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パワーデバイス・高周波デバイス・LEDの材料に窒化ガリウム(GaN)を選ぶ、開発・生産技術・購買の担当の方へ

窒化ガリウムのメーカー5社比較【2026年】

窒化ガリウムは、パワーデバイスや高周波デバイス、
LEDの材料に使う化合物半導体です。

ABOUT

窒化ガリウムとは

比較表を見る ↓

窒化ガリウムとは、パワーデバイスや高周波デバイス、LEDの材料に使う化合物半導体です。
GaN・ガリウムナイトライドとも呼びます。
GaNだけでできた自立基板、ほかの基板に層を重ねたエピウエハ、粉末があります。

製品の特長

  • 形で選べる(自立基板・エピウエハ・粉末)
  • 下地を選べる(エピはSi・SiC・GaNなど)
  • 電気の通し方を選べる(n型と半絶縁性)

使うメリット

  • 高い電圧に耐える素子を作れる(住友化学の電力変換用は3.0kV超)
  • 高周波の素子を作れる(無線通信のパワーアンプなど)
  • 少量から試せる(NTT-ATは試作から量産まで)

選ぶときに注意すること

  1. どの製品も値段は公式に出ていない。口径と枚数を伝えて見積もりをとる
  2. 自立基板の製法と仕様は、会社で公開の範囲が違う。転位密度は書面で確かめる
  3. 半絶縁性は2インチまでの会社がある。4インチが欲しいときは先に確かめる
  4. 住友電気工業のGaN基板は販売中か未確認。問い合わせて確かめる

※仕様は各メーカーの公式の製品ページとカタログによる。用途の説明は、三菱ケミカル、住友化学、NTTアドバンステクノロジ、高純度化学研究所の公式資料による。

LIST

窒化ガリウムの比較表

窒化ガリウム6製品の比較
製品・メーカーコスト製品の強み仕様公式ページ

自立基板

3製品
住友化学株式会社GaN基板n型と半絶縁性を選べる口コミを書く要見積

n型導電性と半絶縁性の両方を公式に出しているGaN基板です。転位密度は1〜4E6/cm²で、4インチはn型導電性です。半絶縁性は2インチです。

種類
自立基板
口径
2インチ、4インチ
導電型
n型導電性、半絶縁性(2インチ)
転位密度
1〜4E6/cm²
用途
レーザーダイオード、高出力LED
記載なし
下地の基板・製法・厚さ・純度・酸素量・層の作り・移動度・破壊電圧・反り・面方位・表面の粗さ
公式ページへ詳細・仕様
住友電気工業株式会社GaN基板(青色LD・LED用)厚さ・反りの規格を公開口コミを書く要見積

厚さ・反り・移動度の標準規格を数字で公開しているGaN基板です。厚さは2インチが400±30μm、4インチが400±50μmです。販売中か未確認で、公式サイトの新着は2018年で止まっています。

種類
自立基板
口径
2インチ、4インチ
導電型
n型
厚さ
400±30μm・400±50μm
移動度
80cm²/V・s以上
反り
30μm以下・50μm以下
面方位
(0001)±1.0°
用途
青色レーザーダイオード、LED
記載なし
下地の基板・製法・純度・酸素量・層の作り・転位密度・破壊電圧・表面の粗さ
公式ページへ詳細・仕様カタログ(PDF)
三菱ケミカル株式会社窒化ガリウム基板(HVPE法)表面の平らさを見る発光デバイス向け口コミを書く要見積

自社設計のHVPE装置で作る単結晶のGaN基板です。表面の粗さはRms0.2nm以下で、MOCVDでエピを重ねる土台に使います。公式は口径の一覧を出しておらず、写真で示すのは2インチです。

種類
自立基板
口径
2インチ
製法
HVPE法
表面の粗さ
Rms0.2nm以下
用途
紫色・青色・緑色レーザーダイオード、パワーデバイス、高周波デバイス
記載なし
導電型・下地の基板・厚さ・純度・酸素量・層の作り・転位密度・移動度・破壊電圧・反り・面方位
公式ページへ詳細・仕様

エピウエハ

2製品
NTTアドバンステクノロジ株式会社AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30G型番で頼める6インチSi品口コミを書く要見積

型番ごとに層の厚さと組成を公開している6インチSi基板のエピウエハです。バリアは27nm、チャネルは300nmで、ほかに標準の型番を公開しています。型番と数量を書いて問い合わせます。

