光計測・分析機器や光通信、センサーの受光部に組み込むフォトダイオードを選ぶ、回路設計・部品調達・品質保証の担当の方へ

フォトダイオードのメーカー6社比較【2026年】

フォトダイオードは、光が当たると、
その強さに応じた電流を出す半導体の受光素子です。

ABOUT

フォトダイオードとは

比較表を見る ↓

フォトダイオードとは、光が当たると、その強さに応じた電流や電圧を出す半導体の受光素子です。
PD（受光素子）⁠と⁠も呼びます。
材料で受ける波長が変わり、
Siは可視から近赤外、InGaAsはより長い赤外を受けます。

製品の特長

光の強さに応じた電流を出す（光の有無・強弱の検知や計測）
材料で受ける波長が決まる（Siは1100nmあたりまで、InGaAsはより長い赤外）
信号を増やすAPDもある（逆バイアス電圧で光電子を増倍）

使うメリット

小さく軽い（TPP1101WAは3.0×2.0×1.5mm）
応答が速い（KPDA050P-H8は遮断周波数1.2GHz）
暗電流が少なく弱い光も測れる（KPDA050P-H8は標準20pA）

選ぶときに注意すること

暗電流・遮断周波数は逆電圧などの条件つきの値。条件をそろえて比べる
受光面が大きいほど端子間容量が増え、応答は遅くなる
APDは高い逆バイアス電圧をかけて使う。増倍率は電圧と温度で変わる
データシートが英語だけの品や、暫定版（PRELIMINARY）の品がある

