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高周波デバイス・LED・レーザーの基板にヒ化ガリウム(GaAs)を選ぶ、開発・生産技術・購買の担当の方へ

ヒ化ガリウムのメーカー3社比較【2026年】

ヒ化ガリウムは、高周波デバイスやLED、
レーザーの基板に使う化合物半導体です。

ABOUT

ヒ化ガリウムとは

比較表を見る ↓

ヒ化ガリウムとは、ガリウムとヒ素からなる化合物半導体で、
単結晶を薄く切った基板にして使います。
ガリウムヒ素・GaAsとも呼びます。
高周波デバイス・LED・レーザーの土台になります。

製品の特長

  • 電気の通し方で選ぶ半絶縁性、n型、⁠⁠⁠⁠⁠⁠p型
  • 口径で選ぶ2インチから6インチ
  • 結晶の育て方で転位が変わるVGF法、VB法、LEC法

使うメリット

  • 高周波デバイスの土台になるパワーアンプ、スイッチ
  • 光る素子の基板に使えるLED、レーザーダイオード
  • エピまで済んだ品も買えるFET、HEMT、HBTの構造

選ぶときに注意すること

  1. 口径・導電型・キャリア濃度・面方位・厚さをそろえて見積もる
  2. 公開価格は出ていない。枚数と仕様を伝えて見積もりを取る
  3. レーザー用とLED用では、転位密度の上限が違う
  4. オフ角は結晶を重ねる条件に合わせて指定する

※仕様は各メーカーの公式の製品ページとカタログによる。用途の説明は、DOWAエレクトロニクス、住友電気工業、住友化学の公式資料による。

LIST

ヒ化ガリウムの比較表

ヒ化ガリウム6製品の比較
製品・メーカーコスト製品の強み仕様公式ページ

半絶縁性基板

2製品
住友電気工業株式会社半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlled150mm径のエピ成長用半絶縁性基板口コミを書く要見積

150mm径のノッチ付きで標準仕様を公開している半絶縁性基板です。抵抗率は8×10⁷Ω・cm以上、移動度は3000cm²/V・s以上です。オプションでEPDマップと光点欠陥のデータを付けられます。

種類
半絶縁性基板
導電型・ドーパント
半絶縁性、Cコントロール
結晶の製法
VB法
口径
150mm
キャリア濃度
1×10⁸/cm³以下
抵抗率
8×10⁷Ω・cm以上
転位密度(EPD)
平均10,000/cm²以下
厚さ
675μm、550μm
面方位
(100)、(100)2°off
表面の仕上げ
P/P
用途
エピ成長用
記載なし
エピの構造
公式ページへ詳細・仕様カタログ(PDF)
DOWAエレクトロニクス株式会社VGF-半絶縁性 GaAs基板転位を抑えた半絶縁性の3・4インチ口コミを書く要見積

同じ半絶縁性のLEC品より転位が少ない基板です。平均EPDは5,000/cm²以下で、抵抗率は1E7Ω・cm以上です。面方位は(100)0°と2°offのほか、要望に合わせて相談できます。

種類
半絶縁性基板
導電型・ドーパント
半絶縁性、アンドープ(Cドープ)
結晶の製法
VGF法
口径
4インチ、3インチ
抵抗率
1E7Ω・cm以上
転位密度(EPD)
平均5,000/cm²以下
厚さ
350・450・625μm
面方位
(100)0°・2°off
表面の仕上げ
表面ミラー、裏面ラップ後エッチ
記載なし
キャリア濃度・エピの構造・用途
公式ページへ詳細・仕様

導電性基板(n型・p型)

2製品
住友電気工業株式会社レーザー用 GaAs基板 VB・Siレーザーダイオード用のn型基板口コミを書く要見積

レーザーダイオード専用に平均EPDの上限を1×10²/cm²以下か5×10²/cm²以下に絞ったn型基板です。直径は76.0mmから150.0mmまであります。抵抗率は1〜6×10⁻³Ω・cmです。

種類
導電性基板(n型・p型)
導電型・ドーパント
n型、Siドープ
結晶の製法
VB法
口径
76.0mm、100.0mm、150.0mm
キャリア濃度
公式カタログに規格値あり
抵抗率
1〜6×10⁻³Ω・cm
転位密度(EPD)
平均1×10²/cm²以下、5×10²/cm²以下
厚さ
450μm、625μm、675μm
面方位
(100)、(100)2°〜15°off
表面の仕上げ
P/LE、P/P
用途
レーザーダイオード
記載なし
エピの構造
公式ページへ詳細・仕様カタログ(PDF)
DOWAエレクトロニクス株式会社VGF-n型 LDグレード GaAs基板高出力LD・VCSELのn型基板口コミを書く要見積

