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MOSFETSi・Nチャネル

FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFET

富士電機株式会社

車載用のスーパージャンクションMOSFETです。

価格
公開価格なし（見積もり）
主な仕様
ドレイン耐圧600V
材料・チャネル
Si・Nチャネル
向いている所
車載スイッチング回路
カタログ
あり（PDF）
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比較表での位置

FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETは、MOSFETのメーカー7社比較⁠の材料・チャネル「Si・Nチャネル」の6製品の1つとして載っています。

  • 7社掲載社数
  • 8製品比較表の製品
  • 6製品同じ材料・チャネル
  • 2製品公開価格あり
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FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFET​の強みと方式

Super J MOS S2の車載用MOSFETです。ゲート抵抗でスイッチング時の電圧変化を調整しやすく、AEC Q101に沿った信頼性試験を案内しています。

向いている所車載スイッチング回路

材料・チャネル：Si・Nチャネル

シリコンを使うNチャネルMOSFETです。低電圧の大電流品から高耐圧の電源用まで含み、耐圧が違う品番のオン抵抗だけで優劣を決めません。

FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFET​の仕様

材料・チャネル
Si・Nチャネル
ドレイン耐圧
600V
連続電流
±15.5A、TC=25°C
オン抵抗
最大0.19Ω、VGS=10V、ID=7.8A
ゲート電荷
典型46nC、VGS=10V、VDD=400V、ID=15.5A
パッケージ
T-Pack(S)
価格
—公式資料で確認できず
材料・チャネル
Si、Nチャネル
ゲート駆動
オン抵抗測定VGS=10V
接合部温度
接合部上限150°C

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFET富士電機株式会社RBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETルネサス エレクトロニクス株式会社IPW60R040C7 Si NチャネルMOSFETインフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社
材料・チャネルSi・NチャネルSi・NチャネルSi・Nチャネル
ドレイン耐圧600V80V600V
連続電流±15.5A、TC=25°C±360A、TC=25°C50A、TC=25°C
オン抵抗最大0.19Ω、VGS=10V、ID=7.8A最大1.06mΩ、VGS=10V、ID=100A最大0.040Ω、VGS=10V、ID=24.9A、25°C
ゲート電荷典型46nC、VGS=10V、VDD=400V、ID=15.5A典型250nC、VGS=10V、VDD=40V、ID=100A典型107nC、VGS=10V、VDD=400V、ID=24.9A
パッケージT-Pack(S)TOLTTO247
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず参考価格5.11€、公式条件は€/1k
材料・チャネルSi、NチャネルSi、NチャネルSi、Nチャネル
ゲート駆動オン抵抗測定VGS=10Vオン抵抗測定VGS=10Vオン抵抗測定VGS=10V
接合部温度接合部上限150°C接合部-55〜175°C-55〜150°C

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FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFET​のよくある質問

Q.FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETはどんな人に向いている？
FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETは、車載スイッチング回路に使う人向けです。FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETは、Super J MOS S2の車載用MOSFETです。ゲート抵抗でスイッチング時の電圧変化を調整しやすく、AEC Q101に沿った信頼性試験を案内しています。
Q.FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETはどんな方式？
FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルはSi・Nチャネルです。シリコンを使うNチャネルMOSFETです。
Q.FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETの主な仕様は？
FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は600V、連続電流は±15.5A、TC=25°Cです。オン抵抗は最大0.19Ω、VGS=10V、ID=7.8A、ゲート電荷は典型46nC、VGS=10V、VDD=400V、ID=15.5Aです。
Q.FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETとRBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETはどっちがいい？
車載スイッチング回路ならFMC60N190S2A Si NチャネルMOSFET、上面放熱の電源基板ならルネサス エレクトロニクスのRBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETです。FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は600V、連続電流は±15.5A、TC=25°Cです。ルネサス エレクトロニクスのRBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は80V、連続電流は±360A、TC=25°Cです。
Q.FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETのパッケージは？
FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETのパッケージはT-Pack(S)です。ルネサス エレクトロニクスのRBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETのパッケージはTOLTです。
Q.FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルは？
FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルはSi、Nチャネルです。ルネサス エレクトロニクスのRBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETの材料・チャネルはSi、Nチャネルです。
Q.FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETのゲート駆動は？
FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETのゲート駆動はオン抵抗測定VGS=10Vです。ルネサス エレクトロニクスのRBA011N08R1SBPW Si NチャネルMOSFETのゲート駆動はオン抵抗測定VGS=10Vです。
Q.FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETとIPW60R040C7 Si NチャネルMOSFETはどっちがいい？
車載スイッチング回路ならFMC60N190S2A Si NチャネルMOSFET、PFC・LLC電源回路ならインフィニオン テクノロジーズ ジャパンのIPW60R040C7 Si NチャネルMOSFETです。FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETのドレイン耐圧は600V、連続電流は±15.5A、TC=25°Cです。インフィニオン テクノロジーズ ジャパンのIPW60R040C7 Si NチャネルMOSFETの価格は参考価格5.11€、公式条件は€/1k、ドレイン耐圧は600Vです。
Q.FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETはどこのメーカー？
FMC60N190S2A Si NチャネルMOSFETは富士電機株式会社の製品です。登記上の本店は〒160-0023 東京都新宿区西新宿4丁目31番3号。富士電機の主な製品分野はパワー半導体・フェライトコア・リアクトル・サーボモータです。

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