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MOSFETSi・Nチャネル

P1B90VX3K Si NチャネルMOSFET

新電元工業株式会社

車載補助電源などに使う高耐圧MOSFETです。

価格
公開価格なし（見積もり）
主な仕様
ドレイン耐圧900V
材料・チャネル
Si・Nチャネル
向いている所
高圧バッテリーの補助電源
カタログ
あり（PDF）
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比較表での位置

P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETは、MOSFETのメーカー7社比較⁠の材料・チャネル「Si・Nチャネル」の6製品の1つとして載っています。

  • 7社掲載社数
  • 8製品比較表の製品
  • 6製品同じ材料・チャネル
  • 2製品公開価格あり
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P1B90VX3K Si NチャネルMOSFET​の強みと方式

高耐圧VX3シリーズの表面実装品です。耐圧900Vで、高圧バッテリーから低電圧を作る電源やコンデンサ放電回路向けに案内しています。

向いている所高圧バッテリーの補助電源

材料・チャネル：Si・Nチャネル

シリコンを使うNチャネルMOSFETです。低電圧の大電流品から高耐圧の電源用まで含み、耐圧が違う品番のオン抵抗だけで優劣を決めません。

P1B90VX3K Si NチャネルMOSFET​の仕様

材料・チャネル
Si・Nチャネル
ドレイン耐圧
900V
連続電流
1A、カタログ定格
オン抵抗
最大14.0Ω、VGS=10V
ゲート電荷
典型10.5nC、測定条件は記載なし
パッケージ
TO-252
価格
—公式資料で確認できず
材料・チャネル
Si、Nチャネル
ゲート駆動
オン抵抗測定VGS=10V
接合部温度
接合部-55〜150°C

総合カタログの代表定格。Qgの詳しい測定条件と個別の電流条件は仕様書で確認してください。

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

P1B90VX3K Si NチャネルMOSFET新電元工業株式会社SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETビシェイジャパン株式会社FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFET富士電機株式会社
材料・チャネルSi・NチャネルSi・NチャネルSi・Nチャネル
ドレイン耐圧900V600V600V
連続電流1A、カタログ定格40A、TC=25°C、VGS=10V±15.5A、TC=25°C
オン抵抗最大14.0Ω、VGS=10V最大0.065Ω、VGS=10V、ID=16A最大0.19Ω、VGS=10V、ID=7.8A
ゲート電荷典型10.5nC、測定条件は記載なし最大74nC、VGS=10V、VDS=480V、ID=16A典型46nC、VGS=10V、VDD=400V、ID=15.5A
パッケージTO-252TO-220ABT-Pack(S)
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
材料・チャネルSi、NチャネルSi、NチャネルSi、Nチャネル
ゲート駆動オン抵抗測定VGS=10Vオン抵抗測定VGS=10Vオン抵抗測定VGS=10V
接合部温度接合部-55〜150°C接合部-55〜150°C接合部上限150°C

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P1B90VX3K Si NチャネルMOSFET​のよくある質問

Q.P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETはどんな人に向いている？
P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETは、高圧バッテリーの補助電源に使う人向けです。P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETは、高耐圧VX3シリーズの表面実装品です。耐圧900Vで、高圧バッテリーから低電圧を作る電源やコンデンサ放電回路向けに案内しています。
Q.P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETはどんな方式？
P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルはSi・Nチャネルです。シリコンを使うNチャネルMOSFETです。
Q.P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETの主な仕様は？
P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は900V、連続電流は1A、カタログ定格です。オン抵抗は最大14.0Ω、VGS=10V、パッケージはTO-252です。
Q.P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETとSiHP065N60E Si NチャネルMOSFETはどっちがいい？
高圧バッテリーの補助電源ならP1B90VX3K Si NチャネルMOSFET、サーバー・通信機器の電源ならビシェイジャパンのSiHP065N60E Si NチャネルMOSFETです。P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は900V、連続電流は1A、カタログ定格です。ビシェイジャパンのSiHP065N60E Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は600V、連続電流は40A、TC=25°C、VGS=10Vです。
Q.P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルは？
P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルはSi、Nチャネルです。ビシェイジャパンのSiHP065N60E Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルはSi、Nチャネルです。
Q.P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETのゲート駆動は？
P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETのゲート駆動はオン抵抗測定VGS=10Vです。ビシェイジャパンのSiHP065N60E Si NチャネルMOSFETのゲート駆動はオン抵抗測定VGS=10Vです。
Q.P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETの接合部温度は？
P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETの接合部温度は接合部-55〜150°Cです。ビシェイジャパンのSiHP065N60E Si NチャネルMOSFETの接合部温度は接合部-55〜150°Cです。
Q.P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETとFMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETはどっちがいい？
高圧バッテリーの補助電源ならP1B90VX3K Si NチャネルMOSFET、車載スイッチング回路なら富士電機のFMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETです。P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は900V、連続電流は1A、カタログ定格です。富士電機のFMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は600V、連続電流は±15.5A、TC=25°Cです。
Q.P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETはどこのメーカー？
P1B90VX3K Si NチャネルMOSFETは新電元工業株式会社の製品です。登記上の本店は〒100-0004 東京都千代田区大手町2丁目2番1号。新電元工業の主な製品分野は整流器・パワー半導体・MOSFET・EV充電器です。

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