種類
エピウエハ
口径
6インチ
下地の基板
Si
厚さ
1mm(Si基板)
層の作り
GaNキャップ2nm、AlGaNバリア27nm(Al 0.22)、AlN 1nm、GaNチャネル300nm
移動度
1,700〜1,900cm²/V・s
破壊電圧
800〜1,000V(素子の構造による)
反り
50μm未満
用途
パワーデバイス
記載なし
導電型・製法・純度・酸素量・転位密度・面方位・表面の粗さ
公式ページへ詳細・仕様
住友化学株式会社GaNエピウエハ高周波用と電力変換用がそろう口コミを書く要見積

高周波用のHEMTと電力変換用のホモ接合を同じ会社で選べるエピウエハです。電力変換用は自社のGaN基板に重ね、ブレイクダウン電圧は3.0kV超です。高周波用はSiC基板か半絶縁性GaN基板に重ねます。

種類
エピウエハ
下地の基板
半絶縁性SiC、半絶縁性GaN、導電性GaN
製法
MOVPE法
層の作り
AlGaN/GaN HEMT、P/Nホモ接合、ショットキーダイオード用N型ホモ
破壊電圧
3.0kV超(電力変換用途)
用途
高周波パワーアンプ、パワーダイオード、パワートランジスタ
記載なし
口径・導電型・厚さ・純度・酸素量・転位密度・移動度・反り・面方位・表面の粗さ
公式ページへ詳細・仕様

粉末

1製品
株式会社高純度化学研究所窒化ガリウム粉末 GAI30PB酸素を0.1%以下に抑えた粉末口コミを書く要見積

酸素を0.1%以下に抑えたGaNの粉末です。純度は4Nで、LED用材料やパワーデバイスへの応用を見込む素材です。値段は公式に出ておらず、問い合わせて確かめます。

種類
粉末
純度
4N
酸素量
0.1%以下
用途
LED用材料、パワーデバイスへの応用
記載なし
口径・導電型・下地の基板・製法・厚さ・層の作り・転位密度・移動度・破壊電圧・反り・面方位・表面の粗さ
公式ページへ詳細・仕様

自立基板3製品

住友化学株式会社

GaN基板

n型と半絶縁性を選べる

n型導電性と半絶縁性の両方を公式に出しているGaN基板です。転位密度は1〜4E6/cm²で、4インチはn型導電性です。半絶縁性は2インチです。

コスト要見積

種類
自立基板
口径
2インチ、4インチ
導電型
n型導電性、半絶縁性(2インチ)
転位密度
1〜4E6/cm²
用途
レーザーダイオード、高出力LED
記載なし
下地の基板・製法・厚さ・純度・酸素量・層の作り・移動度・破壊電圧・反り・面方位・表面の粗さ
公式ページへ
住友電気工業株式会社

GaN基板(青色LD・LED用)

厚さ・反りの規格を公開

厚さ・反り・移動度の標準規格を数字で公開しているGaN基板です。厚さは2インチが400±30μm、4インチが400±50μmです。販売中か未確認で、公式サイトの新着は2018年で止まっています。

コスト要見積

種類
自立基板
口径
2インチ、4インチ
導電型
n型
厚さ
400±30μm・400±50μm
移動度
80cm²/V・s以上
反り
30μm以下・50μm以下
面方位
(0001)±1.0°
用途
青色レーザーダイオード、LED
記載なし
下地の基板・製法・純度・酸素量・層の作り・転位密度・破壊電圧・表面の粗さ
公式ページへ
三菱ケミカル株式会社

窒化ガリウム基板(HVPE法)

表面の平らさを見る発光デバイス向け

自社設計のHVPE装置で作る単結晶のGaN基板です。表面の粗さはRms0.2nm以下で、MOCVDでエピを重ねる土台に使います。公式は口径の一覧を出しておらず、写真で示すのは2インチです。

コスト要見積

種類
自立基板
口径
2インチ
製法
HVPE法
表面の粗さ
Rms0.2nm以下
用途
紫色・青色・緑色レーザーダイオード、パワーデバイス、高周波デバイス
記載なし
導電型・下地の基板・厚さ・純度・酸素量・層の作り・転位密度・移動度・破壊電圧・反り・面方位
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エピウエハ2製品

NTTアドバンステクノロジ株式会社

AlGaN/GaN HEMTエピウエハ SEE61K22227S30G

型番で頼める6インチSi品

型番ごとに層の厚さと組成を公開している6インチSi基板のエピウエハです。バリアは27nm、チャネルは300nmで、ほかに標準の型番を公開しています。型番と数量を書いて問い合わせます。

