BORON-NITRIDE / MZ-40926PBNる
PBNるつぼ LEC用信越化学工業株式会社
化合物半導体の
仕様
向いている
- 種類
- PBN
(熱分解窒化ホウ素) - 形状
- CVDで
作る PBN (熱分解窒化ホウ素) のるつぼ - 粒子径・
大きさ - 最大直径400mm、
高さ560mm - 純度
- 99.999%以上
- 主な用途
- GaAs・InPなど
化合物半導体の 単結晶 製造、 金属の溶融 - 荷姿・容量
- —公式資料で
確認できず - 価格
- —公式資料で
確認できず - 密度・比重
- 1.99g/cm³
(標準の低密度品) - 耐熱
- 2400℃
(不活性ガス中) - 熱伝導
- a方向
50〜60W/m・K、 c方向 1.8W/m・K - 不純物
- Al 1.0ppm未満、
Na・Fe 0.3ppm未満 - 特長
- —公式資料で
確認できず
— は
同社は
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出典