※仕様は各メーカーの公式の製品ページとデータシートによる。種類の説明はデクセリアルズと浜松ホトニクスの公式資料による。

LIST

フォトダイオードの比較表

フォトダイオード8製品の比較
製品・メーカー	コスト	製品の強み	仕様	公式ページ
Siフォトダイオード（PIN型を含む） 4製品
ams-OSRAM Japan Ltd.Si PINフォトダイオード BPW 34産業機器・工場自動化の光検出口コミを書く	要見積	受光面7.02mm²と広い、基板に差すDIL形のSi PINフォトダイオードです。立ち上がり時間は0.02µsで、420〜1120nmに感度があります。用途は産業・ロボティクス・工場自動化と案内しています。	種類 Siフォトダイオード（PIN型を含む）感度波長範囲 420〜1120nm 受光面 7.02mm² 応答の速さ立ち上がり時間0.02µs パッケージ DIL 動作温度 -40〜100℃ 記載なし暗電流・最大感度波長・受光感度・端子間容量	公式ページへ詳細・仕様
スタンレー電気株式会社PINフォトダイオード TPP1101WALED・レーザーの光パワーモニタ口コミを書く	要見積	可視光をカットする、3.0×2.0×1.5mmの小さなフラットレンズ形PINフォトダイオードです。感度のピークは950nmで、立ち上がり時間は0.050µsです。メーカーはレーザーやLEDの光パワーモニタ、光空間伝送、光電スイッチ、煙や埃のセンサに使うと案内しています。	種類 Siフォトダイオード（PIN型を含む）暗電流 0.02µA 応答の速さ立ち上がり時間0.050µs パッケージ表面実装、3.0×2.0×1.5mm 最大感度波長 950nm 動作温度 -40〜85℃ 記載なし感度波長範囲・受光面・受光感度・端子間容量	公式ページへ詳細・仕様カタログ（PDF）
浜松ホトニクス株式会社Si PINフォトダイオード S1223可視〜近赤外の光計測・分析機器口コミを書く	要見積	TO-5のメタル缶に2.4×2.8mmの受光面を入れた、可視から近赤外まで測るSi PINフォトダイオードです。320〜1100nmに感度があり、遮断周波数は30MHzです。分析機器や光計測機器の受光部に組み込みます。	種類 Siフォトダイオード（PIN型を含む）感度波長範囲 320〜1100nm 受光面 2.4×2.8mm 暗電流標準0.1nA、最大10nA（VR=20V）応答の速さ遮断周波数30MHz パッケージメタル、TO-5 最大感度波長 960nm 受光感度 0.52A/W 端子間容量 10pF 動作温度 -40〜100℃	公式ページへ詳細・仕様カタログ（PDF）
ビシェイジャパン株式会社Si PINフォトダイオード BPW24R近赤外の高速な光検出口コミを書く	要見積	レンズ付きのTO-18メタル缶に入れた、近赤外向けのSi PINフォトダイオードです。感度のピークは940nmで、暗電流は標準2nAです。-40〜125℃で使えるので、熱のこもる機器にも組み込めます。	種類 Siフォトダイオード（PIN型を含む）感度波長範囲 610〜1040nm 受光面 0.88mm² 暗電流標準2nA、最大10nA（VR=20V）パッケージ TO-18、メタル最大感度波長 940nm 動作温度 -40〜125℃ 記載なし応答の速さ・受光感度・端子間容量	公式ページへ詳細・仕様カタログ（PDF）
InGaAsフォトダイオード 2製品
ウシオ電機株式会社InGaAsフォトダイオード SMBBPD1300-1200SWIRの微弱な光を広い面で受ける口コミを書く	要見積	2mm角の大きなInGaAsチップを5×5mmのパッケージに載せた、短波赤外（SWIR）⁠用⁠のフォトダイオードです。1300nmで0.8A/W以上の感度があり、弱い光も広い面で拾えます。データシートは暫定版（PRELIMINARY）で⁠⁠⁠⁠す⁠。	種類 InGaAsフォトダイオード受光面 2×2mm 暗電流最大5nA（VR=5V）パッケージ 5×5mm 受光感度 0.8A/W以上（1300nm）記載なし感度波長範囲・応答の速さ・最大感度波長・端子間容量・動作温度	公式ページへ詳細・仕様カタログ（PDF）
デクセリアルズ株式会社InGaAsフォトダイオード KPDE086S-H8近赤外の分光分析・パワーメータ口コミを書く	要見積	受光面0.86mm角と大きめで、900〜1700nmの近赤外を受けるInGaAsフォトダイオードです。暗電流は標準1nAと少なく、低い電圧で動かせます。近赤外線の分光分析やLD・LEDのパワーモニタ、パワーメータに使います。	種類 InGaAsフォトダイオード感度波長範囲 900〜1700nm 受光面 0.86×0.86mm 暗電流標準1nA、最大10nA（VR=5V）応答の速さ帯域幅30MHz パッケージ TO-CAN 端子間容量 45pF 動作温度 -40〜85℃ 記載なし最大感度波長・受光感度	公式ページへ詳細・仕様カタログ（PDF）
アバランシェフォトダイオード（APD） 2製品
デクセリアルズ株式会社Si APD KPDA050P-H8短波長の光通信・微弱光の検出口コミを書く	要見積	受光径0.5mmで遮断周波数1.2GHzまで応答する、TO-CANのSi APDです。暗電流は標準20pAと少なく、400〜1000nmに感度があります。短波長の光通信や光計測、微弱光の検出に使います。	種類アバランシェフォトダイオード（APD）感度波長範囲 400〜1000nm 受光面直径0.5mm 暗電流標準20pA、最大500pA（VR=50V）応答の速さ遮断周波数1.2GHz パッケージ TO-CAN 最大感度波長 780nm 受光感度 0.45A/W 端子間容量 1.7pF 動作温度 -40〜85℃	公式ページへ詳細・仕様カタログ（PDF）
浜松ホトニクス株式会社Si APD S12023-05光波距離計・空間光伝送の受光口コミを書く	要見積	素子の中で信号を増やすアバランシェ型で、800nm帯の近赤外を低い電圧で受けられるSi APDです。遮断周波数は900MHzで、受光面は直径0.5mmです。光波距離計や空間光伝送のように、弱い光を速く受ける所で使います。	種類アバランシェフォトダイオード（APD）感度波長範囲 400〜1000nm 受光面直径0.5mm 暗電流最大1nA 応答の速さ遮断周波数900MHz パッケージメタル、TO-18 最大感度波長 800nm 受光感度 0.5A/W 端子間容量 2pF 記載なし動作温度	公式ページへ詳細・仕様カタログ（PDF）

Siフォトダイオード（PIN型を含む）4製品

ams-OSRAM Japan Ltd.

