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MOSFETSi・Nチャネル

SiHP065N60E Si NチャネルMOSFET

ビシェイジャパン株式会社

産業機器と電源回路向けのEシリーズMOSFETです。

価格
公開価格なし(見積もり)
主な仕様
ドレイン耐圧600V
材料・チャネル
Si・Nチャネル
向いている所
サーバー・通信機器の電源
カタログ
あり(PDF)

比較表での位置

SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETは、MOSFETのメーカー7社比較⁠の材料・チャネル「Si・Nチャネル」の6製品の1つとして載っています。

  • 7社掲載社数
  • 8製品比較表の製品
  • 6製品同じ材料・チャネル
  • 2製品公開価格あり
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SiHP065N60E Si NチャネルMOSFET​の強みと方式

Eシリーズの高耐圧MOSFETです。サーバー電源・PFC・モータ駆動向けで、オン抵抗は最大0.065Ωです。

向いている所サーバー・通信機器の電源

材料・チャネル:Si・Nチャネル

シリコンを使うNチャネルMOSFETです。低電圧の大電流品から高耐圧の電源用まで含み、耐圧が違う品番のオン抵抗だけで優劣を決めません。

SiHP065N60E Si NチャネルMOSFET​の仕様

材料・チャネル
Si・Nチャネル
ドレイン耐圧
600V
連続電流
40A、TC=25°C、VGS=10V
オン抵抗
最大0.065Ω、VGS=10V、ID=16A
ゲート電荷
最大74nC、VGS=10V、VDS=480V、ID=16A
パッケージ
TO-220AB
価格
—公式資料で確認できず
材料・チャネル
Si、Nチャネル
ゲート駆動
オン抵抗測定VGS=10V
接合部温度
接合部-55〜150°C

600Vは絶対最大定格。製品概要にある接合部最高温度での650Vとは区別しています。

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETビシェイジャパン株式会社FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFET富士電機株式会社RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETルネサス エレクトロニクス株式会社
材料・チャネルSi・NチャネルSi・NチャネルSi・Nチャネル
ドレイン耐圧600V600V80V
連続電流40A、TC=25°C、VGS=10V±15.5A、TC=25°C±360A、TC=25°C
オン抵抗最大0.065Ω、VGS=10V、ID=16A最大0.19Ω、VGS=10V、ID=7.8A最大1.06mΩ、VGS=10V、ID=100A
ゲート電荷最大74nC、VGS=10V、VDS=480V、ID=16A典型46nC、VGS=10V、VDD=400V、ID=15.5A典型250nC、VGS=10V、VDD=40V、ID=100A
パッケージTO-220ABT-Pack(S)TOLT
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
材料・チャネルSi、NチャネルSi、NチャネルSi、Nチャネル
ゲート駆動オン抵抗測定VGS=10Vオン抵抗測定VGS=10Vオン抵抗測定VGS=10V
接合部温度接合部-55〜150°C接合部上限150°C接合部-55〜175°C

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SiHP065N60E Si NチャネルMOSFET​のよくある質問

Q.SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETはどんな人に向いている?
SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETは、サーバー・通信機器の電源に使う人向けです。SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETは、Eシリーズの高耐圧MOSFETです。サーバー電源・PFC・モータ駆動向けで、オン抵抗は最大0.065Ωです。
Q.SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETはどんな方式?
SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルはSi・Nチャネルです。シリコンを使うNチャネルMOSFETです。
Q.SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETの主な仕様は?
SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は600V、連続電流は40A、TC=25°C、VGS=10Vです。オン抵抗は最大0.065Ω、VGS=10V、ID=16A、ゲート電荷は最大74nC、VGS=10V、VDS=480V、ID=16Aです。
Q.SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETとFMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETはどっちがいい?
サーバー・通信機器の電源ならSiHP065N60E Si NチャネルMOSFET、車載スイッチング回路なら富士電機のFMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETです。SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は600V、連続電流は40A、TC=25°C、VGS=10Vです。富士電機のFMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は600V、連続電流は±15.5A、TC=25°Cです。
Q.SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETのパッケージは?
SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETのパッケージはTO-220ABです。富士電機のFMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETのパッケージはT-Pack(S)です。
Q.SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルは?
SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルはSi、Nチャネルです。富士電機のFMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルはSi、Nチャネルです。
Q.SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETのゲート駆動は?
SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETのゲート駆動はオン抵抗測定VGS=10Vです。富士電機のFMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETのゲート駆動はオン抵抗測定VGS=10Vです。
Q.SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETとRBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETはどっちがいい?
サーバー・通信機器の電源ならSiHP065N60E Si NチャネルMOSFET、上面放熱の電源基板ならルネサス エレクトロニクスのRBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETです。SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は600V、連続電流は40A、TC=25°C、VGS=10Vです。ルネサス エレクトロニクスのRBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は80V、連続電流は±360A、TC=25°Cです。
Q.SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETはどこのメーカー?
SiHP065N60E Si NチャネルMOSFETはビシェイジャパン株式会社の製品です。登記上の本店は〒150-0002 東京都渋谷区渋谷3丁目12番22号渋谷プレステージビル4階。ビシェイジャパンの主な製品分野はツェナーダイオード・電解コンデンサ・インダクタ・MOSFETです。

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