フラッシュ内蔵FPGA GW1N-9

フラッシュ内蔵FPGA GW1N-9は、起動用メモリを減らす制御回路に使う人向けです。フラッシュ内蔵FPGA GW1N-9は、書き換えられるフラッシュを内蔵し、電源を切っても構成データを保持します。8,640個のLUT4と20個の乗算器を備えます。

フラッシュ内蔵FPGA GW1N-9の論理規模は8,640 LUT4、構成・起動は内蔵フラッシュ、JTAG等です。内蔵メモリはBSRAM 468Kbit、SSRAM 16Kbit、I/O数は最大276です。

起動用メモリを減らす制御回路ならフラッシュ内蔵FPGA GW1N-9、外部構成メモリを省く制御回路ならマイクロチップ・テクノロジー・ジャパンのフラッシュ型FPGA M2GL010です。フラッシュ内蔵FPGA GW1N-9の論理規模は8,640 LUT4、構成・起動は内蔵フラッシュ、JTAG等です。マイクロチップ・テクノロジー・ジャパンのフラッシュ型FPGA M2GL010の論理規模は最大12,084 LE、構成・起動はフラッシュ型、外部構成メモリ不要です。

フラッシュ内蔵FPGA GW1N-9のDSP・乗算器は18×18乗算器20個です。マイクロチップ・テクノロジー・ジャパンのフラッシュ型FPGA M2GL010のDSP・乗算器は18×18演算ブロック22個です。

フラッシュ内蔵FPGA GW1N-9のコア電源はLV版コア1.2Vです。ラティスセミコンダクターの不揮発メモリ内蔵FPGA iCE40UP3K-UWG30ITRのコア電源はコア1.2Vです。

起動用メモリを減らす制御回路ならフラッシュ内蔵FPGA GW1N-9、高速通信・産業用信号処理ならマイクロチップ・テクノロジー・ジャパンの不揮発型FPGA MPF100Tです。フラッシュ内蔵FPGA GW1N-9の論理規模は8,640 LUT4、構成・起動は内蔵フラッシュ、JTAG等です。マイクロチップ・テクノロジー・ジャパンの不揮発型FPGA MPF100Tの論理規模は109K LE、構成・起動は不揮発構成メモリです。

あります。Gowin Semiconductor Japan G.K.のFPGAには、フラッシュ内蔵FPGA GW1N-9のほかにSRAM型FPGA GW2A-18（論理規模は20,736 LUT4⁠）⁠があります。

フラッシュ内蔵FPGA GW1N-9はGowin Semiconductor Japan G.K.の製品です。GOWINの日本法人で、自社グループのFPGAを扱っています。