Si PINフォトダイオード BPW 34

産業機器・工場自動化の光検出

受光面7.02mm²と広い、基板に差すDIL形のSi PINフォトダイオードです。立ち上がり時間は0.02µsで、420〜1120nmに感度があります。用途は産業・ロボティクス・工場自動化と案内しています。

コスト要見積

種類: Siフォトダイオード（PIN型を含む）
感度波長範囲: 420〜1120nm
受光面: 7.02mm²
応答の速さ: 立ち上がり時間0.02µs
パッケージ: DIL
動作温度: -40〜100℃
記載なし: 暗電流・最大感度波長・受光感度・端子間容量

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スタンレー電気株式会社

PINフォトダイオード TPP1101WA

LED・レーザーの光パワーモニタ

可視光をカットする、3.0×2.0×1.5mmの小さなフラットレンズ形PINフォトダイオードです。感度のピークは950nmで、立ち上がり時間は0.050µsです。メーカーはレーザーやLEDの光パワーモニタ、光空間伝送、光電スイッチ、煙や埃のセンサに使うと案内しています。

コスト要見積

種類: Siフォトダイオード（PIN型を含む）
暗電流: 0.02µA
応答の速さ: 立ち上がり時間0.050µs
パッケージ: 表面実装、3.0×2.0×1.5mm
最大感度波長: 950nm
動作温度: -40〜85℃
記載なし: 感度波長範囲・受光面・受光感度・端子間容量

可視〜近赤外の光計測・分析機器

TO-5のメタル缶に2.4×2.8mmの受光面を入れた、可視から近赤外まで測るSi PINフォトダイオードです。320〜1100nmに感度があり、遮断周波数は30MHzです。分析機器や光計測機器の受光部に組み込みます。

コスト要見積

種類: Siフォトダイオード（PIN型を含む）
感度波長範囲: 320〜1100nm
受光面: 2.4×2.8mm
暗電流: 標準0.1nA、最大10nA（VR=20V）
応答の速さ: 遮断周波数30MHz
パッケージ: メタル、TO-5
最大感度波長: 960nm
受光感度: 0.52A/W
端子間容量: 10pF
動作温度: -40〜100℃

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ビシェイジャパン株式会社

Si PINフォトダイオード BPW24R

近赤外の高速な光検出

レンズ付きのTO-18メタル缶に入れた、近赤外向けのSi PINフォトダイオードです。感度のピークは940nmで、暗電流は標準2nAです。-40〜125℃で使えるので、熱のこもる機器にも組み込めます。

コスト要見積

種類: Siフォトダイオード（PIN型を含む）
感度波長範囲: 610〜1040nm
受光面: 0.88mm²
暗電流: 標準2nA、最大10nA（VR=20V）
パッケージ: TO-18、メタル
最大感度波長: 940nm
動作温度: -40〜125℃
記載なし: 応答の速さ・受光感度・端子間容量

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InGaAsフォトダイオード2製品

ウシオ電機株式会社

InGaAsフォトダイオード SMBBPD1300-1200

SWIRの微弱な光を広い面で受ける

2mm角の大きなInGaAsチップを5×5mmのパッケージに載せた、短波赤外（SWIR）⁠用⁠のフォトダイオードです。1300nmで0.8A/W以上の感度があり、弱い光も広い面で拾えます。データシートは暫定版（PRELIMINARY）で⁠⁠⁠⁠す⁠。

コスト要見積

種類: InGaAsフォトダイオード
受光面: 2×2mm
暗電流: 最大5nA（VR=5V）
パッケージ: 5×5mm
受光感度: 0.8A/W以上（1300nm）
記載なし: 感度波長範囲・応答の速さ・最大感度波長・端子間容量・動作温度

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デクセリアルズ株式会社

InGaAsフォトダイオード KPDE086S-H8

近赤外の分光分析・パワーメータ

受光面0.86mm角と大きめで、900〜1700nmの近赤外を受けるInGaAsフォトダイオードです。暗電流は標準1nAと少なく、低い電圧で動かせます。近赤外線の分光分析やLD・LEDのパワーモニタ、パワーメータに使います。

コスト要見積

種類: InGaAsフォトダイオード
感度波長範囲: 900〜1700nm
受光面: 0.86×0.86mm
暗電流: 標準1nA、最大10nA（VR=5V）
応答の速さ: 帯域幅30MHz
パッケージ: TO-CAN
端子間容量: 45pF
動作温度: -40〜85℃
記載なし: 最大感度波長・受光感度

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アバランシェフォトダイオード（APD）2製品

デクセリアルズ株式会社

Si APD KPDA050P-H8

短波長の光通信・微弱光の検出

受光径0.5mmで遮断周波数1.2GHzまで応答する、TO-CANのSi APDです。暗電流は標準20pAと少なく、400〜1000nmに感度があります。短波長の光通信や光計測、微弱光の検出に使います。

