GaNエピウエハのメーカー2社比較【2026年】

NTTアドバンステクノロジと住友化学は、どちらも公式に値段を出していないので見積もりです。NTTアドバンステクノロジは標準の型番の中に即納できる品があるので、型番と数量を書いて問い合わせます。住友化学は、下地と層の構成を伝えて見積もりをとります。下地の口径と、重ねる層の構成で値段が変わるので、両方を書いて頼みます。

下地と得意な用途が違います。NTTアドバンステクノロジのSEE61K22227S30Gは、6インチのSi基板にAlGaN/GaN HEMTの層を重ねたパワーデバイス用です。住友化学は、半絶縁性SiC、半絶縁性GaN、導電性GaNから下地を選び、高周波用のHEMTと電力変換用のホモ接合を出しています。

住友化学の電力変換用は、自社のGaN基板に重ねて、ブレイクダウン電圧が3.0kV超です。NTTアドバンステクノロジの6インチSi基板のエピは800〜1,000Vで、素子の構造で変わります。狙う耐圧を先に決め、下地と層の厚さを合わせて頼みます。耐圧の測り方も書面で確かめると、2社を同じ物差しで比べられます。

選べます。住友化学は、半絶縁性SiC、半絶縁性GaN、導電性GaNの下地から選べます。NTTアドバンステクノロジは、Si、サファイア、SiC、GaNの基板に結晶を重ねる技術を持ち、口径はSiが4〜8インチ、GaNが2〜4インチです。素子に合う下地を伝えて相談します。下地で値段も変わります。

NTTアドバンステクノロジは、型番ごとに層の厚さと組成を公開しています。SEE61K22227S30Gは、GaNキャップ2nm、AlGaNバリア27nm（Al 0.22）、AlN 1nm、GaNチャネル300nmです。住友化学は、AlGaN/GaN HEMT、P/Nホモ接合などの構成を案内しています。

NTTアドバンステクノロジのSEE61K22227S30Gは、移動度が1,700〜1,900cm²/V・sです。住友化学は移動度を公式に書いていないので、層の構成と合わせて書面で確かめます。移動度は素子のオン抵抗に響くので、狙う値を伝えて頼みます。測り方がそろっているかも、書面で確かめておくと比べやすくなります。

NTTアドバンステクノロジのSEE61K22227S30Gは6インチで、Si基板の厚さは1mm、反りは50μm未満です。8インチのシリコン基板にも重ねます。住友化学は口径と反りを公式に書いていないので、工程の装置に合うかを確かめます。反りが大きいと露光の工程で扱いにくくなるので、装置の決まりと照らして確かめます。

使えます。住友化学は、半絶縁性のSiC基板やGaN基板にAlGaN/GaNを重ねた高周波用のHEMTのエピを出していて、用途は高周波パワーアンプです。NTTアドバンステクノロジのSEE61K22227S30Gはパワーデバイス用です。周波数と出力を伝えて選びます。下地の熱の逃げ方も聞きます。

買えます。NTTアドバンステクノロジは、少量の試作から量産まで受けています。標準の型番には即納できる品もあります。住友化学は少量の対応を公式に書いていないので、枚数を伝えて問い合わせます。試作と量産の両方の値段を聞いておきます。試作で使った型番を量産でもそのまま使えるかも、先に聞いておくと切り替えが楽です。

すぐ素子の工程に入りたいならエピウエハです。層の厚さや組成まで決まった状態で届きます。自分で層を重ねるなら自立基板です。住友化学は、GaN基板とエピウエハの両方を出しています。自立基板は別のページで比べています。自社でエピの装置を持っているかで決まります。持っていなければエピウエハ、持っていれば自立基板に自社で層を重ねる使い方もできます。