イメージGaNエピウエハの強みと方式
高周波用の
向いている
種類:エピウエハ
基板の
GaNエピウエハの仕様
- 種類
- エピウエハ
- 口径
- —公式資料で
確認できず - 導電型
- —公式資料で
確認できず - 下地の基板
- 半絶縁性
SiC、 半絶縁性 GaN、 導電性 GaN - 製法
- MOVPE法
- 厚さ
- —公式資料で
確認できず - 価格
- —公式資料で
確認できず - 純度
- —公式資料で
確認できず - 酸素量
- —公式資料で
確認できず - 層の作り
- AlGaN/GaN HEMT、
P/Nホモ接合、 ショットキーダイオード 用N型ホモ - 転位密度
- —公式資料で
確認できず - 移動度
- —公式資料で
確認できず - 破壊電圧
- 3.0kV超
(電力変換用途) - 反り
- —公式資料で
確認できず - 面方位
- —公式資料で
確認できず - 表面の粗さ
- —公式資料で
確認できず - 用途
- 高周波
パワーアンプ、 パワーダイオード、 パワートランジスタ
同じ種類の他社製品との違い
製品の特徴ごとの分類
| GaN | AlGaN/GaN HEMT | 窒化ガリウム | |
|---|---|---|---|
| 種類 | エピウエハ | エピウエハ | 粉末 |
| 口径 | —公式資料で | 6インチ | —公式資料で |
| 導電型 | —公式資料で | —公式資料で | —公式資料で |
| 下地の基板 | 半絶縁性 | Si | —公式資料で |
| 製法 | MOVPE法 | —公式資料で | —公式資料で |
| 厚さ | —公式資料で | 1mm | —公式資料で |
| 価格 | —公式資料で | —公式資料で | —公式資料で |
| 純度 | —公式資料で | —公式資料で | 4N |
| 酸素量 | —公式資料で | —公式資料で | 0.1%以下 |
| 層の作り | AlGaN/GaN HEMT、 | GaNキャップ | —公式資料で |
| 転位密度 | —公式資料で | —公式資料で | —公式資料で |
| 移動度 | —公式資料で | 1,700〜 | —公式資料で |
| 破壊電圧 | 3.0kV超 | 800〜1,000V | —公式資料で |
| 反り | —公式資料で | 50μm未満 | —公式資料で |
| 面方位 | —公式資料で | —公式資料で | —公式資料で |
| 表面の粗さ | —公式資料で | —公式資料で | —公式資料で |
| 用途 | 高周波 | パワーデバイス | LED用材料、 |
GaNエピウエハのよくある質問
Q.GaNエピウエハはどんな人に向いている?
GaNエピウエハは、高周波用と電力変換用がそろう人向けです。GaNエピウエハは、高周波用のHEMTと電力変換用のホモ接合を同じ会社で選べるエピウエハです。
Q.GaNエピウエハの強みは?
GaNエピウエハの電力変換用は自社のGaN基板に重ね、ブレイクダウン電圧は3.0kV超です。高周波用はSiC基板か半絶縁性GaN基板に重ねます。
Q.GaNエピウエハはどんな方式?
GaNエピウエハの種類はエピウエハです。基板の上にGaNの層を重ねたウエハです。
Q.GaNエピウエハの主な仕様は?
GaNエピウエハの下地の基板は半絶縁性SiC、半絶縁性GaN、導電性GaN、製法はMOVPE法です。層の作りはAlGaN/GaN HEMT、P/Nホモ接合、ショットキーダイオード用N型ホモ、破壊電圧は3.0kV超(電力変換用途)です。
Q.GaNエピウエハとAlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gはどっちがいい?
高周波用と電力変換用がそろうならGaNエピウエハ、型番で頼める6インチSi品ならNTTアドバンステクノロジ のAlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gです。GaNエピウエハの下地の基板は半絶縁性SiC、半絶縁性GaN、導電性GaN、製法はMOVPE法です。NTTアドバンステクノロジ のAlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの口径は6インチ、厚さは1mm(Si基板)です。
Q.GaNエピウエハの用途は?
GaNエピウエハの用途は高周波パワーアンプ、パワーダイオード、パワートランジスタです。NTTアドバンステクノロジ のAlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30Gの用途はパワーデバイスです。
Q.GaNエピウエハと窒化ガリウム粉末 GAI30PBはどっちがいい?
高周波用と電力変換用がそろうならGaNエピウエハ、酸素を0.1%以下に抑えた粉末なら高純度化学研究所の窒化ガリウム粉末 GAI30PBです。GaNエピウエハの下地の基板は半絶縁性SiC、半絶縁性GaN、導電性GaN、製法はMOVPE法です。高純度化学研究所の窒化ガリウム粉末 GAI30PBの純度は4N、酸素量は0.1%以下です。
Q.GaNエピウエハのほかに住友化学の窒化ガリウムはある?
あります。住友化学の窒化ガリウムには、GaNエピウエハのほかにGaN基板(口径は2インチ、4インチ)があります。
Q.GaNエピウエハはどこのメーカー?
GaNエピウエハは住友化学株式会社の製品です。登記上の本店は〒103-0027 東京都中央区日本橋2丁目7番1号。住友化学の主な製品分野はアクリロニトリル ・アルミナ・水酸化アルミニウム・除草剤です。
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