コスト要見積

種類
エピウエハ
口径
6インチ
下地の基板
Si
厚さ
1mm(Si基板)
層の作り
GaNキャップ2nm、AlGaNバリア27nm(Al 0.22)、AlN 1nm、GaNチャネル300nm
移動度
1,700〜1,900cm²/V・s
破壊電圧
800〜1,000V(素子の構造による)
反り
50μm未満
用途
パワーデバイス
記載なし
導電型・製法・純度・酸素量・転位密度・面方位・表面の粗さ
公式ページへ
住友化学株式会社

GaNエピウエハ

高周波用と電力変換用がそろう

高周波用のHEMTと電力変換用のホモ接合を同じ会社で選べるエピウエハです。電力変換用は自社のGaN基板に重ね、ブレイクダウン電圧は3.0kV超です。高周波用はSiC基板か半絶縁性GaN基板に重ねます。

コスト要見積

種類
エピウエハ
下地の基板
半絶縁性SiC、半絶縁性GaN、導電性GaN
製法
MOVPE法
層の作り
AlGaN/GaN HEMT、P/Nホモ接合、ショットキーダイオード用N型ホモ
破壊電圧
3.0kV超(電力変換用途)
用途
高周波パワーアンプ、パワーダイオード、パワートランジスタ
記載なし
口径・導電型・厚さ・純度・酸素量・転位密度・移動度・反り・面方位・表面の粗さ
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粉末1製品

株式会社高純度化学研究所

窒化ガリウム粉末 GAI30PB

酸素を0.1%以下に抑えた粉末

酸素を0.1%以下に抑えたGaNの粉末です。純度は4Nで、LED用材料やパワーデバイスへの応用を見込む素材です。値段は公式に出ておらず、問い合わせて確かめます。

コスト要見積

種類
粉末
純度
4N
酸素量
0.1%以下
用途
LED用材料、パワーデバイスへの応用
記載なし
口径・導電型・下地の基板・製法・厚さ・層の作り・転位密度・移動度・破壊電圧・反り・面方位・表面の粗さ
公式ページへ
Q&A

窒化ガリウム選びで、よくある疑問

購買担当の疑問窒化ガリウム基板の価格は、いくら?

このページの製品は、どれも公式に値段を出していません。高純度化学研究所のGAI30PBも、問い合わせて確かめる品です。口径・導電型・枚数を伝えて見積もりをとります。

設備担当の疑問窒化ガリウムの種類と違いは?

GaNだけでできた自立基板、ほかの基板に層を重ねたエピウエハ、粉末の3つです。素子を作るなら基板かエピウエハ、材料から検討するなら粉末を選びます。住友化学は自立基板とエピウエハの両方を出しています。

設備担当の疑問GaN基板のサイズ(口径・インチ)は?

住友化学のGaN基板は2インチと4インチのn型導電性、2インチの半絶縁性です。三菱ケミカルが公式の写真で示すのは2インチです。住友電気工業の規格表は2インチと4インチですが、販売中か未確認です。

設備担当の疑問自立基板とGaN on Siの違いは?

自立基板はGaNだけでできた基板で、GaN on SiはSi基板の上にGaNの層を重ねたものです。NTT-ATのSEE61K22227S30Gは6インチのSi基板に重ねています。NTT-ATの基板の口径は、Siが4〜8インチ、GaNが2〜4インチです。

設備担当の疑問n型と半絶縁性の使い分けは?

住友化学は、導電性のGaN自立基板にホモ接合を重ねて電力変換に、半絶縁性のSiC基板やGaN基板にAlGaN/GaNを重ねて高周波に使い分けています。導電性の品は2インチと4インチ、半絶縁性の品は2インチです。

工場長の疑問GaN基板の転位密度は、どのくらい?

公式に数字を出しているのは住友化学で、1〜4E6/cm²です。ほかの会社は公式に数字を書いていないので、見積もりのときに書面で確かめます。

設備担当の疑問GaNエピウエハの破壊電圧は?

住友化学の電力変換用は3.0kV超です。NTT-ATの6インチSi基板のエピは800〜1,000Vで、素子の構造で変わります。下地と層の厚さで変わるので、狙う耐圧を先に決めて頼みます。

設備担当の疑問HVPEとMOVPEの違いは?

どちらも気体の原料から結晶を育てる製法で、このページでは使う場面が分かれます。三菱ケミカルは基板をHVPE法で作り、住友化学はエピの層をMOVPE法で重ねます。三菱ケミカルはアンモニアの超臨界状態を使うSCAATも開発中です。

購買担当の疑問少量や試作でも買える?

