めっき薬品のメーカー9社比較【2026年】

置換タイプなのに約3μmまで平滑な皮膜を作れる無電解すずめっきです。石原ケミカルはCOF用の580M-Zと分けて、厚付け用として案内しています。

パワーデバイス向けに出している低リンの無電解ニッケルめっき浴です。公式の製品紹介には浴の条件の数字が文字で出ていないので、仕様は上村工業に確かめます。

中リンの無電解ニッケルめっき液で、耐食性と作業性と光沢をまとめて取りに行く品です。同じ奥野製薬工業の液に高リンと低リンのタイプもあり、皮膜の性能で選び分けられます。前処理から後処理まで同じ会社で組めます。

半導体パッケージ基板の微細配線に合わせた無電解銅めっきで、薄い膜でもビアの中まで析出します。膜を薄くできるのでエッチング時の回路細りが減り、L/S=5/5μm以下の配線を作れます。低粗度の材料でも高いピール強度が出ます。

シアンを使わず、電気も使わずに銅と銅合金へ銀をつける中性の液です。原液のまま25〜30℃で5〜10分浸けます。槽は樹脂製などで足りますが、廃液処理は必要です。

鉛などの特定有害物質を含まない無電解ニッケルめっき液で、耐硝酸性を求める鉄系の部品に向きます。管理のしかたと処理能力は、従来の鉛入りの液とほぼ同じです。荷姿は20Lキュービから1000Lコンテナまで選べます。

半導体の電極の上にマスクなしでUBMを作る無電解ニッケルめっき液です。85℃、pH4.6で14〜16μm/hr析出し、皮膜のリンは6〜8wt%です。補給剤で浴成分を保ちながら連続で動かせます。

耐食性とはんだ濡れ性に加えてウィスカを抑えられる、すずビスマスの半光沢めっきです。広い電流密度で使え、中高速だけでなくバレルとラックにも流せます。

析出純度99.99%の純金を、均一電着性よく析出させるシアン浴の電解金めっきです。金8g/L、0.4A/dm²で4分/μmの速さで、硬度は50〜80HVです。

半導体のロジックとメモリーの再配線に使う硫酸銅めっき添加剤です。公式の製品紹介には浴の条件の数字が文字で出ていないので、仕様は上村工業に確かめます。

プリント配線板のビアを銅で埋めるフィルドめっきのプロセスです。JCUはSAP・MSAP用の工程の中で案内していて、同じ会社で前処理から揃えられます。

ビアとスルーホールが混ざった基板に使える硫酸銅めっき添加剤です。高電流密度でも薄い膜でもビアを埋められ、皮膜は展延性と耐熱衝撃性に優れます。添加剤濃度はCVS法で管理できます。

30A/dm²までの高い電流密度でも焦げずに流せる、高速用の半光沢すずめっきです。標準の条件はすず60g/L、40℃です。

めっきの前に使う粉末のアルカリ電解脱脂剤です。25〜100g/L、25〜60℃で、1〜3分で処理します。

電子部品のめっき前に銅と銅合金を処理する、浸漬タイプのエッチング剤です。ハロゲンを避けたい工程で選べます。

3価クロムで白色の外観と高い耐食性を出す化成処理剤で、従来のクロメート処理の設備をそのまま使えます。処理は35〜45℃で20〜60秒です。鋳物の処理に向きます。