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ヒ化ガリウムエピタキシャルウエハ

高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハ

住友化学株式会社

高周波デバイス向けのGaAsエピタキシャルウエハ。

価格
公開価格なし（見積もり）
主な仕様
口径6インチ
種類
エピタキシャルウエハ
向いている所
通信用アンプ・スイッチのエピ
公式の製品ページを見る比較表で見る

比較表での位置

高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハは、ヒ化ガリウムのメーカー3社比較の種類「エピタキシャルウエハ」の2製品の1つとして載っています。

  • 3社掲載社数
  • 6製品比較表の製品
  • 2製品同じ種類
  • 0製品公開価格あり
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高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハの強みと方式

FET・HEMT・HBT・BiHEMTの4つの構造で頼めるエピタキシャルウエハです。口径は6インチと4インチで、移動体通信やワイヤレスLANのアンプとスイッチに使います。層の構造は客先の要求に合わせて決めます。

向いている所通信用アンプ・スイッチのエピ

種類：エピタキシャルウエハ

基板の上に、結晶の層を重ねたウエハです。層の構造まで作ってあるので、デバイスメーカーはここから素子を作ります。高周波用はFET・HEMT・HBT、レーザー用はAlGaAs・InAlGaPの層を重ねます。

高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハの仕様

種類
エピタキシャルウエハ
導電型・ドーパント
—公式資料で確認できず
結晶の製法
—公式資料で確認できず
口径
6インチ、4インチ
キャリア濃度
—公式資料で確認できず
抵抗率
—公式資料で確認できず
価格
—公式資料で確認できず
転位密度（EPD）
—公式資料で確認できず
厚さ
—公式資料で確認できず
面方位
—公式資料で確認できず
エピの構造
FET、HEMT、HBT、BiHEMT
表面の仕上げ
—公式資料で確認できず
用途
パワーアンプ、低雑音アンプ、RF切替スイッチ

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハ住友化学株式会社半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlled住友電気工業株式会社VGF-半絶縁性 GaAs基板DOWAエレクトロニクス株式会社
種類エピタキシャルウエハ半絶縁性基板半絶縁性基板
導電型・ドーパント—公式資料で確認できず半絶縁性、Cコントロール半絶縁性、アンドープ（Cドープ）
結晶の製法—公式資料で確認できずVB法VGF法
口径6インチ、4インチ150mm4インチ、3インチ
キャリア濃度—公式資料で確認できず1×10⁸/cm³以下—公式資料で確認できず
抵抗率—公式資料で確認できず8×10⁷Ω・cm以上1E7Ω・cm以上
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
転位密度（EPD）—公式資料で確認できず平均10,000/cm²以下平均5,000/cm²以下
厚さ—公式資料で確認できず675μm、550μm350・450・625μm
面方位—公式資料で確認できず(100)、(100)2°off(100)0°・2°off
エピの構造FET、HEMT、HBT、BiHEMT—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
表面の仕上げ—公式資料で確認できずP/P表面ミラー、裏面ラップ後エッチ
用途パワーアンプ、低雑音アンプ、RF切替スイッチエピ成長用—公式資料で確認できず

ヒ化ガリウムの6製品を比較表で見る

高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハのよくある質問

Q.高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハはどんな人に向いている？
高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハは、通信用アンプ・スイッチのエピに使う人向けです。高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハは、FET・HEMT・HBT・BiHEMTの4つの構造で頼めるエピタキシャルウエハです。
Q.高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハの強みは？
高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハの口径は6インチと4インチで、移動体通信やワイヤレスLANのアンプとスイッチに使います。層の構造は客先の要求に合わせて決めます。
Q.高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハはどんな方式？
高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハの種類はエピタキシャルウエハです。基板の上に、結晶の層を重ねたウエハです。
Q.高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハの主な仕様は？
高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハの口径は6インチ、4インチ、エピの構造はFET、HEMT、HBT、BiHEMTです。用途はパワーアンプ、低雑音アンプ、RF切替スイッチです。
Q.高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハと半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledはどっちがいい？
通信用アンプ・スイッチのエピなら高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハ、150mm径のエピ成長用半絶縁性基板なら住友電気工業の半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledです。高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハの口径は6インチ、4インチ、エピの構造はFET、HEMT、HBT、BiHEMTです。住友電気工業の半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlledの口径は150mm、厚さは675μm、550μmです。
Q.高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハとVGF-半絶縁性 GaAs基板はどっちがいい？
通信用アンプ・スイッチのエピなら高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハ、転位を抑えた半絶縁性の3・4インチならDOWAエレクトロニクスのVGF-半絶縁性 GaAs基板です。高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハの口径は6インチ、4インチ、エピの構造はFET、HEMT、HBT、BiHEMTです。DOWAエレクトロニクスのVGF-半絶縁性 GaAs基板の口径は4インチ、3インチ、厚さは350・450・625μmです。
Q.高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハのほかに住友化学のヒ化ガリウムはある？
あります。住友化学のヒ化ガリウムには、高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハのほかにレーザーダイオード用 GaAsエピタキシャルウエハ（口径は4インチ）があります。
Q.高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハはどこのメーカー？
高周波デバイス用 GaAsエピタキシャルウエハは住友化学株式会社の製品です。登記上の本店は〒103-0027 東京都中央区日本橋2丁目7番1号。住友化学の主な製品分野はアクリロニトリル・アルミナ・水酸化アルミニウム・除草剤です。

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    1. 住友化学株式会社 公式
    2. gBizINFO（経済産業省） 法人情報
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