コスト要見積

種類: アバランシェフォトダイオード（APD）
感度波長範囲: 400〜1000nm
受光面: 直径0.5mm
暗電流: 標準20pA、最大500pA（VR=50V）
応答の速さ: 遮断周波数1.2GHz
パッケージ: TO-CAN
最大感度波長: 780nm
受光感度: 0.45A/W
端子間容量: 1.7pF
動作温度: -40〜85℃

光波距離計・空間光伝送の受光

素子の中で信号を増やすアバランシェ型で、800nm帯の近赤外を低い電圧で受けられるSi APDです。遮断周波数は900MHzで、受光面は直径0.5mmです。光波距離計や空間光伝送のように、弱い光を速く受ける所で使います。

コスト要見積

種類: アバランシェフォトダイオード（APD）
感度波長範囲: 400〜1000nm
受光面: 直径0.5mm
暗電流: 最大1nA
応答の速さ: 遮断周波数900MHz
パッケージ: メタル、TO-18
最大感度波長: 800nm
受光感度: 0.5A/W
端子間容量: 2pF
記載なし: 動作温度

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出典：メーカー図鑑 https://makerzukan.jp/c/denki/photodiode/／各社の公式資料（2026年11月1日確認）

Q&A

フォトダイオード選びで、よくある疑問

購買担当の疑問フォトダイオードの価格は？

このページの8製品は、どれもメーカーの公式資料に値段が出ていません。型番・数量・納期を伝えて、メーカーや特約店で見積もりを取ります。デクセリアルズは一部の製品に最小発注数量を決めています。

設備担当の疑問フォトダイオードとは？仕組みは？

PN接合部に光が当たると電流や電圧が出る受光素子です。浜松ホトニクスの技術資料では、ふつうは光の強弱の変化を細かく検出するセンサを指し、広い意味では太陽電池も含みます。

設備担当の疑問Siフォトダイオード・InGaAs・APDの違いは？

Siは紫外から1100nmあたりまでの可視・近赤外、InGaAsはより長い赤外を受けます。InGaAsのKPDE086S-H8は900〜1700nmです。APDは逆バイアス電圧で信号を増やす型で、弱い光を速く受けるのに使います。

設備担当の疑問PINフォトダイオードとは？普通のフォトダイオードとの違いは？

PIN型は端子間容量が小さく、キャリアの走る時間が短くなるように作ってあり、速い光の変化を追えます。浜松ホトニクスは、高速応答が要る光通信などに向くと案内しています。S1223は遮断周波数30MHzです。

総務の疑問光電センサやイメージセンサとの違いは？

フォトダイオードは光を電流に変える単体の部品です。光電センサは投光と受光を組み合わせてON・OFFを出す完成品、イメージセンサは受光の画素を並べて像を撮る素子で、図鑑では別のページで比べています。

設備担当の疑問感度波長範囲の選び方は？

受けたい光の波長が範囲に入る品を選びます。一般的なSiの短波長側は320nm、紫外用のSiは190nmまで受けます。S1223は320〜1100nm、BPW 34は420〜1120nmで、900〜1100nmの近赤外を強く受けるSiの型もあります。

工場長の疑問暗電流とは？どれくらい違う？

光が当たっていないときに流れる電流で、少ないほど弱い光を測れます。KPDA050P-H8は標準20pA、S1223は標準0.1nA、KPDE086S-H8は標準1nAです。逆電圧の条件つきの値なので、条件をそろえて比べます。

設備担当の疑問応答速度（遮断周波数）はどう見る？

遮断周波数か立ち上がり時間で比べます。KPDA050P-H8は1.2GHz、S12023-05は900MHz、S1223は30MHzです。BPW 34の立ち上がり時間は0.02µs、TPP1101WAは0.050µsです。

設備担当の疑問APD（アバランシェフォトダイオード）はどんなときに使う？

弱い光を速く受けたい所です。浜松ホトニクスのS12023-05は800nm帯の近赤外用で、200V以下の低い電圧で動き、光波距離計や空間光伝送に使います。デクセリアルズのKPDA050P-H8は短波長の光通信や微弱光の検出向けです。

購買担当の疑問パッケージ（メタル缶・表面実装）の違いは？

メタル缶は気密で、窓やレンズ付きの品があります。S1223はTO-5、S12023-05とBPW24RはTO-18です。表面実装の品は小さく、TPP1101WAは3.0×2.0×1.5mm、SMBBPD1300-1200は5×5mmです。

