高純度金属素材、ガリウムヒ素基板、赤外LEDを扱う電子材料の会社です。

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    1. DOWAエレクトロニクス株式会社 公式
    2. gBizINFO（経済産業省） 法人情報
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