2インチから6インチまで同じ型でそろう、レーザー向けのn型基板です。LDグレードの平均EPDは200/cm²以下で、LEDグレードの500/cm²以下より転位を絞っています。キャリア濃度は0.4〜4E18cm⁻³の範囲で調整できます。

種類
導電性基板(n型・p型)
導電型・ドーパント
n型、Siドープ
結晶の製法
VGF法
口径
6インチ、4インチ、3インチ、2インチ
キャリア濃度
0.4〜4E18cm⁻³
転位密度(EPD)
平均200/cm²以下、最大2,000/cm²以下
厚さ
350・450・625・675μm
面方位
(100)0°〜15°off
表面の仕上げ
表面ミラー、裏面ラップ後エッチ
用途
高出力LD、VCSEL、Micro LED、表示用LED
記載なし
抵抗率・エピの構造
公式ページへ詳細・仕様

エピタキシャルウエハ

2製品
住友化学株式会社レーザーダイオード用 GaAsエピタキシャルウエハ光ディスク用レーザーのエピ口コミを書く要見積

AlGaAsとInAlGaPの層を重ねた、レーザーダイオード向けのエピタキシャルウエハです。口径は4インチです。CDとDVDの書込み・読込み用に使います。

種類
エピタキシャルウエハ
口径
4インチ
エピの構造
AlGaAs、InAlGaP
用途
CD・DVDの書込み・読込み用レーザーダイオード
記載なし
導電型・ドーパント・結晶の製法・キャリア濃度・抵抗率・転位密度(EPD)⁠・厚さ・面方位・表面の仕上げ
公式ページへ詳細・仕様
住友化学株式会社高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハ通信用アンプ・スイッチのエピ口コミを書く要見積

FET・HEMT・HBT・BiHEMTの4つの構造で頼めるエピタキシャルウエハです。口径は6インチと4インチで、移動体通信やワイヤレスLANのアンプとスイッチに使います。層の構造は客先の要求に合わせて決めます。

種類
エピタキシャルウエハ
口径
6インチ、4インチ
エピの構造
FET、HEMT、HBT、BiHEMT
用途
パワーアンプ、低雑音アンプ、RF切替スイッチ
記載なし
導電型・ドーパント・結晶の製法・キャリア濃度・抵抗率・転位密度(EPD)⁠・厚さ・面方位・表面の仕上げ
公式ページへ詳細・仕様

半絶縁性基板2製品

住友電気工業株式会社

半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlled

150mm径のエピ成長用半絶縁性基板

150mm径のノッチ付きで標準仕様を公開している半絶縁性基板です。抵抗率は8×10⁷Ω・cm以上、移動度は3000cm²/V・s以上です。オプションでEPDマップと光点欠陥のデータを付けられます。

コスト要見積

種類
半絶縁性基板
導電型・ドーパント
半絶縁性、Cコントロール
結晶の製法
VB法
口径
150mm
キャリア濃度
1×10⁸/cm³以下
抵抗率
8×10⁷Ω・cm以上
転位密度(EPD)
平均10,000/cm²以下
厚さ
675μm、550μm
面方位
(100)、(100)2°off
表面の仕上げ
P/P
用途
エピ成長用
記載なし
エピの構造
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DOWAエレクトロニクス株式会社

VGF-半絶縁性 GaAs基板

転位を抑えた半絶縁性の3・4インチ

同じ半絶縁性のLEC品より転位が少ない基板です。平均EPDは5,000/cm²以下で、抵抗率は1E7Ω・cm以上です。面方位は(100)0°と2°offのほか、要望に合わせて相談できます。

コスト要見積

種類
半絶縁性基板
導電型・ドーパント
半絶縁性、アンドープ(Cドープ)
結晶の製法
VGF法
口径
4インチ、3インチ
抵抗率
1E7Ω・cm以上
転位密度(EPD)
平均5,000/cm²以下
厚さ
350・450・625μm
面方位
(100)0°・2°off
表面の仕上げ
表面ミラー、裏面ラップ後エッチ
記載なし
キャリア濃度・エピの構造・用途
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導電性基板(n型・p型)2製品

住友電気工業株式会社

レーザー用 GaAs基板 VB・Si

レーザーダイオード用のn型基板

レーザーダイオード専用に平均EPDの上限を1×10²/cm²以下か5×10²/cm²以下に絞ったn型基板です。直径は76.0mmから150.0mmまであります。抵抗率は1〜6×10⁻³Ω・cmです。

コスト要見積

種類
導電性基板(n型・p型)
導電型・ドーパント
n型、Siドープ
結晶の製法
VB法
口径
76.0mm、100.0mm、150.0mm
キャリア濃度
公式カタログに規格値あり
抵抗率
1〜6×10⁻³Ω・cm
転位密度(EPD)
平均1×10²/cm²以下、5×10²/cm²以下
厚さ
450μm、625μm、675μm
面方位
(100)、(100)2°〜15°off
表面の仕上げ
P/LE、P/P
用途
レーザーダイオード
記載なし
エピの構造
公式ページへ
DOWAエレクトロニクス株式会社