施設管理の疑問動作温度の範囲は？

公式の値では、BPW24Rが-40〜125℃と広く、S1223とBPW 34は-40〜100℃、TPP1101WA・KPDE086S-H8・KPDA050P-H8は-40〜85℃です。デクセリアルズは結露させない条件をつけています。

TYPES

フォトダイオードの種類の違い

Siフォトダイオード（PIN型を含む）

シリコンで作る、いちばん広く使われる型です。紫外から可視、1100nmあたりまでの近赤外を受けます。PIN型は端子間容量が小さく、速い光の変化も追えます。

向いている使い方

分析機器・光計測機器の受光部
LED・レーザーの光パワーモニタ
光電スイッチや煙センサの受光

根拠：材料がシリコン(Si⁠）⁠の場合は紫外線、可視光、赤外線(～1100nm)の波長域に感度があり（出典1）

この種類の4製品を表で見る

InGaAsフォトダイオード

インジウム・ガリウム・ヒ素の化合物半導体で作る型です。Siでは受けられない、より長い波長の近赤外（短波赤外・SWIR）を受けます。KPDE086S-H8は900〜1700nmです。

向いている使い方

近赤外の分光分析
LD・LEDのパワーモニタやパワーメータ
SWIRの弱い光の検出

根拠：InGaAsなどの化合物半導体が材料の場合はより長波長の赤外線の波長域に感度があります。（出典1）

この種類の2製品を表で見る

アバランシェフォトダイオード（APD）

逆バイアス電圧をかけて、素子の中で光の信号を増やす型です。普通のフォトダイオードより大きな電流が取れるので、弱い光を速く受ける所に使います。このページの2製品はSiのAPDです。

向いている使い方

光波距離計・空間光伝送
短波長の光通信
微弱光の検出

根拠：増倍を行うことでフォトダイオードより大きな光電流を得ることができます。（出典2）

この種類の2製品を表で見る

MAKERS

フォトダイオードの主なメーカー6社

ウシオ電機株式会社

2mm角の大きなInGaAsチップを5×5mmのパッケージに載せた、短波赤外（SWIR）⁠用⁠のフォトダイオードです。

東京都

InGaAsフォトダイオード SMBBPD1300-1200

ams-OSRAM Japan Ltd.

受光面7.02mm²と広い、基板に差すDIL形のSi PINフォトダイオードです。

東京都

Si PINフォトダイオード BPW 34

スタンレー電気株式会社

可視光をカットする、3.0×2.0×1.5mmの小さなフラットレンズ形PINフォトダイオードです。

東京都

PINフォトダイオード TPP1101WA

デクセリアルズ株式会社

受光面0.86mm角と大きめで、900〜1700nmの近赤外を受けるInGaAsフォトダイオードです。

栃木県

浜松ホトニクス株式会社

TO-5のメタル缶に2.4×2.8mmの受光面を入れた、可視から近赤外まで測るSi PINフォトダイオードです。

静岡県

ビシェイジャパン株式会社

レンズ付きのTO-18メタル缶に入れた、近赤外向けのSi PINフォトダイオードです。

東京都

Si PINフォトダイオード BPW24R

出典

掲載基準

光計測・分析機器、光通信、産業機器のセンサーに組み込む、単体のフォトダイオード（受光素子）を型番の単位で載せています。Siフォトダイオード（PIN型を含む）、InGaAsフォトダイオード、アバランシェフォトダイオード（APD）の3つです。メーカーが自社の製品として作るか自社の型番で売り、公式サイトで今案内していて、仕様を公式の製品ページかデータシートで確かめた品だけです。外資は日本法人のある会社に限ります。投光と受光を組み合わせた光電センサは「光電センサ」、画素を並べた撮像素子は「イメージセンサ」、焦電型・サーモパイルは「赤外線センサー」のページに分け、フォトトランジスタ、照度センサIC、アンプ付きのモジュールは載せていません。ロームは公式の光センサーの一覧にフォトダイオードの単体品が無く、日清紡マイクロデバイスは公式の製品一覧に受光素子の単体品が見つからず、ソーラボジャパンとコーデンシは公式の製品ページから仕様の文字を取れず確かめられないので、載せていません。代理店や商社が売る他社製品、販売終了品は除いています。

フォトダイオードを作っているメーカーの方へ：掲載・訂正のご依頼（掲載は無料です）

フォトダイオードのメーカー6社比較【2026年】

フォトダイオードとは

製品の特長

使うメリット

選ぶときに注意すること