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ヒ化ガリウム導電性基板（n型・p型）

レーザー用 GaAs基板 VB・Si

住友電気工業株式会社

VB法・Siドープのn型GaAs基板。

価格
公開価格なし（見積もり）
主な仕様
口径76.0mm
種類
導電性基板（n型・p型）
向いている所
レーザーダイオード用のn型基板
カタログ
あり（PDF）
公式の製品ページを見るカタログ（PDF）比較表で見る

比較表での位置

レーザー用 GaAs基板 VB・Siは、ヒ化ガリウムのメーカー3社比較⁠の種類が導電性基板（n型・p型）の2製品の1つとして載っています。

  • 3社掲載社数
  • 6製品比較表の製品
  • 2製品同じ種類
  • 0製品公開価格あり
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レーザー用 GaAs基板 VB・Si​の強みと方式

レーザーダイオード専用に平均EPDの上限を1×10²/cm²以下か5×10²/cm²以下に絞ったn型基板です。直径は76.0mmから150.0mmまであります。抵抗率は1〜6×10⁻³Ω・cmです。

向いている所レーザーダイオード用のn型基板

種類：導電性基板（n型・p型）

シリコンや亜鉛を入れて電気を通すようにした基板です。基板の裏から電流を流す発光素子に使います。n型はレーザーとLED向けにグレードが分かれ、転位の少なさが違います。

レーザー用 GaAs基板 VB・Si​の仕様

種類
導電性基板（n型・p型）
導電型・ドーパント
n型、Siドープ
結晶の製法
VB法
口径
76.0mm、100.0mm、150.0mm
キャリア濃度
公式カタログに規格値あり
抵抗率
1〜6×10⁻³Ω・cm
価格
—公式資料で確認できず
転位密度（EPD）
平均1×10²/cm²以下、5×10²/cm²以下
厚さ
450μm、625μm、675μm
面方位
(100)、(100)2°〜15°off
エピの構造
—公式資料で確認できず
表面の仕上げ
P/LE、P/P
用途
レーザーダイオード

キャリア濃度は0.7〜4×10¹⁸cm⁻³（公式カタログ）。同じ会社にLED用基板もある。

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

レーザー用 GaAs基板 VB・Si住友電気工業株式会社VGF-n型 LDグレード GaAs基板DOWAエレクトロニクス株式会社レーザーダイオード用 GaAsエピタキシャルウエハ住友化学株式会社
種類導電性基板（n型・p型）導電性基板（n型・p型）エピタキシャルウエハ
導電型・ドーパントn型、Siドープn型、Siドープ—公式資料で確認できず
結晶の製法VB法VGF法—公式資料で確認できず
口径76.0mm、100.0mm、150.0mm6インチ、4インチ、3インチ、2インチ4インチ
キャリア濃度公式カタログに規格値あり0.4〜4E18cm⁻³—公式資料で確認できず
抵抗率1〜6×10⁻³Ω・⁠⁠⁠⁠⁠⁠cm—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
転位密度（EPD）平均1×10²/cm²以下、5×10²/cm²以下平均200/cm²以下、最大2,000/cm²以下—公式資料で確認できず
厚さ450μm、625μm、675μm350・450・625・675μm—公式資料で確認できず
面方位(100)、(100)2°〜15°off(100)0°〜15°off—公式資料で確認できず
エピの構造—公式資料で確認できず—公式資料で確認できずAlGaAs、InAlGaP
表面の仕上げP/LE、P/P表面ミラー、裏面ラップ後エッチ—公式資料で確認できず
用途レーザーダイオード高出力LD、VCSEL、Micro LED、表示用LEDCD・DVDの書込み・読込み用レーザーダイオード

ヒ化ガリウムの6製品を比較表で見る

レーザー用 GaAs基板 VB・Si​のよくある質問

Q.レーザー用 GaAs基板 VB・Siはどんな人に向いている？
レーザー用 GaAs基板 VB・Siは、レーザーダイオード用のn型基板に使う人向けです。レーザー用 GaAs基板 VB・Siは、レーザーダイオード専用に平均EPDの上限を1×10²/cm²以下か5×10²/cm²以下に絞ったn型基板です。
Q.レーザー用 GaAs基板 VB・Siの強みは？
レーザー用 GaAs基板 VB・Siの直径は76.0mmから150.0mmまであります。抵抗率は1〜6×10⁻³Ω・cmです。
Q.レーザー用 GaAs基板 VB・Siはどんな方式？
レーザー用 GaAs基板 VB・Siの種類は導電性基板（n型・p型）⁠で⁠す⁠。シリコンや亜鉛を入れて電気を通すようにした基板です。
Q.レーザー用 GaAs基板 VB・Siの主な仕様は？
レーザー用 GaAs基板 VB・Siの口径は76.0mm、100.0mm、150.0mm、厚さは450μm、625μm、675μmです。導電型・ドーパントはn型、Siドープ、結晶の製法はVB法です。
Q.レーザー用 GaAs基板 VB・SiとVGF-n型 LDグレード GaAs基板はどっちがいい？
レーザーダイオード用のn型基板ならレーザー用 GaAs基板 VB・Si、高出力LD・VCSELのn型基板ならDOWAエレクトロニクスのVGF-n型 LDグレード GaAs基板です。レーザー用 GaAs基板 VB・Siの口径は76.0mm、100.0mm、150.0mm、厚さは450μm、625μm、675μmです。DOWAエレクトロニクスのVGF-n型 LDグレード GaAs基板の口径は6インチ、4インチ、3インチ、2インチ、厚さは350・450・625・675μmです。
Q.レーザー用 GaAs基板 VB・Siのキャリア濃度は？
レーザー用 GaAs基板 VB・Siのキャリア濃度は公式カタログに規格値ありです。DOWAエレクトロニクスのVGF-n型 LDグレード GaAs基板のキャリア濃度は0.4〜4E18cm⁻³です。
Q.レーザー用 GaAs基板 VB・Siの抵抗率は？
レーザー用 GaAs基板 VB・Siの抵抗率は1〜6×10⁻³Ω・cmです。DOWAエレクトロニクスのVGF-半絶縁性 GaAs基板の抵抗率は1E7Ω・cm以上です。
Q.レーザー用 GaAs基板 VB・Siとレーザーダイオード用 GaAsエピタキシャルウエハはどっちがいい？
レーザーダイオード用のn型基板ならレーザー用 GaAs基板 VB・Si、光ディスク用レーザーのエピなら住友化学のレーザーダイオード用 GaAsエピタキシャルウエハです。レーザー用 GaAs基板 VB・Siの口径は76.0mm、100.0mm、150.0mm、厚さは450μm、625μm、675μmです。住友化学のレーザーダイオード用 GaAsエピタキシャルウエハの口径は4インチ、エピの構造はAlGaAs、InAlGaPです。
Q.レーザー用 GaAs基板 VB・Siのほかに住友電気工業のヒ化ガリウムはある？
あります。住友電気工業のヒ化ガリウムには、レーザー用 GaAs基板 VB・Siのほかに半絶縁性 GaAs基板 VB・C-Controlled（口径は150mm）があります。
Q.レーザー用 GaAs基板 VB・Siはどこのメーカー？
レーザー用 GaAs基板 VB・Siは住友電気工業株式会社の製品です。登記上の本店は〒541-0041 大阪府大阪市中央区北浜4丁目5番33号。住友電気工業の主な製品分野は光ファイバーケーブル・ヒ化ガリウム・半導体材料・スピネルです。

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    2. gBizINFO（経済産業省） 法人情報
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