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MOSFETSi・Nチャネル

RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFET

ルネサス エレクトロニクス株式会社

上面放熱に対応するREXFET-1のMOSFETです。

価格
公開価格なし（見積もり）
主な仕様
ドレイン耐圧80V
材料・チャネル
Si・Nチャネル
向いている所
上面放熱の電源基板
カタログ
あり（PDF）
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比較表での位置

RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETは、MOSFETのメーカー7社比較⁠の材料・チャネル「Si・Nチャネル」の6製品の1つとして載っています。

  • 7社掲載社数
  • 8製品比較表の製品
  • 6製品同じ材料・チャネル
  • 2製品公開価格あり
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RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFET​の強みと方式

上面から放熱するTOLTパッケージです。オン抵抗は最大1.06mΩで、低電圧DC-DCや充電ステーション向けに案内しています。

向いている所上面放熱の電源基板

材料・チャネル：Si・Nチャネル

シリコンを使うNチャネルMOSFETです。低電圧の大電流品から高耐圧の電源用まで含み、耐圧が違う品番のオン抵抗だけで優劣を決めません。

RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFET​の仕様

材料・チャネル
Si・Nチャネル
ドレイン耐圧
80V
連続電流
±360A、TC=25°C
オン抵抗
最大1.06mΩ、VGS=10V、ID=100A
ゲート電荷
典型250nC、VGS=10V、VDD=40V、ID=100A
パッケージ
TOLT
価格
—公式資料で確認できず
材料・チャネル
Si、Nチャネル
ゲート駆動
オン抵抗測定VGS=10V
接合部温度
接合部-55〜175°C

360Aはケース温度25°Cの定格。実装基板を含むシステム設計による制限が付きます。

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETルネサス エレクトロニクス株式会社IPW60R040C7 Si NチャネルMOSFETインフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社2SK3711 Si NチャネルMOSFETサンケン電気株式会社
材料・チャネルSi・NチャネルSi・NチャネルSi・Nチャネル
ドレイン耐圧80V600V60V
連続電流±360A、TC=25°C50A、TC=25°C±70A、Ta=25°C
オン抵抗最大1.06mΩ、VGS=10V、ID=100A最大0.040Ω、VGS=10V、ID=24.9A、25°C最大6.0mΩ、VGS=10V、ID=35A
ゲート電荷典型250nC、VGS=10V、VDD=40V、ID=100A典型107nC、VGS=10V、VDD=400V、ID=24.9A—公式資料で確認できず
パッケージTOLTTO247TO3P
価格—公式資料で確認できず参考価格5.11€、公式条件は€/1k—公式資料で確認できず
材料・チャネルSi、NチャネルSi、NチャネルSi、Nチャネル
ゲート駆動オン抵抗測定VGS=10Vオン抵抗測定VGS=10Vオン抵抗測定VGS=10V
接合部温度接合部-55〜175°C-55〜150°C接合部上限150°C

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RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFET​のよくある質問

Q.RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETはどんな人に向いている？
RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETは、上面放熱の電源基板に使う人向けです。RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETは、上面から放熱するTOLTパッケージです。オン抵抗は最大1.06mΩで、低電圧DC-DCや充電ステーション向けに案内しています。
Q.RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETはどんな方式？
RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルはSi・Nチャネルです。シリコンを使うNチャネルMOSFETです。
Q.RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETの主な仕様は？
RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は80V、連続電流は±360A、TC=25°Cです。オン抵抗は最大1.06mΩ、VGS=10V、ID=100A、ゲート電荷は典型250nC、VGS=10V、VDD=40V、ID=100Aです。
Q.RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETとIPW60R040C7 Si NチャネルMOSFETはどっちがいい？
上面放熱の電源基板ならRBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFET、PFC・LLC電源回路ならインフィニオン テクノロジーズ ジャパンのIPW60R040C7 Si NチャネルMOSFETです。RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は80V、連続電流は±360A、TC=25°Cです。インフィニオン テクノロジーズ ジャパンのIPW60R040C7 Si NチャネルMOSFETの価格は参考価格5.11€、公式条件は€/1k、ドレイン耐圧は600Vです。
Q.RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETのパッケージは？
RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETのパッケージはTOLTです。インフィニオン テクノロジーズ ジャパンのIPW60R040C7 Si NチャネルMOSFETのパッケージはTO247です。
Q.RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルは？
RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルはSi、Nチャネルです。インフィニオン テクノロジーズ ジャパンのIPW60R040C7 Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルはSi、Nチャネルです。
Q.RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETのゲート駆動は？
RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETのゲート駆動はオン抵抗測定VGS=10Vです。インフィニオン テクノロジーズ ジャパンのIPW60R040C7 Si NチャネルMOSFETのゲート駆動はオン抵抗測定VGS=10Vです。
Q.RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETと2SK3711 Si NチャネルMOSFETはどっちがいい？
上面放熱の電源基板ならRBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFET、電動パワーステアリングならサンケン電気の2SK3711 Si NチャネルMOSFETです。RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は80V、連続電流は±360A、TC=25°Cです。サンケン電気の2SK3711 Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は60V、連続電流は±70A、Ta=25°Cです。
Q.RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETはどこのメーカー？
RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETはルネサス エレクトロニクス株式会社の製品です。登記上の本店は〒135-0061 東京都江東区豊洲3丁目2番24号。ルネサス エレクトロニクスの主な製品分野はD/AコンバーターIC・集積回路・マイコン・MOSFETです。

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