NTT-ATは少量の試作から量産まで受けています。標準の型番には即納できる品もあり、型番と数量を書いて問い合わせます。粉末は高純度化学研究所のGAI30PBがあり、これも問い合わせて確かめます。

設備担当の疑問窒化ガリウム粉末の純度は?

高純度化学研究所のGAI30PBは純度4Nで、酸素は0.1%以下です。同じ会社のGAI27PBは販売休止中です。

設備担当の疑問ガリウムやGaNパワー半導体もこのページで比べられる?

対象は窒化ガリウムの材料だけです。金属ガリウムはガリウムのページ、GaNを使った素子はパワー半導体のページで比べます。スパッタリング用のGaNターゲットは半導体材料のページにあります。

TYPES

窒化ガリウムの種類の違い

自立基板

GaNの単結晶だけでできた基板です。上にエピの層を重ねて、レーザーダイオードやLED、パワーデバイスを作ります。電気を通すn型と、電気を通しにくい半絶縁性があります。

向いている使い方

  • レーザーダイオードの土台
  • 高出力LEDの土台
  • 転位を抑えたいパワーデバイス

根拠:2インチn型導電性GaN基板(出典2)

この種類の3製品を表で見る

エピウエハ

基板の上にGaNの層を重ねたウエハです。下地はSi・SiC・GaNなどから選びます。層の厚さや組成まで決まった状態で届くので、すぐ素子の工程に入れます。

向いている使い方

  • 高周波パワーアンプのHEMT
  • 電力変換のダイオード・トランジスタ
  • 下地の違いを試す開発

根拠:GaN系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)用、あるいは高耐圧ダイオード用エピタキシャル多層膜がMOVPE成長されたウエハです。(出典3)

この種類の2製品を表で見る

粉末

GaNの粉末です。LED用材料やパワーデバイスへの応用が期待されています。純度と、混ざる酸素の量を見て選びます。

向いている使い方

  • LED用材料の検討
  • パワーデバイス材料の検討
  • 酸素を抑えた粉末が欲しい

根拠:GaNは、LED用材料,パワーデバイスへの応用も期待されている素材です。(出典6)

この種類の1製品を表で見る
MAKERS

窒化ガリウムの主なメーカー5社

NTTアドバンステクノロジ株式会社

型番ごとに層の厚さと組成を公開している6インチSi基板のエピウエハです。

東京都

株式会社高純度化学研究所

酸素を0.1%以下に抑えたGaNの粉末です。

埼玉県

住友化学株式会社

n型導電性と半絶縁性の両方を公式に出しているGaN基板です。

東京都

住友電気工業株式会社

厚さ・反り・移動度の標準規格を数字で公開しているGaN基板です。

大阪府

三菱ケミカル株式会社

自社設計のHVPE装置で作る単結晶のGaN基板です。

東京都

出典
  1. 三菱ケミカル 窒化ガリウム基板
  2. 住友化学 GaN基板
  3. 住友化学 GaNエピウエハ
  4. 住友電気工業 GaN基板 標準規格
  5. NTTアドバンステクノロジ 窒化物半導体エピタキシャルウエハ
  6. 高純度化学研究所 無機化合物
  7. 高純度化学研究所 GAI30PB
掲載基準

パワーデバイス・高周波デバイス・LEDの製造や研究で使う窒化ガリウム(GaN)の材料のうち、自立基板・エピタキシャルウエハ・粉末で、日本の会社が自社で作り、公式の資料で製品を確かめられたものを載せています。1社2製品までです。金属ガリウムとヒ化ガリウムはそれぞれの比較ページで、GaNを使った素子はパワー半導体のページで、東ソーのGaNターゲットは半導体材料のページで比べます。三菱ケミカルのSCAATとSCAAT-LPは開発中なので載せていません。住友電気工業のGaN基板は、公式サイトの新着が2018年で止まっていて販売中か未確認です。DOWAエレクトロニクスの窒化物エピ基板は、公式ページの文字がAlNテンプレートの仕様だけで、GaNの仕様を確かめられませんでした。信越化学工業のQST基板とエア・ウォーターの3C-SiC/Si基板は、GaNを重ねるための下地で、GaNの製品ではないので除いています。トゥーリーズ(輸入販売)、同人産業・大和鉄原工産(自社で作っているか確かめられない)も除いています。高純度化学研究所のGAI27PBは販売休止中です。

窒化ガリウムを作っているメーカーの方へ:掲載・訂正のご依頼(掲載は無料です)

CITE

引用

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