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窒化ガリウムエピウエハ

AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30G

NTTアドバンステクノロジ株式会社

層の厚さを型番で選べる6インチのGaN on Si。

価格
公開価格なし（見積もり）
主な仕様
口径6インチ
種類
エピウエハ
向いている所
型番で頼める6インチSi品
公式の製品ページを見る比較表で見る

比較表での位置

AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gは、窒化ガリウムのメーカー5社比較の種類「エピウエハ」の2製品の1つとして載っています。

  • 5社掲載社数
  • 6製品比較表の製品
  • 2製品同じ種類
  • 0製品公開価格あり
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AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30G​の強みと方式

型番ごとに層の厚さと組成を公開している6インチSi基板のエピウエハです。バリアは27nm、チャネルは300nmで、ほかに標準の型番を公開しています。型番と数量を書いて問い合わせます。

向いている所型番で頼める6インチSi品

種類：エピウエハ

基板の上にGaNの層を重ねたウエハです。下地はSi・SiC・GaNなどから選びます。層の厚さや組成まで決まった状態で届くので、すぐ素子の工程に入れます。

AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30G​の仕様

種類
エピウエハ
口径
6インチ
導電型
—公式資料で確認できず
下地の基板
Si
製法
—公式資料で確認できず
厚さ
1mm（Si基板）
価格
—公式資料で確認できず
純度
—公式資料で確認できず
酸素量
—公式資料で確認できず
層の作り
GaNキャップ2nm、AlGaNバリア27nm（Al 0.22）、AlN 1nm、GaNチャネル300nm
転位密度
—公式資料で確認できず
移動度
1,700〜1,900cm²/V・s
破壊電圧
800〜1,000V（素子の構造による）
反り
50μm未満
面方位
—公式資料で確認できず
表面の粗さ
—公式資料で確認できず
用途
パワーデバイス

同じ表にほかの型番あり。

同じ種類の他社製品との違い

製品の特徴ごとの分類

AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30GNTTアドバンステクノロジ株式会社GaNエピウエハ住友化学株式会社窒化ガリウム粉末 GAI30PB株式会社高純度化学研究所
種類エピウエハエピウエハ粉末
口径6インチ—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
導電型—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
下地の基板Si半絶縁性SiC、半絶縁性GaN、導電性GaN—公式資料で確認できず
製法—公式資料で確認できずMOVPE法—公式資料で確認できず
厚さ1mm（Si基板）—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
価格—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
純度—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず4N
酸素量—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず0.1%以下
層の作りGaNキャップ2nm、AlGaNバリア27nm（Al 0.22）、AlN 1nm、GaNチャネル300nmAlGaN/GaN HEMT、P/Nホモ接合、ショットキーダイオード用N型ホモ—公式資料で確認できず
転位密度—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
移動度1,700〜1,900cm²/V・⁠⁠⁠⁠⁠⁠s—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
破壊電圧800〜1,000V（素子の構造による）3.0kV超（電力変換用途）—公式資料で確認できず
反り50μm未満—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
面方位—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
表面の粗さ—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず—公式資料で確認できず
用途パワーデバイス高周波パワーアンプ、パワーダイオード、パワートランジスタLED用材料、パワーデバイスへの応用

窒化ガリウムの6製品を比較表で見る

AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30G​のよくある質問

Q.AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gはどんな人に向いている？
AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gは、型番で頼める6インチSi品に使う人向けです。AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gは、型番ごとに層の厚さと組成を公開している6インチSi基板のエピウエハです。
Q.AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの強みは？
AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gのバリアは27nm、チャネルは300nmで、ほかに標準の型番を公開しています。型番と数量を書いて問い合わせます。
Q.AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gはどんな方式？
AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの種類はエピウエハです。基板の上にGaNの層を重ねたウエハです。
Q.AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの主な仕様は？
AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの口径は6インチ、厚さは1mm（Si基板）⁠で⁠す⁠。下地の基板はSi、層の作りはGaNキャップ2nm、AlGaNバリア27nm（Al 0.22）、AlN 1nm、GaNチャネル300nmです。
Q.AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30GとGaNエピウエハはどっちがいい？
型番で頼める6インチSi品ならAlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30G、高周波用と電力変換用がそろうなら住友化学のGaNエピウエハです。AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの口径は6インチ、厚さは1mm（Si基板）⁠で⁠す⁠。住友化学のGaNエピウエハの下地の基板は半絶縁性SiC、半絶縁性GaN、導電性GaN、製法はMOVPE法です。
Q.AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの移動度は？
AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの移動度は1,700〜1,900cm²/V・sです。住友電気工業のGaN基板（青色LD・LED用）の移動度は80cm²/V・s以上です。
Q.AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの破壊電圧は？
AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの破壊電圧は800〜1,000V（素子の構造による）⁠で⁠す⁠。住友化学のGaNエピウエハの破壊電圧は3.0kV超（電力変換用途）⁠で⁠⁠⁠⁠す⁠。
Q.AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの反りは？
AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの反りは50μm未満です。住友電気工業のGaN基板（青色LD・LED用）の反りは30μm以下・50μm以下です。
Q.AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gと窒化ガリウム粉末 GAI30PBはどっちがいい？
型番で頼める6インチSi品ならAlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30G、酸素を0.1%以下に抑えた粉末なら高純度化学研究所の窒化ガリウム粉末 GAI30PBです。AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの口径は6インチ、厚さは1mm（Si基板）⁠で⁠す⁠。高純度化学研究所の窒化ガリウム粉末 GAI30PBの純度は4N、酸素量は0.1%以下です。
Q.AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gはどこのメーカー？
AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30GはNTTアドバンステクノロジ株式会社の製品です。登記上の本店は〒160-0023 東京都新宿区西新宿3丁目20番2号。NTTアドバンステクノロジの主な製品分野は窒化ガリウム・回折格子・RPAツールです。

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    出典
    1. NTTアドバンステクノロジ株式会社 公式
    2. gBizINFO（経済産業省） 法人情報
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