VGF-n型 LDグレード GaAs基板

高出力LD・VCSELのn型基板

2インチから6インチまで同じ型でそろう、レーザー向けのn型基板です。LDグレードの平均EPDは200/cm²以下で、LEDグレードの500/cm²以下より転位を絞っています。キャリア濃度は0.4〜4E18cm⁻³の範囲で調整できます。

コスト要見積

種類
導電性基板(n型・p型)
導電型・ドーパント
n型、Siドープ
結晶の製法
VGF法
口径
6インチ、4インチ、3インチ、2インチ
キャリア濃度
0.4〜4E18cm⁻³
転位密度(EPD)
平均200/cm²以下、最大2,000/cm²以下
厚さ
350・450・625・675μm
面方位
(100)0°〜15°off
表面の仕上げ
表面ミラー、裏面ラップ後エッチ
用途
高出力LD、VCSEL、Micro LED、表示用LED
記載なし
抵抗率・エピの構造
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エピタキシャルウエハ2製品

住友化学株式会社

レーザーダイオード用 GaAsエピタキシャルウエハ

光ディスク用レーザーのエピ

AlGaAsとInAlGaPの層を重ねた、レーザーダイオード向けのエピタキシャルウエハです。口径は4インチです。CDとDVDの書込み・読込み用に使います。

コスト要見積

種類
エピタキシャルウエハ
口径
4インチ
エピの構造
AlGaAs、InAlGaP
用途
CD・DVDの書込み・読込み用レーザーダイオード
記載なし
導電型・ドーパント・結晶の製法・キャリア濃度・抵抗率・転位密度(EPD)⁠・厚さ・面方位・表面の仕上げ
公式ページへ
住友化学株式会社

高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハ

通信用アンプ・スイッチのエピ

FET・HEMT・HBT・BiHEMTの4つの構造で頼めるエピタキシャルウエハです。口径は6インチと4インチで、移動体通信やワイヤレスLANのアンプとスイッチに使います。層の構造は客先の要求に合わせて決めます。

コスト要見積

種類
エピタキシャルウエハ
口径
6インチ、4インチ
エピの構造
FET、HEMT、HBT、BiHEMT
用途
パワーアンプ、低雑音アンプ、RF切替スイッチ
記載なし
導電型・ドーパント・結晶の製法・キャリア濃度・抵抗率・転位密度(EPD)⁠・厚さ・面方位・表面の仕上げ
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Q&A

ヒ化ガリウム選びで、よくある疑問

購買担当の疑問ヒ化ガリウム基板の価格は、いくら?

このページの製品は、どれも公式に値段を出していません。口径・導電型・キャリア濃度・面方位・厚さと枚数を伝えて、見積もりを取ります。

設備担当の疑問ヒ化ガリウムウェーハの種類と違いは?

電気を通しにくい半絶縁性基板、電気を通すn型・p型の導電性基板、結晶の層を重ねたエピタキシャルウエハの3つです。DOWAエレクトロニクスのVGF-半絶縁性は抵抗率1E7Ω・cm以上、住友電気工業のレーザー用は1〜6×10⁻³Ω・cmで、桁がまるで違います。

設備担当の疑問半絶縁性とn型の使い分けは?

高周波のトランジスタやICには半絶縁性を、裏から電流を流すレーザーやLEDにはn型を使います。住友電気工業の半絶縁性はエピ成長用、DOWAエレクトロニクスのVGF-n型 LDグレードは高出力LDやVCSELの基板です。

設備担当の疑問ヒ化ガリウム基板のサイズ(口径・インチ)は?

DOWAエレクトロニクスのn型は2インチから6インチまで、半絶縁性は3インチと4インチです。住友電気工業の半絶縁性は150mm、レーザー用は76.0mm・100.0mm・150.0mmです。住友化学の高周波デバイス用エピは6インチと4インチです。

設備担当の疑問8インチのヒ化ガリウム基板はある?

住友電気工業は、2018年5月にGaAs基板8インチ径(200mm)の開発を学会で発表しました。このページに載せた標準仕様の口径は、いちばん大きくて6インチです。8インチは個別に問い合わせます。

設備担当の疑問ヒ化ガリウム基板の厚さは?

DOWAエレクトロニクスのVGF-n型 LDグレードは350・450・625・675μm、住友電気工業の半絶縁性は675μmと550μmです。口径によって決まった厚さが変わります。

工場長の疑問VGF法・VB法・LEC法の違いは?

どれも単結晶を育てる方法で、転位の数に差が出ます。DOWAエレクトロニクスの半絶縁性では、VGF法の平均EPDが5,000/cm²以下、LEC法は10^5/cm²以下です。住友電気工業の基板はVB法で作ります。

設備担当の疑問転位密度(EPD)はどこまで低い?

n型のレーザー向けが低く、DOWAエレクトロニクスのLDグレードは平均200/cm²以下、LEDグレードは500/cm²以下です。住友電気工業のレーザー用は平均1×10²/cm²以下と5×10²/cm²以下です。VGF法とVB法の半絶縁性は5,000〜10,000/cm²以下です。

施設管理の疑問面方位・オフ角はどう指定する?

基本は(100)で、オフ角を付けるか決めます。DOWAエレクトロニクスのVGF-n型 LDグレードは(100)0°〜15°off、半絶縁性は(100)0°と2°offで、ほかの指定も相談できます。住友電気工業のレーザー用は(100)2°〜15°offもあります。

設備担当の疑問エピタキシャルウエハと基板の違いは?

基板は結晶を切って磨いたままのウェーハで、エピタキシャルウエハはその上に結晶の層を重ねた品です。住友化学はFET・HEMT・HBT・BiHEMTの構造で、客先の要求に合わせて層を作ります。

経営者の疑問ヒ化ガリウム基板のシェアが大きいメーカーは?

DOWAエレクトロニクスは公式サイトで、ガリウムヒ素基板を世界でトップシェアの製品としています。調査会社の数字ではなく、会社自身の案内です。

TYPES

ヒ化ガリウムの種類の違い

半絶縁性基板

電気をほとんど通さない基板です。基板へ電流が漏れにくいので、高周波で動くトランジスタやICの土台に使います。上にエピ層を重ねてからデバイスを作ります。

向いている使い方

  • スマートフォンのパワーアンプ
  • 高周波スイッチ
  • エピ成長の土台

根拠:半絶縁性:アンドープ(Cドープ)(出典1)

この種類の2製品を表で見る

導電性基板(n型・p型)

シリコンや亜鉛を入れて電気を通すようにした基板です。基板の裏から電流を流す発光素子に使います。n型はレーザーとLED向けにグレードが分かれ、転位の少なさが違います。

向いている使い方

  • レーザーダイオード・VCSEL
  • 赤外LED・表示用LED
  • Micro LED

根拠:N型:Siドープ(出典1)

この種類の2製品を表で見る

エピタキシャルウエハ

基板の上に、結晶の層を重ねたウエハです。層の構造まで作ってあるので、デバイスメーカーはここから素子を作ります。高周波用はFET・HEMT・HBT、レーザー用はAlGaAs・InAlGaPの層を重ねます。

向いている使い方

  • 通信用パワーアンプ
  • 低雑音アンプ・RFスイッチ
  • 光ディスク用レーザー

根拠:高周波デバイス用FET、HEMT、HBT、BiHEMT構造エピタキシャルウエハ(6インチ、4インチ)(出典3)

この種類の2製品を表で見る
MAKERS

ヒ化ガリウムの主なメーカー3社

住友化学株式会社

AlGaAsとInAlGaPの層を重ねた、レーザーダイオード向けのエピタキシャルウエハです。

東京都

住友電気工業株式会社

150mm径のノッチ付きで標準仕様を公開している半絶縁性基板です。

大阪府

DOWAエレクトロニクス株式会社

同じ半絶縁性のLEC品より転位が少ない基板です。

東京都

出典
  1. DOWAエレクトロニクス GaAs基板
  2. 住友電気工業 化合物半導体(基板)
  3. 住友化学 GaAsエピタキシャルウエハ
  4. 住友電気工業 半絶縁性基板
  5. 住友電気工業 レーザー用基板
  6. 住友電気工業 化合物半導体Webサイト
  7. DOWAエレクトロニクス ホーム
掲載基準

高周波デバイス・LED・レーザーの製造や研究で使うヒ化ガリウム(GaAs)の基板とエピタキシャルウエハを、口径・導電型の違う型の単位で載せています。自社の製品として公式サイトで今案内し、仕様を公式の製品ページかカタログで確かめた品だけで、日本法人のある会社に限ります。金属のガリウムは「ガリウム」、シリコンのウェーハは「シリコンウェーハ」のページに分け、窒化ガリウムは載せていません。JX金属は公式の製品一覧に化合物半導体基板がありますが、GaAs基板を確かめられず載せていません。AXTとFreiberger Compound Materialsは日本法人を公式で確かめられず、NTTアドバンステクノロジは公式の製品ページでGaAsのエピウエハを確かめられないので、載せていません。代理店や商社が売る他社製品、販売終了品は除いています。

ヒ化ガリウムを作っているメーカーの方へ:掲載・訂正のご依頼(掲載は無料です)

CITE

引用

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